【技术实现步骤摘要】
一种单晶制绒的提拉方法及装置
本专利技术涉及一种单晶制绒的提拉方法及装置。
技术介绍
单晶硅片加工过程中，越来越多的采用金刚线切割技术，金刚线切割属于固结磨料切割，对比砂线切割，金刚线切割的特点为表面致密、光滑，在后续单晶硅片制绒过程中，碱液与金刚线切割硅片表面的反应速度较慢，制绒过程对脏污的屏蔽能力减弱，会造成制绒发白斑、白边等问题，现有单晶清洗工艺往往只重视硅片的药剂配比，添加量，药槽清洗时间及清洗温度方面细微调整，但是对单晶制绒脏污的改善都不理想。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种单晶制绒的提拉方法及装置，用以提高硅片脱水均匀性及制绒后的洁净度。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：根据本专利技术第一方面实施例的单晶制绒的慢提拉方法，用于硅片的预脱水中，所述硅片装在花篮的插槽中，包括：在所述硅片离开水的表面之前，将盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度；在所述硅片离开水的表面之后，将盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，以使所述硅片向所述插槽的侧壁倾斜，所述第一...
【技术保护点】
1.一种单晶制绒的慢提拉方法，用于硅片的预脱水中，所述硅片装在花篮的插槽中，其特征在于，包括：/n在所述硅片离开水的表面之前，将盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度；/n在所述硅片离开水的表面之后，将盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，所述第一角度小于第二角度。/n
【技术特征摘要】
1.一种单晶制绒的慢提拉方法，用于硅片的预脱水中，所述硅片装在花篮的插槽中，其特征在于，包括：
在所述硅片离开水的表面之前，将盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度；
在所述硅片离开水的表面之后，将盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，所述第一角度小于第二角度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一角度范围在0°到10°之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述硅片的厚度在165-180μm时，所述第二角度为20-40°。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
通过控制程序控制所述花篮倾斜的第一角度和第二角度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硅片离开水的表面之前，硅片在水中提拉的时间为10-60s，在所述硅片离开水的表面之后，硅片的提拉的时间为10-60s。
6.一种单晶制绒的慢提拉装置，其特征在于，包括：
提拉架；
花篮，所述花篮固定在所述提拉架上，所述花篮内部设有多个用于盛装硅片的插槽；
驱动装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾永前，樊欢欢，董慧，
申请(专利权)人：晶海洋半导体材料东海有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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