化学机械抛光设备和方法技术

本发明专利技术实施例涉及化学机械抛光设备和方法。一种CMP设备包含压板、在抛光操作期间保持半导体晶片的晶片载体、在所述抛光操作期间保持被配置成修复安置于所述压板上的抛光垫的修整机，以及被配置成在所述抛光操作期间检测振动的振动监视系统。所述振动监视系统包含被配置成产生多个第一振动信号的第一振动传感器。当所述多个振动信号之间的改变达到某一值时，触发针对所述抛光的终点。

Chemical mechanical polishing equipment and methods

【技术实现步骤摘要】
化学机械抛光设备和方法
本专利技术实施例涉及化学机械抛光设备和方法。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)广泛地用于集成电路的制造。当在半导体晶片的表面上逐层构建集成电路时，使用CMP使一或多个最顶部层平面化以提供用于后续制造操作的水平面。通过以下操作来实行CMP：在晶片载体中放置半导体晶片，所述晶片载体抵着附接到压板的抛光垫按压待抛光的晶片表面。压板和晶片载体反向旋转，同时将含有研磨颗粒和反应性化学品两者的研磨浆料施加到抛光垫。浆料经由抛光垫的旋转而输送到晶片表面。与研磨浆料中的反应性化学品结合的抛光垫和晶片表面的相对移动允许CMP借助于物理和化学动作两者使晶片表面变平。可在集成电路的制造期间的若干时间点处使用CMP。举例来说，可使用CMP使分离集成电路中的各个电路层的层间电介质层平面化。CMP还常常在集成电路中形成互连组件的导电线的过程中使用。通过以研磨方式抛光半导体晶片的表面，可移除层中的过多材料和表面粗糙度。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施例，一种化学机械抛光CMP设备，所述CMP设备包括：压板；晶片载体，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械抛光CMP设备，其包括：/n压板；/n晶片载体，其在抛光操作期间保持半导体晶片；/n修整机头，其在所述抛光操作期间保持被配置成修复安置于所述压板上的抛光垫的盘片；以及/n振动监视系统，其被配置成在所述抛光操作期间检测振动，其中所述振动监视系统包括：/n第一振动传感器，其被配置成产生多个第一振动信号；以及/n信号分析仪，其被配置成根据所述多个第一振动信号构造工艺模式。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,513;20190724 US 16/521,3661.一种化学机械抛光CMP设备，其包括：
压板；
晶片载体，其在抛光操作期间保持半导体晶片；
修...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄正吉，吴健立，彭禾辉，杨棋铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71