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本实用新型公开了一种复合衬底，包括衬底，以及位于所述衬底背面的热膨胀补偿薄膜；热膨胀补偿薄膜的等效膨胀系数小于衬底的热膨胀系数；热膨胀补偿薄膜包括电介质层和耐高温金属层，电介质层位于所述衬底和耐高温金属层之间。本实用新型避免了化合物半导体高...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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