【技术实现步骤摘要】
一种太赫兹宽带吸收装置
本技术涉及太赫兹
，特别涉及一种太赫兹宽带吸收装置。
技术介绍
太赫兹辐射技术和超材料理论随着时间的发展不断成熟、完善，基于此的各类新型超材料结构的太赫兹波功能器件发展前景广阔，是现今科研关注的重点和热点。其中基于电磁超材料的太赫兹吸收体由于其独特的性能，使其在微型测辐射热仪、频谱成像、隐身技术、太赫兹成像、通信传感、生物医学等领域内可以发挥更好的效果，研究前景广阔。在大多数应用中，往往需要的是太赫兹宽带吸收体来制备传感器、调制器、微测热福射计和宽带抗反射膜等宽带太赫兹功能器件。本技术在石墨烯的基础上构建超材料太赫兹波宽带吸收体。利用这种结构的吸收体制备的传感器具有高灵敏度和高分辨率的特性，有广阔的应用前景和研究意义。
技术实现思路
为了克服以上技术问题，本技术提供一种太赫兹宽带吸收装置，实现在较宽频率范围内达到高吸收的目的。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种太赫兹宽带吸收装置，包括由上至下设置表层的石墨烯1，中间的介质层2，以及底层的金属3。所述的石墨烯1为单层结构，边长为35μm，正方形表层。所述的介质层2为聚合物，厚度为30μm，边长为38μm，正方形表层。所述的金属3为金Au，厚度为200nm，边长为38μm，正方形表层。所述的石墨烯1的费米能级为0.5eV。本技术的有益效果：所述的石墨烯1费米能级为0.5eV时，该超材料吸收体在0.75～2.0THz的超宽频率范围内太赫兹波的...
【技术保护点】
1.一种太赫兹宽带吸收装置，其特征在于，包括由上至下设置表层的石墨烯(1)，中间的介质层(2)，以及底层的金属(3)；/n所述的石墨烯(1)为单层结构，边长为35μm，正方形表层；/n所述的介质层(2)为聚合物，厚度为30μm，边长为38μm，正方形表层；/n所述的金属(3)为金Au，厚度为200nm，边长为38μm，正方形表层；/n所述的石墨烯(1)的费米能级为0.5eV。/n
【技术特征摘要】
1.一种太赫兹宽带吸收装置，其特征在于，包括由上至下设置表层的石墨烯(1)，中间的介质层(2)，以及底层的金属(3)；
所述的石墨烯(1)为单层结构，边长为35μm，正方形表层；
所述...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。