【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
本专利技术涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
接连设有处理室和移载室的基板处理装置为了防止基板的自然氧化而将移载室内更换成非活性气体环境(例如参照专利文献1)。然而，根据工艺的类别和/或要形成的膜种类而存在处理前或处理后的自然氧化膜的影响较小的情况。在该情况下，有时与将移载室设为非活性气体环境相比优选设为空气环境。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-065113号公报
技术实现思路
本专利技术以提供一种能够根据工艺的类别和/或要形成的膜种类来变更移载室的气体环境的结构为目的。根据本专利技术的一个方式，提供一种结构，其具备：进气阻尼器及进气扇，它们与向连接于进行基板的处理的处理室的移载室吸入空气的进气口连通；非活性气体导入管的阀，该非活性气体导入管向移载室供给非活性气体；排气扇及排气阀，它们设于移载室；切换机构，其从将移载室的气体环境设为空气环...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：/n进气阻尼器及进气扇，它们与向移载室吸入空气的进气口连通，该移载室连接于进行基板的处理的处理室；/n非活性气体导入管的阀，该非活性气体导入管向所述移载室供给非活性气体；/n排气扇及排气阀，它们设于所述移载室；/n切换机构，其从将所述移载室的气体环境设为空气环境的空气模式和将所述移载室的气体环境设为非活性气体环境的吹扫模式中选择某一模式；和/n控制机构，其构成为通过对所述进气阻尼器及所述进气扇、所述非活性气体导入管的阀、和所述排气扇及所述排气阀分别进行控制，来执行所述空气模式和所述吹扫模式中的某一模式。/n
【技术特征摘要】
20180727 JP 2018-1412161.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
进气阻尼器及进气扇，它们与向移载室吸入空气的进气口连通，该移载室连接于进行基板的处理的处理室；
非活性气体导入管的阀，该非活性气体导入管向所述移载室供给非活性气体；
排气扇及排气阀，它们设于所述移载室；
切换机构，其从将所述移载室的气体环境设为空气环境的空气模式和将所述移载室的气体环境设为非活性气体环境的吹扫模式中选择某一模式；和
控制机构，其构成为通过对所述进气阻尼器及所述进气扇、所述非活性气体导入管的阀、和所述排气扇及所述排气阀分别进行控制，来执行所述空气模式和所述吹扫模式中的某一模式。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制机构以如下方式进行控制：在执行所述空气模式的情况下，将测量所述移载室的氧气浓度的氧气浓度计设定为无效，打开所述进气阻尼器并将所述进气扇设定为打开，打开所述排气阀并将所述排气扇设定为打开，以及将所述非活性气体导入管的阀设定为关闭，由此将所述移载室的气体环境设为空气环境。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制机构以如下方式进行控制：在执行所述吹扫模式的情况下，将测量所述移载室的氧气浓度的氧气浓度计设定为有效，关闭所述进气阻尼器并将所述进气扇设定为关闭，关闭所述排气阀并将所述排气扇设定为关闭，以及将所述非活性气体导入管的阀设定为打开，由此将所述移载室的气体环境设为非活性气体环境。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制机构在所述移载室内将所述基板载置到基板保持件上或将其取出，并在载置有所述基板的状态下将所述基板保持件装载到所述处理室对所述基板进行处理，之后将所述基板保持件卸载到所述移载室，
所述控制机构构成为在进行所述装载时及/或进行所述卸载时对所述进气阻尼器及所述进气扇、所述非活性气体导入管的阀、和所述排气扇及所述排气阀分别进行控制。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述移载室还构成为具有：测量该移载室的氧气浓度的氧气浓度计；将所述移载室设为密闭空间的闸阀；和排气阀，其设于基板保持件升降机构的上部，该基板保持件升降机构在将所述基板保持件装载到所述处理室并对所述基板进行处理之后将所述基板保持件卸载到所述移载室。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制机构构成为决定在从所述空气模式和所述吹扫模式中选择某一模式时使用的所述切换机构的打开/关闭状态。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制机构构成为将所述切换机构的打开/关闭状态作为参数设定文件而存储在存储机构内。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制机构构成为将设定所述切换机构的打开/关闭状态的设定画面显示在显示机...
【专利技术属性】
技术研发人员：高畑觉，布村一朗，饭田宰，关原仁，筒口和典，柴田仁，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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