【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】石墨烯转移方法相关申请的交叉引用本申请宣称于2017年7月10日提交的美国临时申请62/530,292和于2017年12月18日提交的美国临时申请62/708,614的权益，这两项临时申请的内容通过引用整体并入本文。
本公开内容总体上涉及一种用于将石墨烯转移至基材，诸如聚合物基材或任意基材，的转移方法。更具体地，本文提供了一种在聚合物基材上制造一层或多层石墨烯层的方法，该方法利用了石墨烯层和聚合物基材之间的范德华相互作用，从而能够将石墨烯层直接转移到聚合物基材上而不需要使用中间转移基材，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。还提供了一种利用石油中间转移层将一层或多层石墨烯转移到任意目标基材上的改进方法。
技术介绍
自从2004年开发了用于制备单层石墨烯的机械剥离方法以来，大量研究集中在如何开发制备高质量大面积石墨烯。在这些方法中，化学气相沉积(CVD)已成为制备高质量石墨烯的最有前途和最常用的方法。通过CVD制备的石墨烯，通常在诸如铂，钴，镍或铜的金属基材上产生。在许多情况下，然后必须将石墨烯从金属基材上...
【技术保护点】
1.一种用于将石墨烯层转移到聚合物基材上的方法，包括：/na.在基材上提供石墨烯层；/nb.使所述石墨烯层与所述聚合物基材接触，从而形成夹层结构；/nc.将溶剂施加到所述夹层结构上；/nd.从所述夹层结构中去除所述溶剂，以及/ne.移除所述基材。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170710 US 62/530,292;20171218 US 62/708,6141.一种用于将石墨烯层转移到聚合物基材上的方法，包括：
a.在基材上提供石墨烯层；
b.使所述石墨烯层与所述聚合物基材接触，从而形成夹层结构；
c.将溶剂施加到所述夹层结构上；
d.从所述夹层结构中去除所述溶剂，以及
e.移除所述基材。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述夹层结构中去除溶剂的步骤引起在所述石墨烯与所述聚合物基材之间形成范德华相互作用，所述范德华相互作用具有足够的力以将所述石墨烯粘附至所述聚合物基材。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述石墨烯和所述聚合物基材间隔约0.6nm至约1nm的平均距离。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基材包括铂、钴、镍或铜。
5.根据权利要求1的方法，其中将所述溶剂施加到所述夹层结构的步骤包括将所述溶剂施加到所述聚合物基材的表面。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物基材包括平均直径大于约1nm的孔。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物基材的平均厚度小于400nm。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述所述聚合物基材包括超高分子量聚乙烯(UHMWPE)。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述UHMWPE具有约100万至约700万amu的平均分子量。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述UHMWPE是单轴或双轴取向的UHMWPE。
11.根据权利要求1的方法，其中所述溶剂选自由以下组成的组：酮、醇、酯、醚、烷基卤化物、烷烃、芳基及其组合。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物基材是UHMWPE，并且所述方法包括：
a.在铜基材上提供石墨烯层；
b.使所述石墨烯层与所述UHMWPE基材接触，从而形成夹层结构，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：高平，赵天寿，李润莱，李津，顾其傲，张清华，
申请(专利权)人：香港科技大学，
类型：发明
国别省市：中国香港;81
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