一种LED显示芯片及其制作方法技术

技术编号:23290666 阅读:48 留言:0更新日期:2020-02-08 20:07
本发明专利技术涉及半导体技术领域,具体公开了一种LED显示芯片,其中,包括:衬底,所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层,所述第二导电类型氮化镓层上设置透明电极层,所述透明电极层上设置焊盘电极层,所述焊盘电极层包括多个焊盘电极,所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。本发明专利技术还公开了一种LED显示芯片的制作方法。本发明专利技术提供的LED显示芯片可以实现超小间距的显示,从而为芯片小型化的实现提供了基础。

A LED display chip and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种LED显示芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种LED显示芯片及LED显示芯片的制作方法。
技术介绍
传统LED芯片都是单一的单元,如图1所示,只能作为一个单一的发光体进行控制,这样当多个单元在一起时由于相邻单元之间还需要间距,因此在应用时占据的空间会非常大,不利于芯片小型化的发展趋势。
技术实现思路
本专利技术提供了一种LED显示芯片及LED显示芯片的制作方法,解决相关技术中存在的芯片均为单一单元的问题。作为本专利技术的第一个方面,提供一种LED显示芯片,其中,包括:衬底,所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层,所述第二导电类型氮化镓层上设置透明电极层,所述透明电极层上设置焊盘电极层,所述焊盘电极层包括多个焊盘电极,所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。进一步地,所述焊盘电极层包括第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极,所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极均与所述透明电极层连接,所述第三焊盘电极与所述第一导电类型氮化镓层连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED显示芯片,其特征在于,包括:衬底,所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层,所述第二导电类型氮化镓层上设置透明电极层,所述透明电极层上设置焊盘电极层,所述焊盘电极层包括多个焊盘电极,所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED显示芯片,其特征在于,包括:衬底,所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层,所述第二导电类型氮化镓层上设置透明电极层,所述透明电极层上设置焊盘电极层,所述焊盘电极层包括多个焊盘电极,所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。


2.根据权利要求1所述的LED显示芯片,其特征在于,所述焊盘电极层包括第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极,所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极均与所述透明电极层连接,所述第三焊盘电极与所述第一导电类型氮化镓层连接。


3.根据权利要求2所述的LED显示芯片,其特征在于,所述第三焊盘电极穿过通孔与所述第一导电类型氮化镓层连接,其中所述通孔贯穿所述量子阱层和第二导电类型氮化镓层。


4.根据权利要求3所述的LED显示芯片,其特征在于,所述焊盘电极层与所述透明电极层之间设置有绝缘层,所述通孔的侧壁上均设置有绝缘层。


5.根据权利要求1至4中任意一项所述的LED显示芯片,其特征在于,所述LED显示芯片包括N型LED显示芯片和P型LED显示芯片,当所述LED显示芯片为N型LED显示芯片时,第一导电类型为N型,第二导电类型为P型;当所述LED显示芯片为P型LED显示芯片时,第一导电类型为P型,第二导电类型为N型。


6.根据权利要求1所述的LED显示芯片,其特征在于,所述衬底包括蓝宝石衬底。


7.一种LED显示芯片的制作方法,其特征在于,包括:
...

【专利技术属性】
技术研发人员:华利生周逢春张斌斌
申请(专利权)人:江苏新广联科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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