基于模拟方式获得外延平坦度的方法技术

本发明专利技术提供一种基于模拟方式获得外延平坦度的方法，包括：1）提供第一衬底，在预设参数条件下，于第一衬底上生长外延层；2）测量外延层的第一实际厚度，并对外延层进行模拟以获得外延层外延模拟厚度；3）提供第二衬底，测量第二衬底的第二实际厚度，并对第二衬底进行模拟以获得第二衬底的衬底模拟厚度；以及4）将外延模拟厚度与衬底模拟厚度进行叠加以获得模拟叠加厚度，对模拟叠加厚度进行平坦度参数计算，获得在预设参数条件下生长的外延层的平坦度预测参数。本发明专利技术通过模拟方式直接预测衬底外延后平坦度的优劣，从而可以对外延片衬底进行筛选，提高外延片平坦度性能与良率，同时可节省外延使用机时、减少晶片消耗以及外延设备损耗。

A method of obtaining epitaxial Flatness Based on Simulation

【技术实现步骤摘要】
基于模拟方式获得外延平坦度的方法
本专利技术属于半导体制造领域及器件模拟领域，特别是涉及一种基于模拟方式获得外延平坦度的方法。
技术介绍
外延生长是在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层的方法。外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻。生长外延层有多种方法，但采用最多的是气相外延工艺，常使用高频感应炉加热，衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上，然后放进石英反应器中，也可采用红外辐照加热。为了克服外延工艺中的某些缺点，外延生长工艺已有很多新的进展：减压外延、低温外延、选择外延、抑制外延和分子束外延等。外延生长可分为多种，按照衬底和外延层的化学成分不同，可分为同质外延和异质外延；按照反应机理可分为利用化学反应的外延生长和利用物理反应的外延生长；按生长过程中的相变方式可分为气相外延、液相外延和固相外延等。现有的外延片的生长通常采用化学气相沉积方法，其在抛光硅晶圆上再生长一层单晶硅薄膜，实现对硅晶圆表面质量以及导电性能的改善调控。外延片表面平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于模拟方式获得外延平坦度的方法，其特征在于，所述方法包括：/n1)提供第一衬底，在预设参数条件下，于所述第一衬底上生长外延层；/n2)测量所述外延层的第一实际厚度，并对所述外延层进行模拟以获得所述外延层外延模拟厚度；/n3)提供第二衬底，测量所述第二衬底的第二实际厚度，并对所述第二衬底进行模拟以获得所述第二衬底的衬底模拟厚度；以及/n4)将所述外延模拟厚度与所述衬底模拟厚度进行叠加以获得模拟叠加厚度，对所述模拟叠加厚度进行平坦度参数计算，获得在所述预设参数条件下生长的外延层的平坦度预测参数。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于模拟方式获得外延平坦度的方法，其特征在于，所述方法包括：
1)提供第一衬底，在预设参数条件下，于所述第一衬底上生长外延层；
2)测量所述外延层的第一实际厚度，并对所述外延层进行模拟以获得所述外延层外延模拟厚度；
3)提供第二衬底，测量所述第二衬底的第二实际厚度，并对所述第二衬底进行模拟以获得所述第二衬底的衬底模拟厚度；以及
4)将所述外延模拟厚度与所述衬底模拟厚度进行叠加以获得模拟叠加厚度，对所述模拟叠加厚度进行平坦度参数计算，获得在所述预设参数条件下生长的外延层的平坦度预测参数。


2.根据权利要求1所述的基于模拟方式获得外延平坦度的方法，其特征在于：于所述第一衬底上生长外延层的方法包括化学气相沉积法。


3.根据权利要求2所述的基于模拟方式获得外延平坦度的方法，其特征在于：所述预设参数条件包括外延气体源的种类、外延气体源的流量、外延气压、外延温度、外延时间及外延掺杂浓度所组成群组中的一种或多种。


4.根据权利要求1所述的基于模拟方式获得外延平坦度的方法，其特征在于：采用平坦度量测仪测量所述外延层的第一实际厚度及测量所述第二衬底的第二实际厚度。


5.根据权利要求4所述的基于模拟方式获得外延平坦度的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王华杰，曹共柏，林志鑫，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31