基于氩氦的涂覆制造技术

公开了基于氩氦的涂覆。溅射系统可以包括基底。溅射系统可以包括至少一个靶。至少一个靶可以包括至少一种涂覆材料，以将至少一层涂覆到基底上。至少一种涂覆材料可以在惰性气体存在下溅射到基底上。惰性气体可以包括氩气和氦气。

Argon helium based coating

【技术实现步骤摘要】
基于氩氦的涂覆
本申请涉及但不限于基于氩氦的涂覆。
技术介绍
涂覆系统可用于用特定材料涂覆基底。例如，脉冲直流(DC)磁控溅射系统可以用于薄膜层、厚膜层等的沉积。基于对一组层的沉积，可以形成光学元件。例如，薄膜可用于形成滤波器，例如光学干涉滤波器。在一些情况下，光学元件可以与在特定波长的光下提供特定功能相关联。例如，光学干涉滤波器可以用于近红外(NIR)范围的光、中红外(MIR)范围的光等。在一示例中，光学发射器可以发射指向物体的NIR光。在这种情况下，对于手势识别系统，光学发射器可以向用户发射NIR光，并且NIR光可以从用户向光学接收器反射。光学接收器可以捕获关于NIR光的信息，并且该信息可以用于识别由用户执行的手势。例如，设备可以使用该信息来生成用户的三维表示，并基于该三维表示来识别由用户执行的手势。在另一个示例中，关于NIR光的信息可以用于识别用户的身份、用户的特征(例如，身高或体重)、另一类型目标的特征(例如，到物体的距离、物体的尺寸或物体的形状)等。然而，在NIR光向用户传输期间和/或在从用户向光学接收器反射期间，环境光可能会干扰NIR光。因此，光学接收器可以光学耦合到光学滤波器，例如光学干涉滤波器、带通滤波器等，以允许NIR光朝向光学接收器通过。
技术实现思路
根据一些实施方式，溅射系统可以包括基底。溅射系统可以包括至少一个靶。该至少一个靶可以包括至少一种涂覆材料，以将至少一个层涂覆到基底上。至少一种涂覆材料可以在惰性气体存在下溅射到基底上。惰性气体可以包括氩气和氦气。根据一些实施方式，涂覆系统可以包括真空室。涂覆系统可以包括惰性气体源，以将惰性气体置于真空室中。惰性气体可以包括氩气和氦气的混合物。涂覆系统可以被配置成使用惰性气体源将涂覆材料溅射到基底上。根据一些实施方式，一种方法可以包括通过溅射系统将溅射气体注入溅射系统的腔室中。溅射气体可以是氩气和氦气的混合物。该方法可以包括基于将溅射气体注入溅射系统的腔室中而通过溅射系统将至少一种涂覆材料溅射到设置在溅射系统的腔室中的基底上。在下文的一个或更多个实施例中可实现本公开的各方面：1)一种溅射系统，包括：基底；以及至少一个靶，其中所述至少一个靶包括至少一种涂覆材料以将至少一个层涂覆到所述基底上，其中所述至少一种涂覆材料在惰性气体的存在下溅射到所述基底上，其中所述惰性气体包括氩气和氦气。2)根据1)所述的溅射系统，其中，所述惰性气体与大约1∶1至大约1∶3之间的氩气与氦气的比率相关联。3)根据1)所述的溅射系统，其中，所述惰性气体与15％至55％的氦气相关联。4)根据1)所述的溅射系统，其中，所述至少一种涂覆材料在用于使所述至少一种涂覆材料氢化的氢气的存在下溅射到所述基底上。5)根据4)所述的溅射系统，其中，所述氢气与约8％至约20％的浓度相关联。6)根据1)所述的溅射系统，其中，所述至少一个层包括第一类型材料的第一组层和第二类型材料的第二组层。7)根据1)所述的溅射系统，其中，所述溅射系统是脉冲直流磁控溅射系统。8)根据1)所述的溅射系统，其中，所述至少一个层的退火后内应力水平小于阈值。9)一种涂覆系统，包括：真空室；和惰性气体源，其用于将惰性气体置于所述真空室中，其中所述惰性气体包括氩气和氦气的混合物，其中所述涂覆系统被配置成使用所述惰性气体源将涂覆材料溅射到基底上。10)根据9)所述的涂覆系统，其中，所述惰性气体源是等离子体活化源或阳极中的至少一种。11)根据9)所述的涂覆系统，还包括：提供所述涂覆材料的涂覆材料源。12)根据11)所述的涂覆系统，其中，所述涂覆材料源是设置在阴极上的靶。13)根据9)所述的涂覆系统，还包括至少一个电源，以使所述惰性气体被置于所述真空室中，从而将所述涂覆材料溅射到所述基底上。14)根据9)所述的涂覆系统，其中，所述涂覆材料包括以下项中的至少一种：硅材料，二氧化硅材料，硅锗材料，或者锗材料。15)根据9)所述的涂覆系统，其中，所述涂覆系统被配置成将所述涂覆材料溅射到所述基底上以形成光学滤波器。16)根据15)所述的涂覆系统，其中，所述光学滤波器与大约700纳米(nm)和2500nm之间或大约2500nm和8000nm之间的通带相关联。17)一种方法，包括：通过溅射系统将溅射气体注入所述溅射系统的腔室中，其中所述溅射气体是氩气和氦气的混合物；和基于将所述溅射气体注入所述溅射系统的腔室中，通过所述溅射系统将至少一种涂覆材料溅射到设置在所述溅射系统的腔室中的基底上。18)根据17)所述的方法，其中，将所述至少一种涂覆材料溅射到所述基底上包括：使用设置在所述溅射系统的腔室中的阳极和阴极将所述至少一种涂覆材料溅射到所述基底上。19)根据17)所述的方法，其中，注入所述溅射气体包括：在氩气流速在约200SCCM和500SCCM之间以及氦气份额在约9％和约60％之间的情况下注入所述溅射气体。20)根据17)所述的方法，其中，所述至少一种涂覆材料被溅射到所述基底的第一侧上；和所述方法还包括：使用另一种溅射气体将另一种涂覆材料溅射到所述基底的另一侧上，其中所述另一种溅射气体包括氩气而不包括氦气。附图说明图1A-1D是本文描述的示例实施方式的概览图。图2是与本文描述的示例实施方式相关的光学元件的特征的示例的图。图3是与本文描述的示例实施方式相关的光学元件的示例的图。图4是包括与本文描述的示例实施方式相关的光学元件的光学系统的图。具体实施方式以下示例实施方式的详细描述参考了附图。不同附图中相同的参考数字可以标识相同或相似的元素。光学接收器可以接收来自诸如光学发射器的光源的光。例如，光学接收器可以接收来自光学发射器的以及从目标(例如用户或另一物体)反射的近红外(NIR)光或中红外(MIR)光。在这种情况下，光学接收器可以接收NIR光以及环境光，例如可见光谱光。环境光可以包括来自与光学发射器分离的一个或更多个光源的光，例如太阳光、来自灯泡的光等。环境光可能会降低与NIR光相关的测定的精度。例如，在手势识别系统中，环境光可以降低基于NIR光生成目标的三维图像的精度。因此，光学接收器可以光学耦合到光学元件(例如，光学滤波器)，例如光学干涉滤波器、带通滤波器等，以过滤环境光并使NIR光朝向光学接收器通过。类似地，光学发射器可以光学耦合到光学元件，以确保例如在感测系统、测量系统、通信系统等中特定类型的光(例如，NIR光)被导向目标。光学元件可以使用薄膜技术、厚膜技术等制造。例如，脉冲直流磁控溅射系统可用于将颗粒溅射到基底上，以形成一个或更多个薄膜层(有时称为薄膜)。在这种情况下，溅射系统可以在填充有惰性气体如氩气的溅射室本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射系统，包括：/n基底；以及/n至少一个靶，/n其中所述至少一个靶包括至少一种涂覆材料以将至少一个层涂覆到所述基底上，/n其中所述至少一种涂覆材料在惰性气体的存在下溅射到所述基底上，/n其中所述惰性气体包括氩气和氦气。/n

【技术特征摘要】
20180814 US 16/103,6321.一种溅射系统，包括：
基底；以及
至少一个靶，
其中所述至少一个靶包括至少一种涂覆材料以将至少一个层涂覆到所述基底上，
其中所述至少一种涂覆材料在惰性气体的存在下溅射到所述基底上，
其中所述惰性气体包括氩气和氦气。


2.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述惰性气体与大约1∶1至大约1∶3之间的氩气与氦气的比率相关联。


3.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述惰性气体与15％至55％的氦气相关联。


4.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述至少一种涂覆材料在用于使所述至少一种涂覆材料氢化的氢气的存在下溅射到所述基底上。


5.根据权利要求4所述的溅射系统，其中，所述氢气与约8％至约20％的浓度相关联。


6.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述至少一个层包括第一类型材料的第一组层和第二类型材料的第二组层。


7.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述溅射系统是脉冲直流磁控溅射系统。


8.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述至少一个层的退火后内应力水平小于阈值。


9.一种涂覆系统，包括：
真空室；和
惰性气体源，其用于将惰性气体置于所述真空室中，
其中所述惰性气体包括氩气和氦气的混合物，
其中所述涂覆系统被配置成使用所述惰性气体源将涂覆材料溅射到基底上。


10.根据权利要求9所述的涂覆系统，其中，所述惰性气体源是等离子体活化源或阳极中的至少一种。


11.根据权利要求9所述的涂覆系统，还包括：
提供所述涂覆材料的涂覆材料源。

【专利技术属性】
技术研发人员：安德鲁·克拉克，乔治·J·欧肯法斯，
申请(专利权)人：唯亚威通讯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US