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本发明请求保护一种高速耐压电平转换电路，包括电平转换核心电路及输出反相器等。本发明采用由NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M11、PMOS管M12等6个MOS管作为输入驱动管以及由交叉耦合对管PMOS...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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