一种仿真方法技术

本发明专利技术公开了一种仿真方法，通过在原有的结型场效应管仿真模型基础上增加噪声生成电路，用于模拟所述结型场效应管的噪声。可以完善所述结型场效应管仿真模型在高压偏置条件下的噪声特性，为设计人员提供了可靠的仿真模型。通过屏蔽原有的结型场效应管仿真模型中的寄生电阻的参数，然后在结型场效应管的源端和漏端设置带电压修正系数的寄生电阻，然后分别在所述第六电阻和所述第七电阻上并联设置热噪声信号源，并且在结型场效应管的源端和漏端设置并联的闪烁噪声信号源，从而完善了结型场效应管在高压电压偏置条件下的噪声特性。

A simulation method

【技术实现步骤摘要】
一种仿真方法
本专利技术涉及电路仿真
，尤其是涉及一种仿真方法。
技术介绍
结型场效应管(JFET)是场效应管中一种常见的器件类型，其结构一般是在P型衬底上注入形成N阱，在N阱中再注入形成P阱的器件，P阱与P型衬底分别是JFET的栅极以及背栅，P阱外围相对两端的N阱引出形成JFET的源端和漏端。目前在进行这类器件的设计仿真时，常规业界使用的JFET小信号交流模型，如图1所示，其中gm是JFET的跨导，gds是JFET的电导，ggs是栅端到源端的交流电导，ggd是栅端到漏端的交流电导，cgs和cgd分别是栅端到源端，栅端到漏端的寄生电容，rs是JFET源端的寄生电阻，rd是漏端的寄生电阻。专利CN104346489A提供了一种N型JFET器件的等效电路及仿真方法，通过增加用于描述JFET电刑特征的电阻、电容及电压控制电流源来构建N型JFET的等效电路，利用修正参数建立了JFET的电流与尺寸及电压之间的对应关系式，精确地描述不同尺寸的N型JFET的电性特征参数，提高了仿真的精度和灵活度，缩短产品设计周期，节约成本。专利CN10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种仿真方法，用于在SPICE仿真系统中建立结型场效应管的仿真模型，其特征在于，包括：/nS1：获取所述结型场效应管的仿真模型，所述仿真模型包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电流源以及噪声生成电路，所述第一电容用于模拟所述结型场效应管的栅端到源端的寄生电容，所述第二电容用于模拟所述结型场效应管的栅端到漏端的寄生电容，所述第一电阻用于模拟所述结型场效应管的源端的寄生电阻，所述第二电阻用于模拟所述结型场效应管的漏端的寄生电阻，所述第三电阻用于模拟所述结型场效应管的栅端到源端的交流电导，所述第四电阻用于模拟所述结型场效应管的栅端到漏端的交流电导，所述第...

【技术特征摘要】
1.一种仿真方法，用于在SPICE仿真系统中建立结型场效应管的仿真模型，其特征在于，包括：
S1：获取所述结型场效应管的仿真模型，所述仿真模型包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电流源以及噪声生成电路，所述第一电容用于模拟所述结型场效应管的栅端到源端的寄生电容，所述第二电容用于模拟所述结型场效应管的栅端到漏端的寄生电容，所述第一电阻用于模拟所述结型场效应管的源端的寄生电阻，所述第二电阻用于模拟所述结型场效应管的漏端的寄生电阻，所述第三电阻用于模拟所述结型场效应管的栅端到源端的交流电导，所述第四电阻用于模拟所述结型场效应管的栅端到漏端的交流电导，所述第五电阻用于模拟所述结型场效应管的电导，所述第一电流源用于模拟所述结型场效应管的跨导，所述噪声生成电路用于模拟所述结型场效应管的噪声；
S2：获取所述结型场效应管的仿真参数；
S3：基于所述仿真模型和所述仿真参数进行SPICE仿真。


2.如权利要求1所述的一种仿真方法，其特征在于，所述S1中：所述噪声生成电路包括第一噪声电流源，所述第一噪声电流源并联连接在所述结型场效应管的源端和漏端上，并用于模拟所述结型场效应管的沟道的噪声。


3.如权利要求2所述的一种仿真方法，其特征在于，所述噪声生成电路还包括第二噪声电流源以及带有电压偏置效应的第六电阻，所述第二噪声电流源用于模拟所述结型场效应管的源端的寄生电阻的热噪声，所述S1中还包括：屏蔽所述第一电阻的参数，所述第六电阻用于替代所述第一电阻。


4.如权利要求3所述的一种仿真方法，其特征在于，所述噪声生成电路还包括第三噪声电流源以及带有电压偏置效应的第七电阻，所述第三噪声电流源用于模拟所述结型场效应管的漏端的寄生电阻的热噪声，所述S1中还包括：屏蔽所述第二电阻的参数，所述第七电阻用于替代所述第二电阻。


5.如权利要求4所述的一种仿真方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正楠，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31