【技术实现步骤摘要】
一种复合衬底
本技术属于半导体器件领域，特别涉及一种复合衬底。
技术介绍
化合物半导体材料包括砷化镓、磷化铟等第二代半导体材料和碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料。相比于第一代元素半导体材料硅和锗，化合物半导体具有更大的禁带宽度，更高的击穿场强，更高的电子迁移率以及具有直接带隙的特点，被广泛用于LED、激光器、光电探测器等光电器件和场效应晶体管、异质结双极晶体管等高压高频电子器件。化合物半导体材料一般是利用分子束外延设备（MBE）或金属有机化学气相沉设备（MOCVD）在高温条件下外延生长在同质衬底或异质衬底上。上述两种设备一般是通过对衬底背面载盘加热使衬底升温，因此在高温外延生长时衬底背面的温度会比表面温度高，衬底正反面的温差产生的热应力会使衬底发生凹型形变且生长温度越高翘曲越严重。在化合物半导体高温外延生长时，衬底的凹形翘曲会使外延片边缘的温度相较中心区域偏低从而影响外延薄膜的厚度，组分或掺杂浓度的均匀性。通常解决化合物半导体外延生长时衬底翘曲导致的外延薄膜的均匀性问题的方法是：一方面，优化外延生长程序的组分...
【技术保护点】
1.一种复合衬底，其特征在于：包括衬底，以及位于所述衬底背面的热膨胀补偿薄膜；热膨胀补偿薄膜的等效膨胀系数小于衬底的热膨胀系数；热膨胀补偿薄膜包括电介质层和耐高温金属层，电介质层位于所述衬底和耐高温金属层之间。/n
【技术特征摘要】
1.一种复合衬底，其特征在于：包括衬底，以及位于所述衬底背面的热膨胀补偿薄膜；热膨胀补偿薄膜的等效膨胀系数小于衬底的热膨胀系数；热膨胀补偿薄膜包括电介质层和耐高温金属层，电介质层位于所述衬底和耐高温金属层之间。
2.根据权利要求1所述的一种复合衬底，其特征在于：电介质层的厚度范围为0.1um-10um，耐高温金属层的厚度范围为0.01um-1um。
3.根据权利要求1所述的一种复合衬底，其特征在于：所述耐高温金属层的金属熔点大于1200℃。
4.根据权利要求1所述的一种复合衬底，其特征在于：所述耐高温金属层的金属为钨、铼、钼中的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文必，房育涛，林云昊，张建，刘超，张恺玄，杨健，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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