【技术实现步骤摘要】
一种高速耐压电平转换电路
本专利技术属于微电子
，具体涉及一种高速耐压电平转换电路。
技术介绍
随着微电子集成电路工艺的快速发展，片上系统(SystemonChip,SoC)功能越来越强大，模拟集成电路与数字集成电路集成在同一芯片上。SoC中不同功能模块工作在不工作电源电压，从而在不同电压域之间数据交换需要电平转换电路，且电平转换电路性能会影响SoC的性能特性。图1为一种传统电平转换电路，外部电源VDDH电压高于外部电源VDDL电压，当输入端Vin的输入电压为外部电源VDDL电压时，NMOS管MN1导通，NMOS管MN2截止，NMOS管MN1将节点A的电位拉低，使得PMOS管MP2导通并对节点B充电至外部电源VDDH电压使得PMOS管MP1截止，从而使得节点A保持低电位，同时节点A的低电位电压经过NMOS管MN4、PMOS管MP4组成反相器使得电路输出端Vout获得外部电源VDDH电压。同理，当输入端Vin的输入电压为低电平时，NMOS管MN1截止，NMOS管MN2导通，节点B点通过NMOS管MN2进行放电，使...
【技术保护点】
1.一种高速耐压电平转换电路，其特征在于，包括：电平转换核心电路(1)及输出反相器(2)，其中所述电平转换核心电路(1)的信号输出端与所述输出反相器(2)的信号输入端相连；所述电平转换核心电路(1)采用4个NMOS管及2个PMOS管作为输入驱动管，采用交叉耦合的PMOS对管来构成锁存器，从而实现电平转换电路的高速转换性能，电平转换核心电路(1)还采用MOS管堆栈结构来提高电路的耐压性能；所述输出反相器(2)中，PMOS管M15的源极接外部高电源2VDD，NMOS管M16的源极接外部低电源VDD；/n所述电平转换核心电路(1)，用于当外部输入端Vin为外部低电源VDD的电压V
【技术特征摘要】
1.一种高速耐压电平转换电路，其特征在于，包括：电平转换核心电路(1)及输出反相器(2)，其中所述电平转换核心电路(1)的信号输出端与所述输出反相器(2)的信号输入端相连；所述电平转换核心电路(1)采用4个NMOS管及2个PMOS管作为输入驱动管，采用交叉耦合的PMOS对管来构成锁存器，从而实现电平转换电路的高速转换性能，电平转换核心电路(1)还采用MOS管堆栈结构来提高电路的耐压性能；所述输出反相器(2)中，PMOS管M15的源极接外部高电源2VDD，NMOS管M16的源极接外部低电源VDD；
所述电平转换核心电路(1)，用于当外部输入端Vin为外部低电源VDD的电压Vdd时使得节点B的电压快速变为Vdd且使得节点B的电压保持为Vdd，当外部输入端Vin为低电平0时使得节点B的电压快速变为外部高电源2VDD的电压2Vdd且使得节点B的电压保持为2Vdd；所述输出反相器(2)，用于当节点B的电压为Vdd时使得输出端Vout的电压为2Vdd，当节点B的电压为2Vdd时使得输出端Vout的电压为Vdd，从而实现输入端Vin电压为0时输出端Vout的电压为Vdd以及输入端Vin电压为Vdd时输出端Vout的电压为2Vdd等电平转换功能。
2.根据权利要求1所述的一种高速耐压电平转换电路，其特征在于，所述电平转换核心电路(1)包括：NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13以及NMOS管M14，其中PMOS管M7的源极分别与PMOS管M8的源极以及外部高电源2VDD相连，PMOS管M7的栅极分别与NMOS管M10的源极、PMOS管M6的源极、PMOS管M8的漏极、PMOS管M15的栅极以及PMOS管M16的栅极相连，PMOS管M7的漏极分别与NMOS管M9的源极、PMOS管M8的栅极以及PMOS管M5的源级相连，PMOS管M5的栅极分别与PMOS管M6的栅极、PMOS管M13的源极以及外部低电源VDD相连，PMOS管M5的漏极与NMOS管M3的漏极相连，NMOS管M3的栅极分别与PMOS管M11的栅极、PMOS管M13的栅极、NMOS管M14的栅极、NMOS管M2的栅极以及外部输入端Vin相连，NMOS管M3的源极与NMOS管M1的漏极相连，NMOS管M1的栅极分别与PMOS管M13的漏极、NMOS管M14的漏极、PMOS管M12的栅极以及NMOS管M4的栅极相连，NMOS管M1的源极分别与NMOS管M14的源极、NMOS管M2的源极以及外部地GND相连，PMOS管M11的源极分别与PMOS管M12的源极以及外部低电源VDD相连，PMOS管M11的漏极与NM...
【专利技术属性】
技术研发人员：周前能，谢吉辉，李红娟，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：重庆;50
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