一种双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺，包括溅镀载板、ITO溅镀层、铜铂贴合层、电容电极，其特征在于：所述双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺还包括以下步骤：步骤一真空溅镀、步骤二贴合铜铂、步骤三双面蚀刻制程、步骤四设置传感器电路。本发明专利技术采用真空溅镀设置ITO镀层，再在一侧的ITO镀层上辊压贴合设置铜铂金属层的结构，再采用双面制程蚀刻工艺对铜铂层和ITO镀层进行蚀刻，真空溅镀工艺实现真空度要求低，所述ITO溅镀层均匀平整，薄且透光性好，镀层粘着力高，镀层孔隙度小，制程良率和制程可控度高。克服了现有技术的不足。

Manufacturing technology of a kind of capacitance touch sensor with double-sided process splash coating

【技术实现步骤摘要】
一种双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺
本专利技术涉及一种触控屏
，尤其涉及一种双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺。
技术介绍
现有技术的双面制程电容触控传感器的制作工艺采用蒸镀设置ITO镀层，再在一侧的ITO镀层上蒸镀设置金属镀层的结构，再采用双面制程蚀刻工艺对金属镀层和ITO镀层进行蚀刻，造成ITO镀层和金属镀层的厚度不均匀，镀层粘着力低，真空度要求高，镀层孔隙度大，制程良率和制程可控度低。本专利技术采用真空溅镀设置ITO镀层，再在一侧的ITO镀层上辊压贴合设置铜铂金属层的结构，再采用双面制程蚀刻工艺对铜铂层和ITO镀层进行蚀刻，真空溅镀工艺实现真空度要求低，所述ITO溅镀层均匀平整，薄且透光性好，镀层粘着力高，镀层孔隙度小，制程良率和制程可控度高。克服了现有技术的不足。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺，合理地解决了现有技术的双面制程电容触控传感器的制作工艺ITO镀层和金属镀层的厚度不均匀，镀层粘着力低，真空度要求高，镀层孔隙度大，污染环境，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺，包括溅镀载板、ITO溅镀层、铜铂贴合层、电容电极，其特征在于：/n所述双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺采用在所述溅镀载板两侧面分别设有ITO溅镀层，再在一侧的所述ITO溅镀层衔接设有铜铂贴合层，然后采用双面制程工艺首先对所述铜铂贴合层采用光学蚀刻设置出第一层若干电容电极，再对相邻的所述ITO溅镀层采用光学蚀刻设置出第二层若干电容电极，最后对所述溅镀载板设有的单层ITO溅镀层采用光学蚀刻设置出第三层若干电容电极，组成多层水平和垂直的电容电极，构成所述一种双面制程溅镀膜电容触控传感器；/n所述双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺还包括以下步骤...

【技术特征摘要】
1.一种双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺，包括溅镀载板、ITO溅镀层、铜铂贴合层、电容电极，其特征在于：
所述双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺采用在所述溅镀载板两侧面分别设有ITO溅镀层，再在一侧的所述ITO溅镀层衔接设有铜铂贴合层，然后采用双面制程工艺首先对所述铜铂贴合层采用光学蚀刻设置出第一层若干电容电极，再对相邻的所述ITO溅镀层采用光学蚀刻设置出第二层若干电容电极，最后对所述溅镀载板设有的单层ITO溅镀层采用光学蚀刻设置出第三层若干电容电极，组成多层水平和垂直的电容电极，构成所述一种双面制程溅镀膜电容触控传感器；
所述双面制程溅镀膜电容触控传感器的制作工艺还包括以下步骤：
步骤一、真空溅镀：将所述溅镀载...

【专利技术属性】
技术研发人员：林行，葛健国，吕育仁，范小荣，朱育民，庄胜智，
申请(专利权)人：无锡变格新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32