一种触控屏底膜溅镀工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种触控屏底膜溅镀工艺，包括触控屏底膜、氩气、永磁体、靶材、冷却水、正电极、镀膜、负电极、真空镀室，其特征在于：本发明专利技术采用在真空镀室的上部平整设置触控屏底膜作为正电极，下部设置永磁体和冷却水，所述永磁体的上面设置靶材作为负电极构成正交电磁场，高真空状态注入氩气形成低真空环境下的光辉放电，电离且加速氩气的氩离子撞击所述靶材的原子逸出，在电磁场的加速下垒积在所述触控屏底膜的表面形成镀膜。实现被镀工料范围广，适应金属或非金属镀件与金属或非金属镀靶材的交互溅镀，镀层均匀性好，镀层粘附度高，镀层厚度具有可控性。克服了现有技术的不足。

A splashing process of touch screen bottom film

【技术实现步骤摘要】
一种触控屏底膜溅镀工艺
本专利技术涉及一种触控屏
，尤其涉及一种触控屏底膜溅镀工艺。
技术介绍
现有技术的镀膜工艺采用电解液电镀或真空蒸镀，这两种方法适应的被镀工料范围小，镀层均匀性差，镀层粘附度低。本专利技术采用在真空镀室的上部平整设置触控屏底膜作为正电极，下部设置永磁体和冷却水，所述永磁体的上面设置靶材作为负电极构成正交电磁场，高真空状态注入氩气形成低真空环境下的光辉放电，电离且加速氩气的氩离子撞击所述靶材的原子逸出，在电磁场的加速下垒积在所述触控屏底膜的表面形成镀膜。实现被镀工料范围广，适应金属或非金属镀件与金属或非金属镀靶材的交互溅镀，镀层均匀性好，镀层粘附度高，镀层厚度具有可控性。克服了现有技术的不足。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种触控屏底膜溅镀工艺，合理地解决了现有技术的镀膜工艺采用电解液电镀或真空蒸镀，这两种方法适应的被镀工料范围小，镀层均匀性差，镀层粘附度低的问题。本专利技术采用如下技术方案：一种触控屏底膜溅镀工艺，包括触控屏底膜、氩气、永磁体、靶材、冷却水、正电极、镀膜、负电极、真空镀室，其特征在于：所述溅镀工艺采用在真空镀室的上部平整设置触控屏底膜作为正电极，下部设置永磁体和冷却水，所述永磁体的上面设置靶材作为负电极构成正交电磁场，先将所述真空镀室设置为1.3×10-3Pa的高真空，再注入氩气设置为1×10-1Pa的低真空，再采用光辉放电电离且加速氩气的氩离子撞击所述靶材的原子逸出，在电磁场的加速下垒积在所述触控屏底膜的表面形成镀膜；所述溅镀工艺还包括以下步骤：步骤一、超声清洗：采用超声清洗预镀触控屏底膜，步骤二、烘干：对超声清洗的预镀触控屏底膜进行烘干,步骤三、上料：将所述预镀触控屏底膜安装在所述真空镀室的正电极上，步骤四、溅镀：启动光辉放电，在采用200万伏启动电压上下调试至正常光辉放电完成溅镀，步骤五、下料检验，构成所述一种触控屏底膜溅镀工艺。进一步地，所述触控屏底膜包括但不限于PC膜、PET膜、TAC膜、透明干膜、PMMA膜。进一步地，所述靶材包括但不限于ITO、铜、铝、铟、锡、金属、合金金属。本专利技术的有益技术效果是:本专利技术公开了一种触控屏底膜溅镀工艺，合理地解决了现有技术的镀膜工艺采用电解液电镀或真空蒸镀，这两种方法适应的被镀工料范围小，镀层均匀性差，镀层粘附度低的问题。本专利技术采用在真空镀室的上部平整设置触控屏底膜作为正电极，下部设置永磁体和冷却水，所述永磁体的上面设置靶材作为负电极构成正交电磁场，高真空状态注入氩气形成低真空环境下的光辉放电，电离且加速氩气的氩离子撞击所述靶材的原子逸出，在电磁场的加速下垒积在所述触控屏底膜的表面形成镀膜。实现被镀工料范围广，适应金属或非金属镀件与金属或非金属镀靶材的交互溅镀，镀层均匀性好，镀层粘附度高，镀层厚度具有可控性。克服了现有技术的不足。附图说明图1是本专利技术整体结构示意图。图中所示：1-触控屏底膜、2-氩气、3-永磁体4-靶材、5-冷却水、6-正电极、7-负电极、8-真空镀室、9-镀膜。具体实施方式通过下面对实施例的描述，将更加有助于公众理解本专利技术，但不能也不应当将申请人所给出的具体的实施例视为对本专利技术技术方案的限制，任何对部件或技术特征的定义进行改变和/或对整体结构作形式的而非实质的变换都应视为本专利技术的技术方案所限定的保护范围。实施例:如图1所示的一种触控屏底膜溅镀工艺，包括触控屏底膜1、氩气2、永磁体3、靶材4、冷却水5、正电极6、负电极7、真空镀室8、镀膜9。所述溅镀工艺采用在真空镀室8的上部平整设置触控屏底膜1作为正电极6，下部设置永磁体3和冷却水5，所述永磁体3的上面设置靶材4作为负电极7构成正交电磁场，先将所述真空镀室8设置为1.3×10-3Pa的高真空，再注入氩气2设置为1×10-1Pa的低真空，再采用光辉放电电离且加速氩气2的氩离子撞击所述靶材4的原子逸出，在电磁场的加速下垒积在所述触控屏底膜1的表面形成镀膜9所述溅镀工艺还包括以下步骤：步骤一、超声清洗：采用超声清洗预镀触控屏底膜，步骤二、烘干：对超声清洗的预镀触控屏底膜进行烘干,步骤三、上料：将所述预镀触控屏底膜安装在所述真空镀室的正电极上，步骤四、溅镀：启动光辉放电，在采用200万伏启动电压上下调试至正常光辉放电完成溅镀，步骤五、下料检验，构成所述一种触控屏底膜溅镀工艺。进一步地，所述触控屏底膜包括但不限于PC膜、PET膜、TAC膜、透明干膜、PMMA膜。进一步地，所述靶材包括但不限于ITO、铜、铝、铟、锡、金属、合金金属。完成所述一种触控屏底膜溅镀工艺的实施。当然，本专利技术还可以有其他多种实施例，在不背离本专利技术精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可以根据本专利技术做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本专利技术所附的权利要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触控屏底膜溅镀工艺，包括触控屏底膜、氩气、永磁体、靶材、冷却水、正电极、镀膜、负电极、真空镀室，其特征在于：/n所述溅镀工艺采用在真空镀室的上部平整设置触控屏底膜作为正电极，下部设置永磁体和冷却水，所述永磁体的上面设置靶材作为负电极构成正交电磁场，先将所述真空镀室设置为1.3×10

【技术特征摘要】
1.一种触控屏底膜溅镀工艺，包括触控屏底膜、氩气、永磁体、靶材、冷却水、正电极、镀膜、负电极、真空镀室，其特征在于：
所述溅镀工艺采用在真空镀室的上部平整设置触控屏底膜作为正电极，下部设置永磁体和冷却水，所述永磁体的上面设置靶材作为负电极构成正交电磁场，先将所述真空镀室设置为1.3×10-3Pa的高真空，再注入氩气设置为1×10-1Pa的低真空，再采用光辉放电电离且加速氩气的氩离子撞击所述靶材的原子逸出，在电磁场的加速下垒积在所述触控屏底膜的表面形成镀膜；
所述溅镀工艺还包括以下步骤：
步骤一、超声清洗：采用超声清洗预镀触控屏底膜，
步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：林行，葛健国，吕育仁，范小荣，朱育民，庄胜智，
申请(专利权)人：无锡变格新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32