晶片支撑台制造技术

晶片支撑台(20)具备陶瓷基体(21)和杆(32)。陶瓷基体(21)具有晶片载置面(21a)，且从晶片载置面(21a)侧依次埋设有RF电极(22)和加热电极(27)。在陶瓷基体(21)上以从背面(21b)朝向RF电极(22)的方式设置有孔(21c)。杆(32)为Ni制或铁镍钴合金制，并与露出于孔(21c)的底面的平板(23)接合，向RF电极(22)供给高频电力。在杆(32)的外周面中的从基端部(32a)直到预定位置(32c)的区域设置有Au薄膜(34)。

Wafer support

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片支撑台
本专利技术涉及晶片支撑台。
技术介绍
作为在对晶片进行等离子体CVD成膜处理、等离子体蚀刻处理等时使用的晶片支撑台，已知在陶瓷基体埋设高频电极(RF电极)并利用该RF电极产生等离子体的晶片支撑台。例如，在专利文献1中公开的晶片支撑台中，用于插入向RF电极引导电力的Ni制的杆的孔以朝向RF电极的方式形成于陶瓷板的背面。在该孔的底面露出有与RF电极连接的金属制的导电性部件，其与插入孔中的杆通过钎焊并以能导通的方式接合。并且，该杆连接高频电源，向RF电极供给电力。另外，在陶瓷基体中也埋设有用于对晶片进行加热的加热电极。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-130609号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，在上述的晶片支撑台中，在对加热电极通电来将晶片的温度加热至预先设定的温度(例如450℃-550℃)时，存在晶片中的与RF电极连接的杆的正上方部分的温度成为异常高温的情况。这样，若在晶片中存在异常高温的部分，则存在如下问题：在对晶片实施的等离子体处理中产生不均。本专利技术是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于：以低成本防止晶片中的与RF电极连接的杆的正上方部分的温度成为异常高温。用于解决课题的方案本专利技术的晶片支撑台具备：陶瓷基体，该陶瓷基体具有晶片载置面，且从上述晶片载置面侧依次埋设有RF电极和加热电极；孔，该孔从上述陶瓷基体的与上述晶片载置面相反侧的面朝向上述RF电极地设置；r>Ni制或铁镍钴合金制的杆，该杆与露出于上述孔的底面的上述RF电极或者与和上述RF电极连接的导电性部件接合，向上述RF电极供给高频电力；以及铜族元素薄膜，该铜族元素薄膜设于上述杆的外周面中的从上述杆的基端部直到未插入上述孔中的预定位置的区域。在该晶片支撑台中，为了向RF电极供给高频电力而使用Ni制或铁镍钴合金制的杆。若对这样的杆施加高频电力，则在不足居里点(Ni为约354℃，铁镍钴合金为约435℃)的情况下，由于阻抗较大而成为高温，在居里点以上的情况下，由于阻抗较小而不易成为高温。如上述，晶片中的杆的正上方部分的温度会异常高，可认为是由于杆整体成为高温，所以从陶瓷基体经由杆而散出的热少于设想。在本专利技术的晶片支撑台中，在杆的外周面中的从杆的基端部直到未插入孔中的预定位置的区域也就是离陶瓷基体较远的区域，设有铜族元素薄膜。在该情况下，由于铜族元素(Cu、Ag或Au)的阻抗较小，而且因表皮效应高频通过铜族元素薄膜，因此，设置有铜族元素薄膜的部分(离陶瓷基体较远的部分)不易成为高温，不会妨碍陶瓷基体的散热。另一方面，杆的插入孔中的部分接近加热电极而成为高温，所以原本对陶瓷基体的散热几乎没有贡献。因此，在该部分设置铜族元素薄膜在经济上是不利的。因此，根据本专利技术的晶片支撑台，能够以低成本防止晶片中的与RF电极连接的杆的正上方部分的温度成为异常高温。在本专利技术的晶片支撑台中，上述铜族元素薄膜的厚度优选为3μm以上6μm以下。若铜族元素薄膜的厚度为3μm以上，则能够使对杆施加高频电力时的阻抗足够小。另一方面，即使金属膜的厚度超过6μm，对杆施加高频电力时的阻抗与厚度为6μm时相比几乎不变，因此，若考虑经济性，则优选为6μm以下。在本专利技术的晶片支撑台中，可以是上述预定位置以如下方式来确定：使用未设置上述铜族元素薄膜的上述杆来代替设置有上述铜族元素薄膜的上述杆，在将上述加热电极的温度设为Ts[℃]，其中，Ts超过上述杆的材质的居里点，将上述杆的长度设为L[cm]，将上述杆的两端部的温度差设为ΔT[℃]，将上述杆的从前端部直到上述预定位置的长度设为x[cm]，将上述杆的上述预定位置的温度设为T(x)[℃]时，使以T(x)＝Ts-(ΔT/L)*x表示的T(x)成为上述杆的材质的居里点以下。如此确定的预定位置与杆的基端部之间的区域的杆的阻抗较大，所以容易成为高温。因此，在这样的区域设置铜族元素薄膜的意义较大，而在除此以外的区域设置铜族元素薄膜的意义较小。附图说明图1是表示等离子体产生装置10的概要结构的立体图。图2是图1的A-A剖视图。图3是图1的B-B剖视图。图4是预定位置32c的设定方法的说明图。图5是表示镀层厚度与阻抗的关系的图表。图6是具备RF端子130的晶片支撑台120的剖视图。图7是具备套筒25的杆接合部的放大剖视图。具体实施方式下面，关于本专利技术的优选实施方式，一边参照附图一边进行说明。图1是等离子体产生装置10的立体图，图2是图1的A-A剖视图，图3是图1的B-B剖视图。如图1所示，等离子体产生装置10具备晶片支撑台20和上部电极50。晶片支撑台20用于对利用等离子体进行CVD、蚀刻等的晶片W进行支撑并加热，且安装在未图示的半导体工艺用的腔室的内部。该晶片支撑台20具备陶瓷基体21和中空的陶瓷轴29。陶瓷基体21是陶瓷制(这里为氮化铝制)的圆板状部件。该陶瓷基体21具备能载置晶片W的晶片载置面21a。在陶瓷基体21的与晶片载置面21a相反侧的面(背面)21b的中央接合有陶瓷轴29。如图2所示，RF电极22与加热电极27以彼此分离的状态埋设于陶瓷基体21。RF电极22和加热电极27与晶片载置面21a平行(包括实质上平行的情况，以下相同)，且从接近晶片载置面21a的方向依次埋设。陶瓷基体21具有从背面21b朝向RF电极22设置的孔21c。在孔21c的底面露出有与RF电极22连接的导电性部件亦即平板23。RF电极22是直径比陶瓷基体21稍小的圆盘状的薄层电极，并以网眼状形成，该网眼状是将以Mo为主成分的细金属线编织成网状并制造成片状而成。在RF电极22的中央附近电连接有圆盘状的平板23。平板23露出于开设在陶瓷基体21的背面21b上的孔21c的底面。平板23的材质为与RF电极22相同的Mo。加热电极27是在陶瓷基体21的整面以一笔划完成的要领将以Mo为主成分的线圈进行布线而成。在该加热电极27的两端部27a、27b(参见图3)分别连接有加热端子棒(未图示)。这些加热端子棒通过陶瓷轴29的中空内部而连接至外部电源(未图示)。使RF电极22、平板23以及加热电极27的材质为Mo是因为其热膨胀系数与陶瓷基体21的材质(这里为AIN)接近，在制造陶瓷基体21时不易产生裂纹。即使RF电极22、平板23以及加热电极27是Mo以外的材质，只要是热膨胀系数与AIN接近的导电性材料，则能够使用。此外，在陶瓷基体21的背面21b的被陶瓷轴29包围的区域，插入有用于检测陶瓷基体21的温度的热电偶(未图示)。陶瓷轴29是由与陶瓷基体21相同的陶瓷构成的圆筒状部件。陶瓷轴29的上部端面通过扩散接合、TCB(Thermalcompressionbonding、热压接合)与陶瓷基体21的背面21b接合。TCB是指将金属接合材料夹在接合对象的两个部件之间并在加热至金属接合材料的固相线温度以下的温度的状态下对两个部件进行加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片支撑台，其特征在于，具备：/n陶瓷基体，该陶瓷基体具有晶片载置面，且从上述晶片载置面侧依次埋设有RF电极和加热电极；/n孔，该孔从上述陶瓷基体的与上述晶片载置面相反侧的面朝向上述RF电极地设置；/nNi制或铁镍钴合金制的杆，该杆与露出于上述孔的底面的上述RF电极或者与和上述RF电极连接的导电性部件接合，向上述RF电极供给高频电力；以及/n铜族元素薄膜，该铜族元素薄膜设于上述杆的外周面中的从上述杆的基端部直到未插入上述孔中的预定位置的区域。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180427 JP 2018-0867801.一种晶片支撑台，其特征在于，具备：
陶瓷基体，该陶瓷基体具有晶片载置面，且从上述晶片载置面侧依次埋设有RF电极和加热电极；
孔，该孔从上述陶瓷基体的与上述晶片载置面相反侧的面朝向上述RF电极地设置；
Ni制或铁镍钴合金制的杆，该杆与露出于上述孔的底面的上述RF电极或者与和上述RF电极连接的导电性部件接合，向上述RF电极供给高频电力；以及
铜族元素薄膜，该铜族元素薄膜设于上述杆的外周面中的从上述杆的基端部直到未插入上述孔中的预定位置的区域。


2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥朋大，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP