一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法，属于材料技术领域。本发明专利技术在钛酸锶基片表面沉积或粘贴P型材料，利用光刻技术将P型材料表面的部分面积用光刻胶覆盖，用离子束将未被光刻胶覆盖的P型材料全部刻蚀掉后，再经刻蚀钛酸锶衬底使其表面形成钛酸锶表面电子气，最后用丙酮、酒精、去离子水去除光刻胶后，即可获得钛酸锶表面电子气与P型材料的PN结。本发明专利技术提供了一种简易、普适性的方法用于构建钛酸锶表面电子气与P型材料的PN结。

A preparation method of electron gas PN junction on the surface of strontium titanate

【技术实现步骤摘要】
一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法
本专利技术涉及材料领域，尤其涉及电子气PN结的构建。
技术介绍
铝酸镧（LaAlO3，LAO）与钛酸锶（SrTiO3，STO）均为钙钛矿结构的绝缘金属氧化物。自2004年，研究人员在LAO/STO异质结界面诱发出高浓度的自由二维电子气以来，基于单晶STO衬底的电子气研究吸引着广大科研人员的目光。科研人员还发现被离子束轰击后的单晶STO表层会出现氧空位进而形成导电薄层，可称之为STO表面电子气（STOsurfaceelectrongas，SSEG），SSEG与LAO/STO界面电子气具有许多相似的物理特性，如正磁电阻、持续光电导效应等。此外，很多证据表明STO的表层氧空位在LAO/STO界面产生电子气中扮演着重要角色。尽管基于STO单晶衬底的界面电子气已被广泛研究，但它作为电子导电体系（N型），可与P型材料（P-typematerial,PM）结合构成PN结的研究，却未见报道。一个主要的难点在于基于单晶STO衬底的界面电子气总是隐藏于界面中，很难与其它材料实现直接接触。专利
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法，其特征在于包括如下步骤：/n（1）以单晶钛酸锶为衬底，采用物理或化学方法将P型材料PM沉积或粘贴于衬底上；/n（2）在衬底一侧采用光刻工艺覆盖光刻胶，光刻胶覆盖面积占衬底PM表面面积的1/2～2/3，衬底另一侧的其余面积呈PM表面暴露状态；/n（3）采用离子束刻蚀工艺将暴露的PM全部刻蚀后，再刻蚀钛酸锶衬底直至表面形成钛酸锶表面电子气SSEG；/n（4）依次用丙酮、酒精、去离子水清洗后，得到PM与SSEG的钛酸锶表面电子气PN结。/n

【技术特征摘要】
1.一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）以单晶钛酸锶为衬底，采用物理或化学方法将P型材料PM沉积或粘贴于衬底上；
（2）在衬底一侧采用光刻工艺覆盖光刻胶，光刻胶覆盖面积占衬底PM表面面积的1/2～2/...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜昱丞，贺安鹏，
申请(专利权)人：苏州科技大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32