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本发明公开了一种仿真方法，通过在原有的结型场效应管仿真模型基础上增加噪声生成电路，用于模拟所述结型场效应管的噪声。可以完善所述结型场效应管仿真模型在高压偏置条件下的噪声特性，为设计人员提供了可靠的仿真模型。通过屏蔽原有的结型场效应管仿真模型...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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