等离子体生成装置，包括该装置的基板处理装置，以及等离子体生成装置的控制方法制造方法及图纸

一种基板处理装置包括：腔室，腔室中具有在其中处理基板的空间；支承腔室中的基板的支承单元；将气体供应到腔室中的气体供应单元；以及将腔室中的气体激发至等离子体状态的等离子体生成单元。等离子体生成单元包括：高频电源；连接至高频电源的一端的第一天线；与第一天线并联连接的第二天线；以及将电流分配至第一天线和第二天线的分流器。分流器包括：设置在第一天线和第二天线之间的第一电容器；与第二天线并联连接的第二电容器；以及与第二天线串联连接的第三电容器。第二电容器和第三电容器用可变电容器来实施。

The plasma generating device includes a substrate processing device of the device and a control method of the plasma generating device

【技术实现步骤摘要】
等离子体生成装置，包括该装置的基板处理装置，以及等离子体生成装置的控制方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月7日提交韩国工业产权局、申请号为10-2018-0091736的韩国专利申请以及于2019年3月28日提交韩国工业产权局、申请号为10-2019-0035804的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本文中所述的本专利技术构思的实施方案涉及等离子体生成装置、包括该装置的基板处理装置、以及等离子体生成装置的控制方法，更具体地，涉及用于使用多个天线生成等离子体的等离子体生成装置、包括该等离子体生成装置的基板处理装置、以及该等离子体生成装置的控制方法。
技术介绍
半导体制造工艺可包括使用等离子体处理基板的工艺。例如，在半导体制造工艺中，蚀刻工艺可以使用等离子体去除基板上的薄膜。为了在基板处理工艺中使用等离子体，在工艺腔室中安装用于生成等离子体的等离子体生成单元。根据生成等离子体的方法，等离子体生成单元大致分为电容耦合等离子体(CCP)型源和电感耦合等离子体(ICP)型源。CCP本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n腔室，所述腔室中具有在其中处理基板的空间；/n支承单元，其配置为支承所述腔室中的所述基板；/n气体供应单元，其配置为将气体供应到所述腔室中；和/n等离子体生成单元，其配置为将所述腔室中的所述气体激发至等离子体状态，/n其中，所述等离子体生成单元包括：/n高频电源；/n第一天线，其连接至所述高频电源的一端；/n第二天线，其与所述第一天线并联连接；和/n分流器，其配置为将电流分配至所述第一天线和所述第二天线，/n其中，所述分流器包括：/n第一电容器，其连接在所述第一天线和所述第二天线之间；/n第二电容器，其与所述第二天线并联连接；和/n第三电容器，其与...

【技术特征摘要】
20180807 KR 10-2018-0091736;20190328 KR 10-2019-001.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
腔室，所述腔室中具有在其中处理基板的空间；
支承单元，其配置为支承所述腔室中的所述基板；
气体供应单元，其配置为将气体供应到所述腔室中；和
等离子体生成单元，其配置为将所述腔室中的所述气体激发至等离子体状态，
其中，所述等离子体生成单元包括：
高频电源；
第一天线，其连接至所述高频电源的一端；
第二天线，其与所述第一天线并联连接；和
分流器，其配置为将电流分配至所述第一天线和所述第二天线，
其中，所述分流器包括：
第一电容器，其连接在所述第一天线和所述第二天线之间；
第二电容器，其与所述第二天线并联连接；和
第三电容器，其与所述第二天线串联连接，并且
其中，所述第二电容器和所述第三电容器用可变电容器来实施。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电容器用恒定电容器来实施，并且
其中，所述分流器连接在所述高频电源与所述第一和第二天线之间。


3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述分流器通过调整所述第二电容器和所述第三电容器的电容来将所述电流分配至所述第一天线和所述第二天线。


4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述分流器通过调整所述第二电容器的电容来调整所述第二天线的谐振。


5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述分流器通过调整所述第三电容器的电容来控制流过所述第一天线和所述第二天线的电流的电流比。


6.根据权利要求4所述的装置，其中，所述分流器通过调整所述第二电容器的电容来控制所述谐振被包括在预设范围中，并且通过在所述第三电容器的电容与所述第二电容器的电容之比小于对应于所述谐振的值的范围中调整所述第三电容器的电容来控制流过所述第一天线和所述第二天线的电流的电流比。


7.根据权利要求4所述的装置，其中，所述分流器基于所述腔室中的等离子体密度调整所述第二电容器的电容，并且调整所述第三电容器的电容以在所述基板上执行蚀刻工艺。


8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述分流器在所述第三电容器的电容与所述第二电容器的电容之比小于对应于所述谐振的值的范围中调整所述第三电容器的电容。


9.根据权利要求4所述的装置，其中，所述分流器通过根据所述腔室中执行的工艺调整所述第二电容器的电容来控制所述谐振被包括在对应于所述腔室中执行的所述工艺的范围中。


10.根据权利要求3所述的装置，其中，所述分流器通过调整所述第二电容器的电容和所述第三电容器的电容来控制所述基板的边缘区域上的蚀刻速率。


11.一种用于在执行处理基板的工艺的腔室中生成等离子体的装置，所述装置包括：
高频电源；
第一天线，其连接至所述高频电源的一端；
第二天线，其与所述第一天线并联连接；和
分流器，其配置为将电流分配至所述第一天线和所述第二天线，
其中，所述分流器包括：
第一电容器，其连接在所述第一天线和所述第二天线之间；
第二电容器，其与所述第二天线并联连接；和
第三电容器，其与所述第二天线串...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥格森·加尔斯蒂安，金荣斌，具滋明，安宗焕，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR