光MOS固体继电器制造技术

技术编号:9358352 阅读:177 留言:0更新日期:2013-11-21 01:39
本发明专利技术公开了一种集成度较高、可靠性较好的光MOS固体继电器。该光MOS固体继电器包括集成于同一衬底上的光电池阵列、控制电路和输出端功率半导体器件,所述光电池阵列由若干个单晶硅光伏电池以及若干个多晶硅光伏电池串联而成,所述单晶硅光伏电池与多晶硅光伏电池交错排列,所述每个单晶硅光伏电池单独处于衬底的一个V型槽内,所述每个多晶硅光伏电池处于相邻的两个V型槽之间的衬底上。该光MOS固体继电器通过对光电池阵列进行重新设计,在V型槽之间的间隔制作多晶硅光伏电池,充分利用了版图空间,提高了集成度,而且集成功率器件的光MOS固体继电器减小了封装的难度和寄生效应,有效地提高了继电器的可靠性,适合在电力电子技术领域推广应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
光MOS固体继电器,其特征在于:包括集成于同一衬底(1)上的光电池阵列(2)、控制电路(3)和输出端功率半导体器件(4),所述光电池阵列(2)将光信号转换成电信号并将电信号提供给控制电路(3),所述控制电路(3)根据输入的电信号控制输出端功率半导体器件(4)的开关;所述控制电路(3)由若干个三极管、若干个二极管以及若干个阻抗元件组合而成,每个三极管、每个二极管以及每个阻抗元件均单独处于衬底(1)的一个V型槽(101)内;所述输出端功率半导体器件(4)单独处于衬底(1)的V型槽(101)内;所述光电池阵列(2)由若干个单晶硅光伏电池以及若干个多晶硅光伏电池串联而成,所述单晶硅光伏电池与多晶硅光伏电池交错排列,所述每个单晶硅光伏电池单独处于衬底(1)的一个V型槽(101)内,所述每个多晶硅光伏电池处于相邻的两个V型槽(101)之间的衬底(1)上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张有润张飞翔刘影吴浩然张波
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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