【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有分裂顶端的接触喷嘴相关申请的交叉参考本国际申请要求2017年6月22日提交的美国非临时专利申请号15/630,705的优先权，其全部公开内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及焊接，并且更具体地涉及用于焊接设备的接触喷嘴组件。
技术介绍
焊接设备、方法和工艺是众所周知的。一种已知的焊接工艺被称为埋弧焊(SAW)。SAW是以高生产率和高质量为特征的焊接方法，通常用于较厚材料中的较长焊缝。在SAW工艺中，众所周知的是使用可消耗的电极(例如焊丝)来在待连结的一对工件之间形成焊接熔池。电极与工件之间的电压在它们之间形成电弧，以形成焊接熔池。SAW的特征通常在于，电极的熔融材料被保护在粉状助焊剂层下方。助焊剂的一部分在焊接过程中被消耗，从而在焊接熔池上形成熔渣的保护层。期望增加SAW工艺的生产率。实现此目的的一种方法是增加焊接速度和沉积速率(例如，将焊接金属沉积到焊接熔池中的速率)。增加沉积速率的一种已知方法是在单个焊接熔池中使用多根焊丝。在单个焊接熔池中使用多于一根焊丝使得能够增加沉积速率，并...
【技术保护点】
1.一种接触装置，所述接触装置用于将电流馈送到一根或多根焊丝，所述接触装置包括：/n分裂顶端喷嘴，所述分裂顶端喷嘴包括形成在其中的至少一个槽，所述至少一个槽从其第一端部朝向其第二端部延伸以形成第一分裂顶端和第二分裂顶端；以及/n偏置装置，所述偏置装置用于施加可调节的偏置力，以将所述第一分裂顶端和所述第二分裂顶端中的至少一个偏置成抵接所述第一分裂顶端和所述第二分裂顶端中的另一个。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170622 US 15/630,7051.一种接触装置，所述接触装置用于将电流馈送到一根或多根焊丝，所述接触装置包括：
分裂顶端喷嘴，所述分裂顶端喷嘴包括形成在其中的至少一个槽，所述至少一个槽从其第一端部朝向其第二端部延伸以形成第一分裂顶端和第二分裂顶端；以及
偏置装置，所述偏置装置用于施加可调节的偏置力，以将所述第一分裂顶端和所述第二分裂顶端中的至少一个偏置成抵接所述第一分裂顶端和所述第二分裂顶端中的另一个。
2.根据权利要求1所述的接触装置，其中所述偏置装置施加径向向内的偏置力，以将所述第一分裂顶端和所述第二分裂顶端中的每一个偏置成抵接另一个。
3.根据权利要求1所述的接触装置，其中所述至少一个槽包括沿直径相对的第一槽和第二槽。
4.根据权利要求3所述的接触装置，其中所述偏置装置施加径向向内的偏置力，以将所述第一分裂顶端和所述第二分裂顶端中的每一个偏置成抵接另一个。
5.根据权利要求1所述的接触装置，其还包括可操作地联接到所述分裂顶端喷嘴的接触管。
6.根据权利要求5所述的接触装置，其中所述接触管包括形成在其第一端部中的孔，所述孔包括用于螺纹接收所述分裂顶端喷嘴的一部分的部分螺纹部分。
7.根据权利要求6所述的接触装置，其中所述接触管的第一端部还包括用于接合设置有内螺纹的压缩环的外螺纹部分，所述压缩环包括用于接触所述第一分裂顶端和所述第二分裂顶端的外表面的内部渐缩表面，所述内部渐缩表面与所述外表面之间的相互作用施加偏置力以将所述第一分裂顶端和所述第二分裂顶端偏置在一起。
8.根据权利要求6所述的接触装置，其中所述孔还包括用于与形成在所述分裂顶端喷嘴上的渐缩表面接触的渐缩表面，并且其中所述孔的渐缩表面和所述分裂顶端喷嘴的渐缩表面之间的相互作用施加偏置力以将所述第一分裂顶端和所述第二分裂顶端偏置在一起。
9.根据权利要求5所述的接触装置，其中所述孔还包括与向内渐缩表面相邻并且形成顶点的向外渐缩表面，形成在所述孔中的所述渐缩表面与所述顶点之间的相互作用施加偏置力以将所述第一分裂顶端和所述第二分裂顶端偏置在一起。
10.根据权利要求1所述的接触装置，其中所述偏置装置包括围绕所述第一分裂顶端和所述第二分裂顶端的可轴向移动的偏置构件，所述偏置构件包括用...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·H·洛塞普，P·M·R·斯威德伦德，
申请(专利权)人：依赛彼公司，
类型：发明
国别省市：瑞典;SE
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