FD-SOI器件校正电路及其方法技术

一种用于体偏置的校正电路，包括相位检测器、第一和第二电压发生器、以及第一和第二电压调节器。相位检测器具有从环形振荡器接收振荡信号的输入端。相位检测器提供表示振荡信号和参考信号之间的相位差的输出信号。第一电压发生器使用相位检测器的输出信号而产生第一参考电压。第一电压调节器使用第一参考电压而产生第一经调节电压，以作为第一偏置电压。第二电压发生器使用第一参考电压而产生第二参考电压。第二电压调节器使用第二参考电压而产生第二经调节电压，以作为第二偏置电压。第一偏置电压提供用于偏置环形振荡器的晶体管的P阱。第二偏置电压提供用于偏置环形振荡器的晶体管的N阱。

Correction circuit and method of fd-soi device

【技术实现步骤摘要】
FD-SOI器件校正电路及其方法
本专利技术通常涉及完全耗尽型绝缘体上硅(FullyDepleted-SiliconONInsulator，FD-SOI)器件。具体地，涉及校正体偏置电压的电路及其方法。
技术介绍
正向体偏置(ForwardBodyBiasing，FBB)或反向体偏置(ReverseBodyBiasing，RBB)的体偏置典型地用在FD-SOI工艺中，以校正阱偏置电压。然而，在器件运行中，器件的性能不可避免地会由于温度和/或电压变化而劣化。此外，老化亦会影响器件的性能。校正FD-SOI器件的体偏置的电路和方法是有利的。
技术实现思路
本
技术实现思路
被提供以介绍以下具体实施方式部分详述的概念中经选择的简化部分。本
技术实现思路
并不意欲确定权利要求中内容的关键或必要特征，亦不意欲使其限制权利要求的范围。根据一种实施方式，一种用于体偏置的校正电路包括：相位检测器，具有配置为从环形振荡器接收振荡信号的输入端，相位检测器配置为提供表示振荡信号和参考信号之间的相位差的输出信号；<br>第一电压发生器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于体偏置的校正电路，其特征在于，包括：/n相位检测器，具有配置为从环形振荡器接收振荡信号的输入端，相位检测器配置为提供表示振荡信号和参考信号之间的相位差的输出信号；/n第一电压发生器，配置为使用相位检测器的输出信号而产生第一参考电压；/n第一电压调节器，接收第一参考电压并使用第一参考电压而产生第一经调节电压，以作为第一偏置电压；/n第二电压发生器，配置为使用第一参考电压而产生第二参考电压；/n第二电压调节器，接收第二参考电压并使用第二参考电压而产生第二经调节电压，以作为第二偏置电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于体偏置的校正电路，其特征在于，包括：
相位检测器，具有配置为从环形振荡器接收振荡信号的输入端，相位检测器配置为提供表示振荡信号和参考信号之间的相位差的输出信号；
第一电压发生器，配置为使用相位检测器的输出信号而产生第一参考电压；
第一电压调节器，接收第一参考电压并使用第一参考电压而产生第一经调节电压，以作为第一偏置电压；
第二电压发生器，配置为使用第一参考电压而产生第二参考电压；
第二电压调节器，接收第二参考电压并使用第二参考电压而产生第二经调节电压，以作为第二偏置电压。


2.根据权利要求1所述的校正电路，其特征在于：相位检测器包括第一输出端和第二输出端，其中：
第一输出端的第一输出信号表示振荡信号的频率高于参考信号的频率；以及
第二输出端的第二输出信号表示振荡信号的频率低于参考信号的频率。


3.根据权利要求1所述的校正电路，其特征在于：进一步包括补偿电路，耦接在第一电压发生器和第一电压调节器之间。


4.根据权利要求3所述的校正电路，其特征在于，补偿电路包括：
第一晶体管，与供电电压相耦接；
第二晶体管，与供电电压相耦接；
第三晶体管，耦接在第一晶体管与地之间；
第四晶体管，耦接在第二晶体管与地之间；以及
电容器，耦接在第一、第三晶体管之间的节点和第二、第四晶体管之间的节点之间。


5.根据权利要求4所述的校正电路，其特征在于：第一晶体管、第二晶体管耦接为电流源。

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓雷，郭胤，周海天，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US