基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计制造技术

本发明专利技术涉及一种基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，包括基底、多个薄膜、多个导电件、多个导线及至少两个磁性件，各薄膜设置于基底的其中一面，每一薄膜上分别设置有两个导电件，每一导线的一端与一导电件连接，各导线的远离导电件的一端用于分别与电数据采集组件连接，两个磁性件分别设置于基底朝向薄膜的一面，两个磁性件围绕各薄膜设置，且两个磁性件对应设置，通过多个薄膜承载等离子体的辐射，当薄膜受到辐射后，会在薄膜表面产生电信号，通过导电件和导线测量能够使得电信号被电数据采集组件采集，从而可以通过薄膜上的电信号计算得到各薄膜所在的平面上的辐射量，从而精确地得到二维平面上的辐射量。

Measurement of plasma radiation energy based on thermal effect of metal film

【技术实现步骤摘要】
基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计
本专利技术涉及量热计
，特别是涉及基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计。
技术介绍
基于未来热核聚变实验装置(托卡马克)和商用聚变堆运行在高Q值输出模式，边界局域模(ELM)是托卡马克中高性能模式(H模)的独特现象。第Ⅰ类ELM产生能流密度为0.5～1.5MJ/m2的热负荷，持续时间约0.5ms，在第一壁材料及偏滤器部件上造成热老化及失效。针对应用于磁约束聚变装置中，面向等离子体材料(PFMs)受到的高热负荷等离子体的强烈辐照以及各种粒子的轰击，根据ITER和CFETR中ELM造成的PFMs上瞬态热负荷参数要求，提出利用毛细管等离子体模拟ELM高热负荷对PFMs侵蚀的相应等效模拟实验装置上等离子体辐射能量的测量。同时与其他传感器结合对等离子体形态调控技术，模拟高热负荷的产生，分析材料损伤和退化及预估寿命，对等离子体材料与部件的设计与加工提供了重要数据参考。目前，国内外相关的等离子体的量热计针对的是单一位置的等离子体辐射能量的测量，对等离子体辐射能量的分布做出了近似进而推算整本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，包括基底、多个薄膜、多个导电件、多个导线及至少两个磁性件，各所述薄膜分别设置于所述基底的其中一面，每一所述薄膜上分别设置有两个所述导电件，每一所述导线的一端与一所述导电件连接，各所述导线的远离所述导电件的一端用于分别与电数据采集组件连接，两个所述磁性件分别设置于所述基底朝向所述薄膜的一面，两个所述磁性件围绕各所述薄膜设置，且两个所述磁性件对应设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，包括基底、多个薄膜、多个导电件、多个导线及至少两个磁性件，各所述薄膜分别设置于所述基底的其中一面，每一所述薄膜上分别设置有两个所述导电件，每一所述导线的一端与一所述导电件连接，各所述导线的远离所述导电件的一端用于分别与电数据采集组件连接，两个所述磁性件分别设置于所述基底朝向所述薄膜的一面，两个所述磁性件围绕各所述薄膜设置，且两个所述磁性件对应设置。


2.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，还包括转移带和固定架，所述基底通过所述转移带与所述固定架粘接。


3.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，还包括屏蔽罩，所述屏蔽罩包裹所述基底设置。


4.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，还包括挡板，所述挡板设置于所述基底朝向所述薄膜的一面，且所述挡板围绕于所述薄膜的外侧设...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾炼，刘静，黄青丹，王勇，张亚茹，宋浩永，饶锐，赵崇智，李助亚，廖伟杰，陈于晴，
申请(专利权)人：广州供电局有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44