肟酯光聚合引发剂及包含其的感光性树脂组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种肟酯光聚合引发剂及包含其的感光性树脂组合物。其中，该肟酯光聚合引发剂包括Z构型和E构型的肟酯光聚合引发剂。应用本发明专利技术的技术方案，肟酯光聚合引发剂包括Z构型和E构型的肟酯光聚合引发剂，由于肟酯光聚合引发剂Z、E不同构型的同时存在，使得其在感光性树脂组合物含有遮光剂或曝光量不足等情况下，能够抑制显影后的图案生成咬边的现象，且溶解性能优异。

Oxime ester photopolymerization initiator and photosensitive resin composition thereof

【技术实现步骤摘要】
肟酯光聚合引发剂及包含其的感光性树脂组合物
本专利技术涉及光固化
，具体而言，涉及一种肟酯光聚合引发剂及包含其的感光性树脂组合物。
技术介绍
近年来，在制造液晶显示器时，人们一直尝试着提高黑底显像管的遮光性和进一步提高液晶显示器上图像的对比度。为了解决上述问题，通常需要向用于形成黑底显像管的感光性树脂组合物中添加大量的遮光剂。但是，如果将大量的遮光剂添加到感光性树脂组合物中，在对感光性树脂组合物的膜进行曝光时，用于使其固化的光难于到达膜的底部，从而随着感光性树脂组合物灵敏度的急剧下降，感光性树脂组合物会产生固化不良的问题。肟酯光引发剂由于其优异的感光性能被广泛用于液晶显示装置的制造中，但是这些肟酯光引发剂往往存在感度过高造成显影过度的咬边问题或因溶解性不佳造成迁移性的问题，为此人们一方面通过对引发剂进行改性，解决引发剂在树脂中的溶解性问题，另一方面通过高感度的肟酯光引发剂与其他光引发剂复配使用来解决引发剂过度显影造成的咬边问题，但是引发剂在树脂中的溶解性仍需进一步提高，另一方面肟酯光引发剂与其他感度相对较低的引发剂配合使用往往又引本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种肟酯光聚合引发剂，其特征在于，包括Z构型和E构型的肟酯光聚合引发剂；/n优选的，Z构型的肟酯光聚合引发剂具有如下通式(I)所示结构，E构型的肟酯光聚合引发剂具有如下通式(Ⅱ)所示结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种肟酯光聚合引发剂，其特征在于，包括Z构型和E构型的肟酯光聚合引发剂；
优选的，Z构型的肟酯光聚合引发剂具有如下通式(I)所示结构，E构型的肟酯光聚合引发剂具有如下通式(Ⅱ)所示结构：



其中，通式(I)和通式(Ⅱ)所示的结构中，所述R1为C1～C20的直链或支链烷基、C3～C20的环烷基、C3～C8的环烷基取代的C1～C10的烷基、C1～C20的烷基取代的C3～C8环烷基、C6～C20的芳基、C1～C5烷基取代的C6～C20芳基、C4～C20的杂芳基或C1～C5烷基取代的C6～C20杂芳基；
所述R2为C1～C20的直链或支链烷基、C3～C20的环烷基、C3～C8的环烷基取代的C1～C10的烷基、C1～C20的烷基取代的C3～C8环烷基、C6～C20的芳基或C1～C5烷基取代的C6～C20芳基，所述R2中的碳原子可以选择性地被一个或多个氧原子取代，所述R2中的氢原子可以选择性地被一个或多个氟原子取代；
所述R3为R3’、-O-R3’、-C(＝O)-R3’或-X-C(＝N-OC(＝O)R1)R2基团，其中，所述R3’表示氢、硝基、F、Cl、Br、C1～C20的直链或支链烷基、C3～C20的环烷基、C3～C8的环烷基取代的C1～C10的烷基、C1～C20的烷基取代的C3～C8环烷基、C6～C20的芳基、C1～C5烷基取代的C6～C20芳基、C4～C20的杂芳基或C1～C5烷基取代的C4～C20杂芳基；
所述R4和所述R5相互独立的表示R4’、R5’、-O-R4’、-O-R5’、-C(＝O)-R4’或-C(＝O)-R5’，其中，所述R4’和所述R5’相互独立的表示氢、硝基、F、Cl、Br、C1～C20的直链或支链烷基、C3～C20的环烷基、C3～C8的环烷基取代的C1～C10的烷基、C1～C20的烷基取代的C3～C8环烷基、C6～C20的芳基、C1～C5烷基取代的C6～C20芳基、C4～C20的杂芳基或C1～C5烷基取代的C4～C20杂芳基；
所述a为1～3的整数，所述b为1～3的整数；
所述Z为空或单键；
所述X为连接键或羰基；
所述A为-O-、-S-、基团，其中，所述R6、所述R7和所述R8相互独立地代表氢、C1～C20的直链或支链烷基、C2～C20的直链或支链链烯基、C3～C20的环烷基、C3～C8的环烷基取代的C1～C10的烷基、C1～C20的烷基取代的C3～C8环烷基，且所述R6、所述R7和所述R8分别被一个或多个第一取代基取代，其中所述第一取代基为卤原子、苯基或杂芳基；或者，所述R6、所述R7和所述R8分别被一个或多个第二取代基中断；或者，所述R6、所述R7和所述R8中的至少一个碳原子被所述第二取代基取代，其中所述第二取代基为-O-、-S-或-NH-。


2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱晓春，胡春青，于培培，
申请(专利权)人：常州强力先端电子材料有限公司，常州强力电子新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32