一种回音壁式的堆叠晶体滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种回音壁式的堆叠晶体滤波器，包括：输入电极；输出电极，所述输出电极与所述输入电极成匹配设计；压电层，所述压电层位于所述输入电极和所述输出电极的下方；底电极，所述底电极包括位于所述压电层下面的底部和垂直贯穿所述压电层的侧部，所述底部与所述侧部形成如回音壁式的包围结构；硅衬底，所述硅衬底位于所述底电极底部下方；以及空气腔，所述空气腔位于所述硅衬底的底部。

A stacked crystal filter with echo wall

【技术实现步骤摘要】
一种回音壁式的堆叠晶体滤波器
本技术涉及电子通信
，尤其涉及一种应用于电子电路中滤波器的一种的回音壁式的堆叠晶体滤波器结构。
技术介绍
当前射频MEMS器件对射频系统有着很好的性能改善作用，其技术的发展速度也很快。薄膜体声波滤波器在高敏感传感器、时间基准以及射频带通滤波器有着很广泛的应用。基于硅的薄膜体声波滤波器具有有高功率容量、较低的插入损耗以及高Q值等优良特性，在射频系统中有着极其优越的应用价值和市场前景。目前改善薄膜体声波滤波器器件性能的方法有很多，主要在于提高压电层C轴特性，减小损耗，提高品质因子等众多方法。不断优化薄膜体声波器件的性能，需要不断优化制备工艺，获得高质量的器件材料特性，在目前材料基本探索完备的情况下，只有不断优化发器件结构，进一步获取更优的器件性能。本技术提出一种新型的回音壁式的堆叠晶体滤波器结构，减少了器件损耗，同时具有更灵活的输入输出端的角度选取，从而可以获得更好的滤波器性能。
技术实现思路
为了减少了器件损耗，同时具有更灵活的输入输出端的角度选取，从而获得更优的器件性能，根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种回音壁式的堆叠晶体滤波器，其特征在于，包括：/n输入电极；/n输出电极，所述输出电极与所述输入电极成匹配设计；/n压电层，所述压电层位于所述输入电极和所述输出电极的下方；/n底电极，所述底电极包括位于所述压电层下面的底部和垂直贯穿所述压电层的侧部，所述底部与所述侧部形成如回音壁式的包围结构；/n硅衬底，所述硅衬底位于所述底电极底部下方；以及/n空气腔，所述空气腔位于所述硅衬底的底部。/n

【技术特征摘要】
1.一种回音壁式的堆叠晶体滤波器，其特征在于，包括：
输入电极；
输出电极，所述输出电极与所述输入电极成匹配设计；
压电层，所述压电层位于所述输入电极和所述输出电极的下方；
底电极，所述底电极包括位于所述压电层下面的底部和垂直贯穿所述压电层的侧部，所述底部与所述侧部形成如回音壁式的包围结构；
硅衬底，所述硅衬底位于所述底电极底部下方；以及
空气腔，所述空气腔位于所述硅衬底的底部。


2.如权利要求1所述的回音壁式的堆叠晶体滤波器，其特征在于，所述输入电极和所述输出电极为半圆对接电极，输入电极和所述输出电极间具有间隙。


3.如权利要求2所述的回音壁式的堆叠晶体滤波器，其特征在于，所述输入电极和所述输出电极的材料为钼和或金和或铝和或铜。

【专利技术属性】
技术研发人员：申洪霞，欧文，曹立强，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31