多结太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术提供了一种多结太阳能电池。该多结太阳能电池包括子电池和隧道结，子电池沿第一方向层叠设置，各隧道结设置在相邻的两个子电池之间，隧道结包括沿第一方向顺序层叠的n型重掺杂层、变质缓冲层和p型重掺杂层，变质缓冲层包括渐变缓冲层，n型重掺杂层的晶格常数为A，p型重掺杂层的晶格常数为B；渐变缓冲层中具有III族元素，III族元素的晶格常数在A与B之间，且渐变缓冲层的晶格常数为C，(A‑C)/A为第一失配率，(B‑C)/B为第二失配率，第一失配率和第二失配率不超过2％；或者在n型重掺杂层指向p型重掺杂层的方向上，渐变缓冲层中III族元素的晶格常数在A与B的范围内逐渐变化。

Multi junction solar cell

【技术实现步骤摘要】
多结太阳能电池
本技术涉及光伏
，具体而言，涉及一种多结太阳能电池。
技术介绍
多结GaAs太阳能电池以GaAs材料为基础，利用不同禁带宽度的材料相互搭配形成多结电池，各子电池分别吸收不同波段的太阳光谱，并用隧道结串联组成的电池具有很高的光电转化效率。目前GaAs太阳能电池主要是金属有机化合物气相沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD)和分子束外延(MolecularBeamEpitaxy，MBE)的方法进行制备。作为有效互连两个子电池的过渡结，隧道结具有高透光率，阻抗小，且其晶格常数和热膨胀系数应上下层匹配，可以增大电流的传导，减少应力的产生。目前，多结GaAs太阳能电池隧道结多由重掺杂的材料组成，重掺材料生长较为困难，易引起缺陷，形成复合中心，且与上下层失配较大，从而严重影响了隧道结的晶体质量。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种多结太阳能电池，以解决现有技术中多结太阳能电池中隧道结的晶体质量较差的问题。为了实现上述目的，根据本技术的一个方面，提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多结太阳能电池，其特征在于，包括N个子电池(20)和N-1个隧道结(30)，N个所述子电池(20)沿第一方向层叠设置，各所述隧道结(30)设置在相邻的两个所述子电池(20)之间，所述隧道结(30)包括沿所述第一方向顺序层叠的n型重掺杂层(302)、变质缓冲层(303)和p型重掺杂层(304)，所述变质缓冲层(303)包括渐变缓冲层(3032)，所述n型重掺杂层(302)的晶格常数为A，所述p型重掺杂层(304)的晶格常数为B，N为大于等于2的正整数；/n所述渐变缓冲层(3032)中具有III族元素，所述III族元素的晶格常数在A与B之间，且所述渐变缓冲层(3032)的晶格常数为C，(A...

【技术特征摘要】
1.一种多结太阳能电池，其特征在于，包括N个子电池(20)和N-1个隧道结(30)，N个所述子电池(20)沿第一方向层叠设置，各所述隧道结(30)设置在相邻的两个所述子电池(20)之间，所述隧道结(30)包括沿所述第一方向顺序层叠的n型重掺杂层(302)、变质缓冲层(303)和p型重掺杂层(304)，所述变质缓冲层(303)包括渐变缓冲层(3032)，所述n型重掺杂层(302)的晶格常数为A，所述p型重掺杂层(304)的晶格常数为B，N为大于等于2的正整数；
所述渐变缓冲层(3032)中具有III族元素，所述III族元素的晶格常数在A与B之间，且所述渐变缓冲层(3032)的晶格常数为C，(A-C)/A为第一失配率，所述第一失配率不超过2％，(B-C)/B为第二失配率，所述第二失配率不超过2％；或者
在所述n型重掺杂层(302)指向所述p型重掺杂层(304)的方向上，所述渐变缓冲层(3032)中III族元素的晶格常数在A与B的范围内逐渐变化。


2.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述渐变缓冲层(3032)的材料为化合物半导体材料，在所述n型重掺杂层(302)指向所述p型重掺杂层(304)的方向上，所述渐变缓冲层(3032)中的任意组分的摩尔浓度逐渐变化。


3.根据权利要求2所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述渐变缓冲层(3032)中的任意组分的摩尔浓度逐渐变化包括：
所述渐变缓冲层(3032)的材料为AlGaAs，在所述n型重掺杂层(302)指向所述p型重掺杂层(304)的方向上，AlGaAs中Al元素的摩尔浓度逐渐增大或逐渐减小；或
所述渐变缓冲层(3032)的材料为GaInP，在所述n型重掺杂层(302)指向所述p型重掺杂层(304)的方向上，GaInP中Ga元素的摩尔浓度逐渐增大或逐渐减小。


4.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王荣，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11