一种处理液供应装置的控制方法及处理液供应装置制造方法及图纸

本申请涉及一种处理液供应装置的控制方法及处理液供应装置，该处理液供应装置包括用于容纳对半导体待处理件进行湿法处理所需的处理液的储液容器，该处理液供应装置用于将储液容器内的处理液供应至执行湿法处理的处理装置；该控制方法包括：确定处理液供应装置的工作模式；相应于工作模式被确定为第一模式，判断储液容器内的处理液是否满足预设换液条件；若满足预设换液条件，则控制储液容器排出处理液；当处理液被排出至第一液位时，停止排出处理液并输入处理液直至储液容器的液面达第二液位；其中，第一液位为处理液未被排空的液位；控制储液容器向处理装置供应处理液。

A control method and treatment liquid supply device of treatment liquid supply device

【技术实现步骤摘要】
一种处理液供应装置的控制方法及处理液供应装置
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种处理液供应装置的控制方法及处理液供应装置。
技术介绍
对于晶圆湿法清洗机台，用于清洗晶圆的化学品通常由化学品供应系统(ChemicalDispenseSystem，CDS)供应。机台提供有多个菜单(recipe)，不同菜单根据机台端的不同清洗需求执行不同的化学品供应设定。CDS配备有储存清洗晶圆所需化学品的储液容器，在储液容器上通常设置有至少一个液位传感器用以感测储液容器内化学品液面的位置。在CDS向某个菜单下对应的机台端进行化学品供应的过程中，随着化学品在机台端清洗晶圆时逐渐被损耗，储液容器内的化学品液面逐渐降低，通常在液面降低至特定的换液液位时，需要对储液容器进行换液操作；具体地，当储液容器内的化学品液面低于换液液位时，机台端在当前机台端腔室内的晶圆清洗操作完成后停止放入晶圆，同时，储液容器排出所有剩余化学品，并补入新的化学品。换液操作完成后，储液容器继续供应化学品至机台端进行后续晶圆清洗操作。然而，目前CDS采用的换液模式对化学品的消耗量较大，换液时间较长，每次换液操作均将储液容器内的全部化学品排空造成了一定程度的浪费，增加了晶圆湿法清洗的工艺成本。因此，亟需一种能够克服上述缺陷的解决方案。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种处理液供应装置的控制方法及处理液供应装置。本专利技术第一方面提供了一种处理液供应装置的控制方法，所述处理液供应装置包括用于容纳对半导体待处理件进行湿法处理所需的处理液的储液容器，所述处理液供应装置用于将所述储液容器内的处理液供应至执行湿法处理的处理装置；其特征在于，所述方法包括：确定所述处理液供应装置的工作模式；相应于所述工作模式被确定为第一模式，判断所述储液容器内的处理液是否满足预设换液条件；若满足所述预设换液条件，则控制所述储液容器排出容纳的所述处理液；当所述处理液被排出至液面到达第一液位时，停止排出所述处理液并输入待补充的处理液直至所述储液容器内处理液的液面到达第二液位；其中，所述第一液位为所述处理液未被排空的液位；控制所述储液容器向所述处理装置供应处理液。上述方案中，所述处理装置包括至少一个处理单元，所述处理单元包括至少一个用于容纳并处理所述半导体待处理件的处理腔室；所述方法还包括确定所述第一液位的步骤，具体包括：确定所述处理装置中各处理单元对应的供液液位阈值；所述供液液位阈值表征所述储液容器仅向所述处理装置中的一处理单元供应处理液时满足预设供液条件所需的最低液位；从所述各处理单元对应的各供液液位阈值中确定最小值，将所述最小值确定为所述第一液位。上述方案中，所述确定所述处理液供应装置的工作模式，包括：当检测到所述处理液的液面到达第三液位时，确定所述处理液供应装置的工作模式；其中，所述第三液位高于所述第一液位且低于所述第二液位。上述方案中，所述处理装置包括至少一个处理单元，所述处理单元包括至少一个用于容纳并处理所述半导体待处理件的处理腔室；所述方法还包括确定所述第三液位的步骤，具体包括：获得所述第三液位的当前值，将所述当前值确定为所述第三液位的比较值；根据第三液位的目标值的确定条件，确定所述第三液位的第一目标值；判断所述第一目标值与所述比较值之间的关系是否满足预设关系条件；当满足所述预设关系条件时，将所述第一目标值确定为所述第三液位；当不满足所述预设关系条件时，根据所述第一目标值以及所述目标值的确定条件，确定所述第三液位的第二目标值；采用所述第一目标值更新所述比较值，采用所述第二目标值更新所述第一目标值。上述方案中，所述目标值的确定条件至少包括：所述处理装置中的各处理单元对应的处理腔室的数量，以及每个处理腔室所需处理液的供应量；所述根据所述第一目标值以及所述目标值的确定条件，确定所述第二目标值，包括：根据所述第一目标值确定各处理单元对应的处理腔室的计算数量；所述计算数量表征当所述储液容器内的处理液的液位为所述第一目标值时对应的满足预设供液条件所能供应的各处理单元中处理腔室的数量；采用所述计算数量更新所述处理装置中的各处理单元对应的处理腔室的数量，根据所述目标值的确定条件，确定所述第二目标值。上述方案中，所述目标值的确定条件还包括：所述处理装置中各处理单元对应的供液液位阈值，和/或所述处理单元在所述处理装置中供应处理液的权重；其中，所述供液液位阈值表征所述储液容器仅向所述处理装置中的一处理单元供应处理液时满足预设供液条件所需的最低液位。上述方案中，所述判断所述储液容器内的处理液是否满足预设换液条件，包括判断所述储液容器内的处理液是否满足第一预设换液条件，具体包括：确定所述储液容器内的处理液的液面的当前液位，根据所述当前液位确定所述处理液能够供应处理所述半导体待处理件的数量；当所述数量为0时，确定所述处理液满足所述第一预设换液条件。上述方案中，所述判断所述储液容器内的处理液是否满足预设换液条件，包括判断所述储液容器内的处理液是否满足第二预设换液条件，具体包括：当所述储液容器内的处理液的当前使用时长未达到预设阈值时长，和/或所述工作模式被确定为第一模式的次数未达到预设阈值次数时，确定所述处理液满足所述第二预设换液条件。上述方案中，若判断所述储液容器内的处理液不满足所述预设换液条件，则控制所述储液容器排出容纳的所述处理液；当所述处理液被排空时，输入待补充的处理液直至所述储液容器内处理液的液面到达所述第二液位。上述方案中，相应于所述工作模式被确定为第二模式，控制所述储液容器排出容纳的所述处理液；当所述处理液被排空时，输入待补充的处理液直至所述储液容器内处理液的液面到达所述第二液位。本专利技术第二方面提供了一种处理液供应装置，所述处理液供应装置包括用于容纳对半导体待处理件进行湿法处理所需的处理液的储液容器，所述处理液供应装置用于将所述储液容器内的处理液供应至执行湿法处理的处理装置，其特征在于，处理液供应装置还包括：控制单元，用于执行本专利技术第一方面所述的方法。本专利技术实施例提供的处理液供应装置的控制方法及处理液供应装置，节省了处理液的消耗量，节约了换液操作的时间，提高了半导体待处理件的湿法处理效率。附图说明图1为一种化学品供应装置中储液容器的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的化学品供应装置中储液容器的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的处理液供应装置的控制方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的第三液位确定方法的流程示意图；图5为本专利技术另一实施例提供的处理液供应装置的控制方法的流程示意图；图6为本专利技术一具体示例中L液位确定方法的流程示意图；和图7为本专利技术一具体示例中化学品供应装置的控制方法的流程示意图。具体实施方式为了能够更加详细地了解本专利技术的特点和
技术实现思路
，以下将结合附图对本专利技术的实现进行详细阐述，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理液供应装置的控制方法，所述处理液供应装置包括用于容纳对半导体待处理件进行湿法处理所需的处理液的储液容器，所述处理液供应装置用于将所述储液容器内的处理液供应至执行湿法处理的处理装置；其特征在于，所述方法包括：/n确定所述处理液供应装置的工作模式；/n相应于所述工作模式被确定为第一模式，判断所述储液容器内的处理液是否满足预设换液条件；若满足所述预设换液条件，则控制所述储液容器排出容纳的所述处理液；当所述处理液被排出至液面到达第一液位时，停止排出所述处理液并输入待补充的处理液直至所述储液容器内处理液的液面到达第二液位；其中，所述第一液位为所述处理液未被排空的液位；/n控制所述储液容器向所述处理装置供应处理液。/n

【技术特征摘要】
1.一种处理液供应装置的控制方法，所述处理液供应装置包括用于容纳对半导体待处理件进行湿法处理所需的处理液的储液容器，所述处理液供应装置用于将所述储液容器内的处理液供应至执行湿法处理的处理装置；其特征在于，所述方法包括：
确定所述处理液供应装置的工作模式；
相应于所述工作模式被确定为第一模式，判断所述储液容器内的处理液是否满足预设换液条件；若满足所述预设换液条件，则控制所述储液容器排出容纳的所述处理液；当所述处理液被排出至液面到达第一液位时，停止排出所述处理液并输入待补充的处理液直至所述储液容器内处理液的液面到达第二液位；其中，所述第一液位为所述处理液未被排空的液位；
控制所述储液容器向所述处理装置供应处理液。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理装置包括至少一个处理单元，所述处理单元包括至少一个用于容纳并处理所述半导体待处理件的处理腔室；所述方法还包括确定所述第一液位的步骤，具体包括：
确定所述处理装置中各处理单元对应的供液液位阈值；所述供液液位阈值表征所述储液容器仅向所述处理装置中的一处理单元供应处理液时满足预设供液条件所需的最低液位；
从所述各处理单元对应的各供液液位阈值中确定最小值，将所述最小值确定为所述第一液位。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述处理液供应装置的工作模式，包括：
当检测到所述处理液的液面到达第三液位时，确定所述处理液供应装置的工作模式；其中，所述第三液位高于所述第一液位且低于所述第二液位。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述处理装置包括至少一个处理单元，所述处理单元包括至少一个用于容纳并处理所述半导体待处理件的处理腔室；所述方法还包括确定所述第三液位的步骤，具体包括：
获得所述第三液位的当前值，将所述当前值确定为所述第三液位的比较值；
根据第三液位的目标值的确定条件，确定所述第三液位的第一目标值；
判断所述第一目标值与所述比较值之间的关系是否满足预设关系条件；
当满足所述预设关系条件时，将所述第一目标值确定为所述第三液位；
当不满足所述预设关系条件时，根据所述第一目标值以及所述目标值的确定条件，确定所述第三液位的第二目标值；采用所述第一目标值更新所述比较值，采用所述第二目标值更新所述第一目标值；
其中，
所述目标值的确定条件至少包括：所述处理装置中的各处理单元对应的处理腔室的数量，以及每个处理腔室所需处理液的供应量；
所述根据所述第一目标...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈浩，杨玉辉，李绪，熊泰贻，廖昌洋，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42