【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置
本专利技术涉及等离子体处理装置。
技术介绍
提供有通过在两个电极之间施加高频来产生等离子体并通过等离子体来处理基板的等离子体处理装置。如此的等离子体处理装置可以通过两个电极的面积比和/或偏压来作为蚀刻装置或溅射装置操作。被配置作为溅射装置的等离子体处理装置包括保持标靶的第一电极以及保持基板的第二电极。在第一电极与第二电极之间施加高频，并且在第一电极与第二电极之间(在标靶与基板之间)产生等离子体。当等离子体被产生时，在标靶的表面产生自偏置电压。这导致离子与标靶碰撞，并且构成标靶的材料的粒子会从标靶放出。专利文献1描述了溅射装置，其包括被接地的腔室、经由阻抗匹配电路系统连接至RF源的标靶电极以及经由基板电极调谐电路接地的基板保持电极。在专利文献1中描述的溅射装置中，除了基板保持电极以外，腔室还可用作阳极。自偏置电压可以取决于可用作阴极的部分的状态和可用作阳极的部分的状态。因此，如果除了基板保持电极以外，腔室还用作阳极，那么自偏置电压可以取决于腔室的用作阳极的部分的状态而变化。自偏置电压的变化改变...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：/n巴伦，包括第一不平衡端子、第二不平衡端子、第一平衡端子和第二平衡端子；/n被接地的真空容器；/n第一电极，被电连接至所述第一平衡端子；以及/n第二电极，被电连接至所述第二平衡端子，/n其中，当Rp表示从所述第一平衡端子和所述第二平衡端子的侧来看所述第一电极和所述第二电极的侧时的所述第一平衡端子与所述第二平衡端子之间的电阻成分，并且X表示所述第一不平衡端子与所述第一平衡端子之间的电感时，满足1.5≤X/Rp≤5000。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
巴伦，包括第一不平衡端子、第二不平衡端子、第一平衡端子和第二平衡端子；
被接地的真空容器；
第一电极，被电连接至所述第一平衡端子；以及
第二电极，被电连接至所述第二平衡端子，
其中，当Rp表示从所述第一平衡端子和所述第二平衡端子的侧来看所述第一电极和所述第二电极的侧时的所述第一平衡端子与所述第二平衡端子之间的电阻成分，并且X表示所述第一不平衡端子与所述第一平衡端子之间的电感时，满足1.5≤X/Rp≤5000。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一平衡端子与所述第一电极经由阻塞电容器电连接。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二平衡端子与所述第二电极经由阻塞电容器电连接。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一平衡端子与所述第一电极经由阻塞电容器电连接，并且所述第二平衡端子与所述第二电极经由阻塞电容器电连接。
5.如权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极经由绝缘体通过所述真空容器来支撑。
6.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，绝缘体被布置在所述第二电极与所述真空容器之间。
7.如权利要求1至6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括被配置为垂直移动所述第二电极的机构和被配置为使所述第二电极旋转的机构中的至少一个。
8.如权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述巴伦包括被配置为连接所述第一不平衡端子与所述第一平衡端子的第一线圈以及被配置为连接所述第二不平衡端子与所述第二平衡端子的第二线圈。
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述巴伦还包括都被连接在所述第一平衡端子与所述第二平衡端子之间的第三线圈和第四线圈，并且所述第三线圈和所述第四线圈被配置为将所述第三线圈与所述第四线圈的连接节点的电压设置为所述第一平衡端子的电压与所述第二平衡端子的电压之间的中点。
10.如权利要求1至9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极保持标靶，所述第二电极保持基板，并且所述等离子体处理装置被配置作为溅射装置。
11.如权利要求1至9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极保持基板，并且所述等离子体处理装置被配置作为蚀刻装置。
<...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上忠，田名部正治，关谷一成，笹本浩，佐藤辰宪，土屋信昭，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。