【技术实现步骤摘要】
子像素结构、液晶面板及反射式液晶显示设备
本申请涉及液晶显示的
，具体而言，本申请涉及一种子像素结构、液晶面板及反射式液晶显示设备。
技术介绍
液晶显示器的功耗与显示频率成正比，对于某些液晶显示器，为降低功耗，一般需要降低显示驱动频率，例如采用1Hz(赫兹)等较低的显示频率。但是降低显示频率需要增加像素电压的保持时间，由于漏电流的存在，像素电压会随着时间的增加而不断减小，导致显示画面容易出现闪烁，影响显示效果。现有的一种显示器，为了在降低功耗的同时能够保证薄膜晶体管的特性，在子像素中设置两个薄膜晶体管。然而，这种现有的显示器仍然存在漏电流较大的问题，显示效果较差。
技术实现思路
本申请针对现有方式的缺点，提出一种子像素结构、液晶面板及反射式液晶显示设备，用以解决现有的液晶显示器因降低显示频率而导致漏电流较大的技术问题。第一方面，本申请实施例提供了一种子像素结构，包括像素电极、以及集成于阵列基板的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，分别靠近像素电极相...
【技术保护点】
1.一种子像素结构(100)，其特征在于，包括像素电极(3)、以及集成于阵列基板的第一薄膜晶体管(1)和第二薄膜晶体管(2)；/n所述第一薄膜晶体管(1)、所述第二薄膜晶体管(2)，分别靠近所述像素电极(3)相对的第一侧、第二侧，且用于分别与所述阵列基板中的两个扫描线(200)相邻并连接；/n所述第一薄膜晶体管(1)的沟道区域的长度大于第一预设长度，所述第二薄膜晶体管(2)的沟道区域的长度大于第二预设长度。/n
【技术特征摘要】
1.一种子像素结构(100)，其特征在于，包括像素电极(3)、以及集成于阵列基板的第一薄膜晶体管(1)和第二薄膜晶体管(2)；
所述第一薄膜晶体管(1)、所述第二薄膜晶体管(2)，分别靠近所述像素电极(3)相对的第一侧、第二侧，且用于分别与所述阵列基板中的两个扫描线(200)相邻并连接；
所述第一薄膜晶体管(1)的沟道区域的长度大于第一预设长度，所述第二薄膜晶体管(2)的沟道区域的长度大于第二预设长度。
2.根据权利要求1所述的子像素结构(100)，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(1)的沟道区域的长度方向大致垂直于所述扫描线(200)，所述第二薄膜晶体管(2)的沟道区域的长度方向大致平行于所述扫描线(200)；各所述扫描线(200)平行；
所述第一薄膜晶体管(1)的漏极(13)与所述第二薄膜晶体管(2)的源极(22)连接；所述第一薄膜晶体管(1)的源极(12)、栅极(11)，分别用于与所述阵列基板中对应的数据线(300)、所述第一薄膜晶体管(1)所相邻的所述扫描线(200)连接；所述数据线(300)与所述扫描线(200)垂直；
所述第二薄膜晶体管(2)漏极(23)、栅极(21)，分别用于与所述像素电极(3)、所述第二薄膜晶体管(2)所相邻的所述扫描线(200)连接。
3.根据权利要求2所述的子像素结构(100)，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(1)，沿平行于所述扫描线(200)的方向靠近所述像素电极(3)的第三侧，且与所述对应的数据线(300)相邻；所述第二薄膜晶体管(2)的源极(22)比漏极(23)靠近所述像素电极(3)的第三侧。
4.根据权利要求3所述的子像素结构(100)，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(1)的源极(12)和漏极(13)、以及所述第二薄膜晶体管(2)的源极(22)和漏极(23)，与所述数据线(300)属于同一层；所述第一薄膜晶体管(1)的栅极(11)和所述第二薄膜晶体管(2)的栅极(21)，与所述扫描线(200)属于同一层；
所述子像素结构包括第一导电线条(4)、第二导电线条(5)和导电块(6)；所述第一导电线条(4)的一端作为所述第一薄膜晶体管(1)的源极(12)，另一端用于与对应的所述数据线(300)连接；所述第二导电线条(5)的一端作为所述第一薄膜晶体管(1)的漏极(13)，另一端作为所述第二薄膜晶体管(2)的源极(22)；所述导电块(6)位于所述相邻两条扫描线(200)之间，所述导电块(6)的一部分作为所述第二薄膜晶体管(2)的漏极(23)，所述导电块(6)的另一部分与所述像素电极(3)连接。
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【专利技术属性】
技术研发人员：武晓娟，钟璇，袁洪亮，郑琪，程张祥，毕谣，赵志强，王家星，张冬华，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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