一种手机背壳保护膜磁控镀膜溅射方法技术

一种手机背壳保护膜磁控镀膜溅射方法，所述方法制备的手机背壳保护膜包括：手机背壳保护膜基片、第一基层电介质层、第一缓冲层、第二基层电介质层、第一均热层、第二缓冲层、银层、第二均热层、第一外层电介质层、第二外层电介质层和保护阻挡层。本发明专利技术提供的一种手机背壳保护膜磁控镀膜溅射方法，采用磁控镀膜溅射工艺，色泽均匀、耐磨、不易脱落，手机天线的信号通过性好。

A magnetron sputtering method for the protective film of the back case of mobile phone

【技术实现步骤摘要】
一种手机背壳保护膜磁控镀膜溅射方法
本专利技术属于手机背壳保护膜
，具体涉及一种手机背壳保护膜磁控镀膜溅射方法。
技术介绍
磁控溅射镀膜是手机外壳保护膜常用的镀膜工艺，影响磁控溅射镀膜效果的影响因子非常复杂，设备、溅射源纯度、溅射气氛、时间、温湿度等等，都会造成镀膜膜层的质量。对于手机制造行业，背壳镀膜主要性能指标有色泽均匀度、牢固度、耐磨性能以及膜层厚度等等，每个颜色的镀膜工艺，各个厂家都可能有自己的一套制程，行业内缺少工艺标准，因此，行业内只能根据厂家的要求来更改自己的工艺制程。本申请就要提供一种兼顾色泽均匀度、牢固度、耐磨性能和成本的手机背壳保护膜磁控溅射方法。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种手机背壳保护膜磁控镀膜溅射方法，所述方法包括步骤：提供一手机背壳保护膜基片；在所述手机背壳保护膜基片上铺设第一基层电介质层，所述第一基层电介质层面积与所述手机背壳保护膜基片面积相同；在所述第一基层电介质层上铺设第一缓冲层，所述第一缓冲层面积与所述第一基层电介质层面积相同；在所述缓冲层上铺设第二基层电介质层，所述第二基层电介质层面积与所述缓冲层面积相同；在所述第二基层电介质层上铺设第一均热层，所述第一均热层面积与所述第二基层电介质层面积相同；在所述第一均热层上铺设第二缓冲层，所述第二缓冲层面积与所述第一均热层面积相同；在所述第二缓冲层上铺设银层，所述银层面积与所述第二缓冲层面积相同；在所述银层上铺设第二均热层，所述第二均热层面积与所述银层面积相同；在所述第二均热层上铺设第一外层电介质层，所述第一外层电介质层面积与所述第二均热层面积相同；在所述第一外层电介质层上铺设第二外层电介质层，所述第二外层电介质层面积与所述第一外层电介质层面积相同；在所述第二外层电介质层上铺设保护阻挡层，所述保护阻挡层面积与所述第二外层电介质层面积相同。优选地，所述第一基层电介质层为铜，所述第一基层电介质层厚度为5-10nm。优选地，所述第一缓冲层为硒化铟或硫化铟，所述硒化铟或硫化铟均含有锡，所述第一缓冲层厚度为10-15nm。优选地，所述第二基层电介质层为氧化铜，所述第二基层电介质层厚度为4-20nm。优选地，所述第一均热层为镍铬合金，所述第一均热层厚度为0.2-0.8nm。优选地，所述第二均热层为镍铬合金，所述第二均热层厚度为0.5-1.5nm。优选地，所述第一外层电介质层为氧化锡，所述第一外层电介质层厚度为12-24nm。优选地，所述第二外层电介质层为二氧化钛，所述第二外层电介质层厚度为10-12nm。优选地，所述保护阻挡层为氧化硅，所述保护阻挡层厚度为10-25nm。优选地，所述银层厚度为12-15nm。本专利技术提供的一种手机背壳保护膜磁控镀膜溅射方法，采用磁控镀膜溅射工艺方法生产手机背壳，效率高，成品性能均匀，量产质量稳定，通过此方法制作的手机背壳膜耐磨、色泽均匀、不易脱落、手机信号通过性能优异。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式，对本专利技术进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本专利技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本专利技术的概念。下面以磁控溅射方法为例说明本专利技术的具体步骤，首先，提供手机背壳保护膜基片，并可选的对手机背壳保护膜基片进行抛光和清洗，抛光和清洗的具体方式是为本领域技术人员所熟知，在这里不作具体说明。实施例1本专利技术采用真空磁控溅射设备制备。在通入工艺气体后的真空级数保证为10-3mbar级的工作气氛的条件下，使用新鲜的(生产日期不超过2个月)级浮法原片镀制。第一基层电介质层：使用组成重量比为铜比锌50％比50％的铜锌合金靶材，在氩气-氧气混合气体气氛中，在氩气流量为500sccm且氧气流量为1200sccm的条件下，在40KW的溅射功率下，溅射厚度为20nm的介质材料层铜。第二基层电介质层：使用铜靶材，在氩气-氧气混合气体气氛中，在氩气流量为1200sccm且氧气流量为40sccm的条件下，在50KW的溅射功率下，溅射厚度为15nm的介质材料层氧化铜。第一均热层：使用组成重量比为镍比铬60％比40％的镍铬合金靶，在氩气气氛中，在氩气流量为500sccm的条件下，在4A的溅射电流下，溅射厚度为2nm的均热层NiCr。银层：使用Ag靶材，在氩气气氛中，在氩气流量为500sccm的条件下，在7A的溅射电流下，溅射10nm厚度的功能膜层Ag。第二均热层：使用组成重量比为镍比铬70％比30％的镍铬合金靶材，在氩气气氛中，在氩气流量为500sccm的条件下，在6A的溅射电流下，溅射厚度为3～5nm的保护阻挡层NiCr。第一外层电介质层：使用重量比为锡比锌70％比30％的锡锌合金靶材，在氩气-氧气混合气体气氛中，在氩气流量为500sccm且氧气流量为1200sccm的条件下，在40KW的溅射功率下，溅射厚度为25nm的介质材料层氧化锡。第二外层电介质层：使用钛靶材，在氩气-氧气混合气体气氛中，在氩气流量为500sccm且氧气流量为1000sccm的条件下，在35KW的溅射功率下，溅射厚度为15nm的介质材料层二氧化钛。保护阻挡层：使用硅靶材，在氩气-氮气混合气体气氛中，在氩气流量为600sccm且氮气流量为800sccm的条件下，在35KW的溅射功率下，溅射厚度为15nm保护阻挡层氧化硅。实施例2在实施例1的基础上，实施例2的第一基层电介质层：使用组成重量比为铜比锌50％比50％的铜锌合金靶材，在氩气-氧气混合气体气氛中，在氩气流量为500sccm且氧气流量为1200sccm的条件下，在40KW的溅射功率下，溅射厚度为25nm的介质材料层铜。第二基层电介质层：使用铜靶材，在氩气-氧气混合气体气氛中，在氩气流量为1200sccm且氧气流量为40sccm的条件下，在50KW的溅射功率下，溅射厚度为20nm的介质材料层氧化铜。第一均热层：使用组成重量比为镍比铬60％比40％的镍铬合金靶，在氩气气氛中，在氩气流量为500sccm的条件下，在3.8A的溅射电流下，溅射厚度为3nm的均热层NiCr。银层：使用Ag靶材，在氩气气氛中，在氩气流量为500sccm的条件下，在7A的溅射电流下，溅射10nm厚度的功能膜层Ag。第二均热层：使用组成重量比为镍比铬70％比30％的镍铬合金靶材，在氩气气氛中，在氩气流量为500sccm的条件下，在6A的溅射电流下，溅射厚度为3～5nm的保护阻挡层NiCr。第一外层电介质层：使用重量比为锡比锌70％比30％的锡锌合金靶材，在氩气-氧气混合气体气氛中，在氩气流量为480sccm且氧气流量为1100sccm的条件下，在40KW的溅射功率下，溅射厚度为20nm的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种手机背壳保护膜磁控镀膜溅射方法，所述方法包括步骤：/n提供一手机背壳保护膜基片；/n在所述手机背壳保护膜基片上铺设第一基层电介质层，所述第一基层电介质层面积与所述手机背壳保护膜基片面积相同；/n在所述第一基层电介质层上铺设第一缓冲层，所述第一缓冲层面积与所述第一基层电介质层面积相同；/n在所述缓冲层上铺设第二基层电介质层，所述第二基层电介质层面积与所述缓冲层面积相同；/n在所述第二基层电介质层上铺设第一均热层，所述第一均热层面积与所述第二基层电介质层面积相同；/n在所述第一均热层上铺设第二缓冲层，所述第二缓冲层面积与所述第一均热层面积相同；/n在所述第二缓冲层上铺设银层，所述银层面积与所述第二缓冲层面积相同；/n在所述银层上铺设第二均热层，所述第二均热层面积与所述银层面积相同；/n在所述第二均热层上铺设第一外层电介质层，所述第一外层电介质层面积与所述第二均热层面积相同；/n在所述第一外层电介质层上铺设第二外层电介质层，所述第二外层电介质层面积与所述第一外层电介质层面积相同；/n在所述第二外层电介质层上铺设保护阻挡层，所述保护阻挡层面积与所述第二外层电介质层面积相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种手机背壳保护膜磁控镀膜溅射方法，所述方法包括步骤：
提供一手机背壳保护膜基片；
在所述手机背壳保护膜基片上铺设第一基层电介质层，所述第一基层电介质层面积与所述手机背壳保护膜基片面积相同；
在所述第一基层电介质层上铺设第一缓冲层，所述第一缓冲层面积与所述第一基层电介质层面积相同；
在所述缓冲层上铺设第二基层电介质层，所述第二基层电介质层面积与所述缓冲层面积相同；
在所述第二基层电介质层上铺设第一均热层，所述第一均热层面积与所述第二基层电介质层面积相同；
在所述第一均热层上铺设第二缓冲层，所述第二缓冲层面积与所述第一均热层面积相同；
在所述第二缓冲层上铺设银层，所述银层面积与所述第二缓冲层面积相同；
在所述银层上铺设第二均热层，所述第二均热层面积与所述银层面积相同；
在所述第二均热层上铺设第一外层电介质层，所述第一外层电介质层面积与所述第二均热层面积相同；
在所述第一外层电介质层上铺设第二外层电介质层，所述第二外层电介质层面积与所述第一外层电介质层面积相同；
在所述第二外层电介质层上铺设保护阻挡层，所述保护阻挡层面积与所述第二外层电介质层面积相同。


2.根据权利要求1所述的手机背壳保护膜磁控镀膜溅射方法，其特征在于：所述第一基层电介质层为铜，所述第一基层电介质层厚度为5-10nm。


3.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宪轮，陈达舜，
申请(专利权)人：湖南华庆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43