等离子体处理装置制造方法及图纸

等离子体处理装置包括：具有第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子的巴伦；真空容器；被电连接至第一输出端子的第一电极；被电连接至第二输出端子的第二电极；以及被配置为电连接真空容器与地的连接部，该连接部包括电感器。

Plasma treatment device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置
本专利技术涉及等离子体处理装置。
技术介绍
提供有通过在两个电极之间施加高频来产生等离子体并通过等离子体来处理基板的等离子体处理装置。如此的等离子体处理装置可以通过两个电极的面积比和/或偏压来作为蚀刻装置或溅射装置操作。被配置作为溅射装置的等离子体处理装置包括保持标靶的第一电极以及保持基板的第二电极。在第一电极与第二电极之间施加高频，并且在第一电极与第二电极之间(在标靶与基板之间)产生等离子体。当等离子体被产生时，在标靶的表面产生自偏置电压。这导致离子与标靶碰撞，并且构成标靶的材料的粒子会从标靶放出。专利文献1描述了包括平衡/不平衡转换器的等离子体表面处理装置。该等离子体表面处理装置包括：高频电源、功率放大器、阻抗匹配设备、同轴电缆、真空容器、放电气体混合箱、非接地电极、接地电极以及变压器型平衡/不平衡转换器。放电气体混合箱、非接地电极、接地电极和变压器型平衡/不平衡转换器被布置在真空容器中。非接地电极经由绝缘物支撑材料和放电气体混合箱安装在真空容器中。接地电极支撑基板。此外，接地电极被电连接至真空容器。经由功率放大器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：/n巴伦，包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；/n真空容器；/n第一电极，被电连接至所述第一输出端子；/n第二电极，被电连接至所述第二输出端子；以及/n连接部，被配置为电连接所述真空容器与地，/n所述连接部包括电感器。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170627 JP PCT/JP2017/023603;20170627 JP PCT/JP201.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
巴伦，包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；
真空容器；
第一电极，被电连接至所述第一输出端子；
第二电极，被电连接至所述第二输出端子；以及
连接部，被配置为电连接所述真空容器与地，
所述连接部包括电感器。


2.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
巴伦，包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；
被接地的真空容器；
第一电极，被电连接至所述第一输出端子；
第二电极，被电连接至所述第二输出端子；以及
连接部，被配置为电连接所述第二输入端子与地，
所述连接部包括电感器。


3.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
巴伦，包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；
真空容器；
第一电极，被电连接至所述第一输出端子；
第二电极，被电连接至所述第二输出端子；以及
连接部，被配置为电连接所述真空容器与所述第二输入端子，
所述连接部包括电感器。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述连接部还包括被配置为使所述电感器的两个端子短路的开关。


5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述开关包括继电器。


6.根据权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括控制器，所述控制器被配置为在点燃等离子体时接通所述开关和在点燃所述等离子体后关断所述开关。


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【专利技术属性】
技术研发人员：关谷一成，田名部正治，井上忠，笹本浩，佐藤辰宪，土屋信昭，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP