一种单晶制绒的提拉方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种单晶制绒的提拉方法及装置，其中，单晶制绒的慢提拉方法，用于硅片的预脱水中，所述硅片装在花篮的插槽中，包括：在所述硅片离开水的表面之前，将盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度；在所述硅片离开水的表面之后，将盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，以所述硅片向所述插槽的侧壁倾斜的角度，所述第一角度小于第二角度。根据本发明专利技术实施例的光单晶制绒的提拉方法，能够在单晶制绒清洗硅片过程中，提高硅片脱水效果，减少硅片边缘制绒发白的问题，提高硅片良品率。

A lifting method and device for single crystal velvet production

【技术实现步骤摘要】
一种单晶制绒的提拉方法及装置
本专利技术涉及一种单晶制绒的提拉方法及装置。
技术介绍
单晶硅片加工过程中，越来越多的采用金刚线切割技术，金刚线切割属于固结磨料切割，对比砂线切割，金刚线切割的特点为表面致密、光滑，在后续单晶硅片制绒过程中，碱液与金刚线切割硅片表面的反应速度较慢，制绒过程对脏污的屏蔽能力减弱，会造成制绒发白斑、白边等问题，现有单晶清洗工艺往往只重视硅片的药剂配比，添加量，药槽清洗时间及清洗温度方面细微调整，但是对单晶制绒脏污的改善都不理想。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种单晶制绒的提拉方法及装置，用以提高硅片脱水均匀性及制绒后的洁净度。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：根据本专利技术第一方面实施例的单晶制绒的慢提拉方法，用于硅片的预脱水中，所述硅片装在花篮的插槽中，包括：在所述硅片离开水的表面之前，将盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度；在所述硅片离开水的表面之后，将盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，以使所述硅片向所述插槽的侧壁倾斜，所述第一角度小于第二角度。所述第一角度及第二角度是指花篮底部平面相对于水的表面的角度。优选地，所述第一角度范围为0°到10°之间。优选地，当所述硅片的厚度在165-180μm时，所述第二角度为20-40，优选为21°。优选地，通过控制程序控制所述花篮倾斜的第一角度和第二角度。优选地，在所述硅片离开水的表面之前，硅片在水中提拉的时间为10-60s，优选为30s，在所述硅片离开水的表面之后，硅片的提拉的时间为10-60s，优选为30s。根据本专利技术第二方面实施例的单晶制绒的慢提拉装置，包括：提拉架；花篮，所述花篮固定在所述提拉架上，所述花篮内部设有多个用于盛装硅片的插槽；驱动装置，所述驱动装置与所述提拉架连接，用于驱动所述提拉架翻转以调节所述花篮倾斜的角度；所述驱动装置在所述硅片离开水的表面之前，驱动盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度，以使所述硅片向所述插槽的侧壁倾斜，并在所述硅片离开水的表面之后，驱动盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，以增大所述硅片向所述插槽的侧壁倾斜的角度，所述第一角度小于第二角度。优选地，所述单晶制绒的慢提拉装置，还包括：控制器，所述控制器与所述驱动装置连接，并控制所述驱动装置在所述硅片离开水的表面之前，驱动盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度，并在所述硅片离开水的表面之后，驱动盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度。优选地，所述第一角度范围在0°到10°之间。优选地，当所述硅片的厚度在165-180μm时，所述第二角度为20-40°，优选地21°。优选地，所述单晶制绒的慢提拉装置，还包括：液位传感器，所述液位传感器与所述控制器连接，所述液位传感器用于监测硅片是否离开水的表面。本专利技术的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：根据本专利技术实施例的单晶制绒的提拉方法及装置，能够在单晶制绒的脱水过程中，提高了硅片脱水的均匀性，改善硅片制绒白斑，白边现象，节约后期加工成本，保证了硅片良品率。附图说明图1为本专利技术实施例单晶制绒的提拉方法的流程图；图2为本专利技术实施例单晶制绒的提拉装置的结构示意图；图3为本专利技术实施例的单晶制绒的提拉装置调节提拉架倾斜角度为0°时的状态图；图4为本专利技术实施例的单晶制绒的提拉装置调节提拉架篮倾斜角度为10°时的状态图；图5为本专利技术实施例的单晶制绒的提拉装置调节提拉架倾斜角度为21°时的状态图；。图6为本专利技术实施例的单晶制绒的提拉装置花篮倾斜角度为21°时的状态图。附图标记：花篮10；提拉架20；驱动装置30。具体实施方式下面首先结合附图具体描述根据本专利技术第一方面实施例的单晶制绒的提拉方法。如图1所示，根据本专利技术实施例的单晶制绒的提拉方法，用于硅片的预脱水中，包括：步骤S10，在硅片离开水的表面之前，将盛装硅片的花篮倾斜第一角度。其中，花篮中设有多个用于盛装硅片的插槽，当花篮倾斜第一角度时，将影响硅片在插槽内的倾斜角度，进而影响脱水的效果。步骤S20，在硅片离开水的表面之后，将盛装硅片的花篮倾斜第二角度，以硅片向插槽的侧壁倾斜的角度，第一角度小于第二角度。可以理解的是，花篮的倾斜角度可以改变硅片在花篮内的倾斜角度，即可以影响插槽侧壁与硅片的接触部位和接触面积，在硅片脱水的过程中，花篮侧壁与硅片的接触面积越小，硅片脱水的效果就会越好。进一步地，硅片在水中和水上受到的外力不同也会影响到硅片的倾斜角度，进而影响硅片与插槽侧壁之间的接触的部位和接触面积，本申请通过在水中使花篮倾斜第一角度，在花篮离开水的表面时将花篮倾斜第二角度，第一角度小于第二角度，以提高硅片的脱水效果，可以理解的是，硅片在水中的受力相对水上是均匀的，而在硅片离开水的表面时，会受到硅片自身的重力，以及硅片与插槽底壁或侧壁之间残留的水的张力的影响，使得硅片在水上和水下的脱水条件不同。因此，本申请将第二角度设置为大于第一角度，可以使硅片在水上和水下都可以很好的脱水，进而提高硅片的脱水效果，避免硅片因脱水效果不佳而导致硅片制绒花边的问题。由此，本专利技术实施例的单晶制绒的慢提拉方法，通过改变花篮在水中和水上的倾斜角度，进而改变硅片在水中状态和水上状态下与花篮的接触位置和接触面积，尽可能的提高硅片的脱水效果，避免硅片制绒发白、白边的问题，提高硅片的质量。具体地，根据本专利技术的一个实施例，第一角度范围在0°到10°之间。优选地，第一角度范围可以设置0°。也就是说，硅片与花篮的底壁是垂直的或接近垂直的状态，同时，花篮采用垂直慢拉的方式，在硅片向上提拉时，可以有效地减少两侧挂水的现象，挂水片比率和制绒白边比率显著减低。优选地，在第一角度范围在0°时，更有利于硅片均匀脱水，减少硅片边缘制绒发白的问题。根据本专利技术的一个优选实施例，当硅片的厚度在165-180μm时，第二角度为20-40°，优选地为21°，进一步地，当硅片的厚度在170μm时，第二角度为21°时，挂水片比率和制绒白边比率为较低，提高了硅片的质量。为了找到单晶制绒提拉方法花篮慢提拉时最佳的倾斜角度，设置第一角度(在硅片离开水的表面之前花篮倾斜角度)为0°和10°，第二角度(在硅片离开水的表面之后花篮倾斜角度)分别为0°、10°和21°。统计试验中硅片脱水后挂水片数量和制绒白边数量，并计算得出挂水片比率和制绒白边比率。选择170μm厚度硅片做了大量试验。实验结果如下表1所示。表1从表1中可以看出，当第一角度为0°或10°，第二角度为21°时，挂水片比率为分别为0.01和0.02，制绒白边比率分别为0.20％和1.22％，也就是说，当第二角度在21°时均具有较低的挂水片比率，且在第一角度为0°，第二角度为21°时具有较低的挂水片比率和制绒白边比率。根据本申请的另一个实施例，通过控制程本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶制绒的慢提拉方法，用于硅片的预脱水中，所述硅片装在花篮的插槽中，其特征在于，包括：/n在所述硅片离开水的表面之前，将盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度；/n在所述硅片离开水的表面之后，将盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，所述第一角度小于第二角度。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶制绒的慢提拉方法，用于硅片的预脱水中，所述硅片装在花篮的插槽中，其特征在于，包括：
在所述硅片离开水的表面之前，将盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度；
在所述硅片离开水的表面之后，将盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，所述第一角度小于第二角度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一角度范围在0°到10°之间。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述硅片的厚度在165-180μm时，所述第二角度为20-40°。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
通过控制程序控制所述花篮倾斜的第一角度和第二角度。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硅片离开水的表面之前，硅片在水中提拉的时间为10-60s，在所述硅片离开水的表面之后，硅片的提拉的时间为10-60s。


6.一种单晶制绒的慢提拉装置，其特征在于，包括：
提拉架；
花篮，所述花篮固定在所述提拉架上，所述花篮内部设有多个用于盛装硅片的插槽；
驱动装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾永前，樊欢欢，董慧，
申请(专利权)人：晶海洋半导体材料东海有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32