一种新型光伏用直角单晶硅片及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种新型光伏用直角单晶硅片及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：沿单晶硅棒的横截面内接正方形的四个边纵切，得到一个正四棱柱形的大芯材正四棱柱和四个边皮料；沿大芯材正四棱柱的横截面的两条对边中点连线纵切，得到四个小芯材正四棱柱；对小芯材正四棱柱进行横切，得到若干芯材直角单晶硅片；沿边皮料的横截弓形面内接的矩形的内部三个边纵切，得到横截面长边边长为l’的四棱柱形的大边材四棱柱；沿大边材四棱柱横切，横切间距为l’，得到小边材四棱柱；沿小边材四棱柱纵切，得到若干边材直角单晶硅片；本发明专利技术提供的制造方法应用结晶学原理，充分利用边皮料，提高生产利用率，节约成本。

A new type of right angle monocrystalline silicon for photovoltaic and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种新型光伏用直角单晶硅片及其制造方法
本专利技术属于直角单晶硅片制造
，特别涉及一种新型光伏用直角单晶硅片及其制造方法。
技术介绍
太阳能用单晶硅材料自2000年以来，发展迅猛，这是因为硅是地球表面取之不尽用之不竭的资源，硅是半导体材料中功能最强大的材料之一，物理化学性质稳定，耐候性极强，生产过程及使用过程对环境没有危害，硅不仅是现代社会信息基础材料，而且也是新能源的最重要的不可替代的基础材料。硅半导体材料的生产，无论产量还是质量方面，近年来都在突飞猛进，几年前国家普遍使用的用于太阳能硅单晶是以6英寸(152.4mm)为主，现在已发展到8-9英寸(203.2mm-228.6mm)，18英寸(457.2mm)也已在实验室试生产中，在现在的生产过程中，主要是一棒断面切一片的方法，边角材料直接抛弃或重新清洗再熔化拉晶，直接抛弃造成原料的浪费，而边皮料再清洗返回熔化再拉晶，清洗造价高，纯度不容易控制，清洗不好反而带入污染，影响正常拉晶，造成前期的工时浪费。
技术实现思路
为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种新型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型光伏用直角单晶硅片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：/n沿单晶硅棒的横截面内接正方形的四个边纵切，得到一个正四棱柱形的大芯材正四棱柱和四个边皮料；沿所述大芯材正四棱柱的横截面的两条对边中点连线纵切，得到四个小芯材正四棱柱；/n对所述小芯材正四棱柱进行横切，得到若干厚度为d、正方形边长均为l的芯材直角单晶硅片；/n沿所述边皮料的横截弓形面内接的矩形的内部三个边纵切，得到横截面长边边长为l’的四棱柱形的大边材四棱柱；/n沿所述大边材四棱柱横切，横切间距为l’，得到小边材四棱柱；/n沿所述小边材四棱柱纵切，得到若干厚度为d’、正方形边长均为l’的边材直角单晶硅片。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型光伏用直角单晶硅片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：
沿单晶硅棒的横截面内接正方形的四个边纵切，得到一个正四棱柱形的大芯材正四棱柱和四个边皮料；沿所述大芯材正四棱柱的横截面的两条对边中点连线纵切，得到四个小芯材正四棱柱；
对所述小芯材正四棱柱进行横切，得到若干厚度为d、正方形边长均为l的芯材直角单晶硅片；
沿所述边皮料的横截弓形面内接的矩形的内部三个边纵切，得到横截面长边边长为l’的四棱柱形的大边材四棱柱；
沿所述大边材四棱柱横切，横切间距为l’，得到小边材四棱柱；
沿所述小边材四棱柱纵切，得到若干厚度为d’、正方形边长均为l’的边材直角单晶硅片。


2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述芯材直角单晶硅片和所述边材直角单晶硅片的形状相同，即：d＝d’且l＝l’。


3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，单晶硅棒预处理步骤：预设芯材直角单晶硅片的边长l和厚度d；
根据所述芯材直角单晶硅片的边长l经过拉晶得到直径为D的单晶硅棒原材，其中，
将单晶硅棒原材去掉头尾后，得到圆柱体形的所述单晶硅棒，所述单晶硅棒的长度为L。


4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述边材四棱柱的横截面短边边长为k，其中，


5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述边材直角单晶硅片的晶向对称性质与所述芯材直角单晶硅片的晶向对称性质相同。


6.一种新型光伏用直...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨军，刘长山，张硕，史爽，
申请(专利权)人：北京昌日新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11