带过欠压的漏电保护电路制造技术

技术编号:23313077 阅读:24 留言:0更新日期:2020-02-11 17:17
本实用新型专利技术公开了一种带过欠压的漏电保护电路,包括过欠压检测电路模块,过欠压检测电路模块包括电阻R5、电阻R8、电阻R9、电阻R11、电阻R12、电容C9、电容C10、稳压管VD1、二极管D5、双向稳压二极管D4和三极管VT1,其中电阻R5和电阻R9的公共端与整流滤波电路模块连接,电阻R5和电阻R8的公共端连接到电容C9、双向稳压二极管D4和电阻R11的公共端,电阻R9另一端接到三极管VT1发射极、稳压管VD1和电容C10的公共端,电阻R8、电容C9、电容C10和稳压管VD1的另一端接地,电阻R11另一端接到三极管VT1的基极,双向稳压二极管D4另一端接到脱扣电路模块中可控硅的控制极,三极管VT1的集电极接到二极管D5和电阻R12的公共端,电阻R12另一端接地,二极管D5另一端接脱扣电路模块中可控硅的控制极。

Leakage protection circuit with over and under voltage

【技术实现步骤摘要】
带过欠压的漏电保护电路
本技术涉及漏电保护电路
,尤其是一种带过欠压的漏电保护电路。
技术介绍
目前,市场上的小型漏电保护器大多不带过欠压保护功能,或者只带过压保护不带欠压保护,如专利201420312351.1所述的带过压漏电保护电路(见附图1),该设计利用双向稳压管检测过压,达到过压保护的目的,但是在某些需要欠压保护的场合,比如负载是电机且电源处于欠压的情况下,如果断路器不能及时跳闸保护,电机温度升高可能会烧坏电机,如果使用带过欠压保护的断路器,则可以大大降低类似风险,从电路结构和成本上来说,本技术电路结构简单,成本低廉,性能稳定,从价格和性能上比较本技术方案具有更大优势。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本技术提供了一种采用双向稳压二极管检测过压,PNP三极管检测欠压,不仅可以在电路过压时进行保护,还能在电路欠压时进行保护,电路结构简单,成本低且易于实现的带过欠压的漏电保护电路。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案是:一种带过欠压的漏电保护电路,包括互感器、整流滤波电路模块、电源电路模块、漏电信号检测电路模块和脱扣电路模块,还包括过欠压检测电路模块,过欠压检测电路模块包括电阻R5、电阻R8、电阻R9、电阻R11、电阻R12、电容C9、电容C10、稳压管VD1、二极管D5、双向稳压二极管D4和三极管VT1,其中电阻R5和电阻R9的公共端与整流滤波电路模块连接,电阻R5和电阻R8的公共端连接到电容C9、双向稳压二极管D4和电阻R11的公共端,电阻R9另一端接到三极管VT1发射极、稳压管VD1和电容C10的公共端,电阻R8、电容C9、电容C10和稳压管VD1的另一端接地,电阻R11另一端接到三极管VT1的基极,双向稳压二极管D4另一端接到脱扣电路模块中可控硅的控制极,三极管VT1的集电极接到二极管D5和电阻R12的公共端,电阻R12另一端接地,二极管D5另一端接脱扣电路模块中可控硅的控制极。上述技术方案中,三极管VT1为PNP三极管用于检测欠压,双向稳压二极管D4用于检测过压,不仅可以在电路过压时进行保护,还能在电路欠压时进行保护,电路结构简单。作为本技术的进一步设置,所述整流滤波电路模块包括压敏电阻MYR1、二极管D1和电容C5,其中二极管D1的阳极接到脱扣电路模块中脱扣线圈L1和压敏电阻MYR1的公共端,二极管D1另一端接到电容C5的一端,电容C5另一端接地。上述技术方案中,采用的半波整流方案抗干扰能力强,方案易推广,实用性强。作为本技术的进一步设置,所述电阻R5和电阻R9的公共端连接到二极管D1阴极和电容C5的公共端。作为本技术的进一步设置,所述漏电信号检测电路模块包括漏电芯片U1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C6、电容C7、电容C8、电阻R6、电阻R7和双向二极管D2,其中电阻R7两端并接到互感器的两个输出端。作为本技术的进一步设置,所述双向二极管D2和电容C6并联在电阻R7上,电容C2连接在漏电芯片U1的1脚和2脚上,电阻R6连接在电容C2和电容C6的一端上,电容C8的一端与电容C2和电容C6的公共端连接,另一端接地,电容C4的一端与漏电芯片U1的4脚和5脚连接,另一端接地。作为本技术的进一步设置,所述电源电路模块包括电阻R1和电容C1,其中电阻R1一端连接到二极管D1阴极,另一端连接到漏电芯片U1的电源和电容C1的公共端,电容C1另一端接地。通过采用上述方案,当电路中出现过欠压时,断路器能可靠断开,保护范围更广,更安全可靠。下面结合附图对本技术作进一步描述。附图说明附图1为现有技术的电路图;附图2为本技术具体实施例电路图。具体实施方式本技术的具体实施例如图2所示,一种带过欠压的漏电保护电路,包括互感器、整流滤波电路模块、电源电路模块、漏电信号检测电路模块和脱扣电路模块,还包括过欠压检测电路模块,过欠压检测电路模块包括电阻R5、电阻R8、电阻R9、电阻R11、电阻R12、电容C9、电容C10、稳压管VD1、二极管D5、双向稳压二极管D4和三极管VT1,其中电阻R5和电阻R9的公共端与整流滤波电路模块连接,电阻R5和电阻R8的公共端连接到电容C9、双向稳压二极管D4和电阻R11的公共端,电阻R9另一端接到三极管VT1发射极、稳压管VD1和电容C10的公共端,电阻R8、电容C9、电容C10和稳压管VD1的另一端接地,电阻R11另一端接到三极管VT1的基极,双向稳压二极管D4另一端接到脱扣电路模块中可控硅的控制极,三极管VT1的集电极接到二极管D5和电阻R12的公共端,电阻R12另一端接地,二极管D5另一端接脱扣电路模块中可控硅的控制极。三极管VT1为PNP三极管用于检测欠压,双向稳压二极管D4用于检测过压,不仅可以在电路过压时进行保护,还能在电路欠压时进行保护,电路结构简单。上述整流滤波电路模块包括压敏电阻MYR1、二极管D1和电容C5,其中二极管D1的阳极接到脱扣电路模块中脱扣线圈L1和压敏电阻MYR1的公共端,二极管D1另一端接到电容C5的一端,电容C5另一端接地。采用的半波整流方案抗干扰能力强,方案易推广,实用性强。上述电阻R5和电阻R9的公共端连接到二极管D1阴极和电容C5的公共端。上述漏电信号检测电路模块包括漏电芯片U1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C6、电容C7、电容C8、电阻R6、电阻R7和双向二极管D2,其中电阻R7两端并接到互感器的两个输出端。上述双向二极管D2和电容C6并联在电阻R7上,电容C2连接在漏电芯片U1的1脚和2脚上,电阻R6连接在电容C2和电容C6的一端上,电容C8的一端与电容C2和电容C6的公共端连接,另一端接地,电容C4的一端与漏电芯片U1的4脚和5脚连接,另一端接地。上述电源电路模块包括电阻R1和电容C1,其中电阻R1一端连接到二极管D1阴极,另一端连接到漏电芯片U1的电源和电容C1的公共端,电容C1另一端接地。当电路中出现过欠压时,断路器能可靠断开,保护范围更广,更安全可靠。电路的原理:230V交流电经过二极管D1进行半波整流后,一路经过降压电阻R1和滤波电容C1连接到漏电芯片U1的电源端,另一路连接到过欠压检测电路模块,电阻R5和电阻R8均为分压电阻,它们的公共端连接到双向稳压二极管D4的一端,双向稳压二极管D4另一端接到可控硅D3的控制极,当电路处于过压状态时,双向稳压二极管D4导通,直接触发可控硅D3导通,从而引起脱扣线圈L1脱扣进行保护;稳压管VD1的阴极连接到PNP型三极管VT1的发射极,当电路欠压时,由于稳压管VD1的作用,三极管VT1的基极电压会低于发射极电压,此时三极管VT1导通,可控硅D3的控制极被触发,可控硅D3导通,脱扣线圈L1脱扣实现保护;当电路处于正常工作状态时,三极管VT1处于截止状态,稳压二极管D4处于关断状态,此时,只有当漏电存在且漏电流值大于漏电芯片设定的阀值时,漏电芯片U1才会发出高电平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带过欠压的漏电保护电路,包括互感器、整流滤波电路模块、电源电路模块、漏电信号检测电路模块和脱扣电路模块,其特征在于:还包括过欠压检测电路模块,过欠压检测电路模块包括电阻R5、电阻R8、电阻R9、电阻R11、电阻R12、电容C9、电容C10、稳压管VD1、二极管D5、双向稳压二极管D4和三极管VT1,其中电阻R5和电阻R9的公共端与整流滤波电路模块连接,电阻R5和电阻R8的公共端连接到电容C9、双向稳压二极管D4和电阻R11的公共端,电阻R9另一端接到三极管VT1发射极、稳压管VD1和电容C10的公共端,电阻R8、电容C9、电容C10和稳压管VD1的另一端接地,电阻R11另一端接到三极管VT1的基极,双向稳压二极管D4另一端接到脱扣电路模块中可控硅的控制极,三极管VT1的集电极接到二极管D5和电阻R12的公共端,电阻R12另一端接地,二极管D5另一端接脱扣电路模块中可控硅的控制极。/n

【技术特征摘要】
1.一种带过欠压的漏电保护电路,包括互感器、整流滤波电路模块、电源电路模块、漏电信号检测电路模块和脱扣电路模块,其特征在于:还包括过欠压检测电路模块,过欠压检测电路模块包括电阻R5、电阻R8、电阻R9、电阻R11、电阻R12、电容C9、电容C10、稳压管VD1、二极管D5、双向稳压二极管D4和三极管VT1,其中电阻R5和电阻R9的公共端与整流滤波电路模块连接,电阻R5和电阻R8的公共端连接到电容C9、双向稳压二极管D4和电阻R11的公共端,电阻R9另一端接到三极管VT1发射极、稳压管VD1和电容C10的公共端,电阻R8、电容C9、电容C10和稳压管VD1的另一端接地,电阻R11另一端接到三极管VT1的基极,双向稳压二极管D4另一端接到脱扣电路模块中可控硅的控制极,三极管VT1的集电极接到二极管D5和电阻R12的公共端,电阻R12另一端接地,二极管D5另一端接脱扣电路模块中可控硅的控制极。


2.根据权利要求1所述的带过欠压的漏电保护电路,其特征在于:所述整流滤波电路模块包括压敏电阻MYR1、二极管D1和电容C5,其中二极管D1的阳极接到脱扣电路模块中脱扣线圈L1和压敏电阻MYR1的公共端,二极管D...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘秀菊丁小伟
申请(专利权)人:德力西电气有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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