利用四甲基胍有机碱在单晶硅表面制绒的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用四甲基胍有机碱在单晶硅片制绒的方法，首先清洗硅片，然后以去离子水位溶剂，配制四甲基胍和异丙醇混合溶液，其中四甲基胍的体积比为10％，异丙醇的体积比为7％，80℃的水浴锅中预热备用；将硅片放入制绒液中，80℃下水浴加热35min，并用去离子水冲洗二到三次，再用去离子水超声5min以除去溶液残留。本发明专利技术提出的四甲基胍有机碱单晶硅制绒后的光学反射率大幅降低，同时消除了制绒液中金属离子对硅片的污染，也降低了制绒废液的后续处理成本。

The method of making fluff on the surface of monocrystalline silicon with organic base of tetramethylguanidine

【技术实现步骤摘要】
利用四甲基胍有机碱在单晶硅表面制绒的方法
本专利技术属于光伏
，特别是涉及一种利用四甲基胍有机碱在单晶硅片制绒的方法。
技术介绍
单晶硅太阳能电池的绒面特性是影响其转换效率的重要因素之一。目前已有的制绒方法有：化学腐蚀法、反应离子刻蚀法、光刻法、机械刻槽法等。在上述的几种方法中，机械刻槽法是在多晶硅表面用多个刀片同时刻出V型槽来减少光学反射。虽然具有工艺简单、刻槽速度快的优点，但是机械刻槽深度比较深，要求硅片比较厚，不适合薄衬底太阳能电池的制作。同时，刻蚀过程中，硅片表面会造成损伤，同时也会引入一些杂质。反应离子刻蚀法又称等离子体刻蚀，是采用低压气体产生等离子体，利用物理机制辅助化学刻蚀或者产生反应离子参与化学刻蚀的一种干法腐蚀工艺。其形成的绒面反射率特别低，在450到1000nm光谱范围内的反射率可小于2％，但是硅表面损伤严重，电池的开路电压和填充因子都会下降，此外，具有产量较低且造价高昂的缺点。化学腐蚀法一般采用碱(NaOH或KOH)醇(异丙醇或乙醇)的混合溶液作为腐蚀体系。其中碱为腐蚀剂，用于腐蚀硅片，醇为消泡剂，用于除去反应产生的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用四甲基胍有机碱在单晶硅片制绒的方法，其特征在于：包括如下步骤：/n1)清洗硅片；/n2)以去离子水位溶剂，配制四甲基胍和异丙醇混合溶液，其中四甲基胍的体积比为10％，异丙醇的体积比为7％，80℃的水浴锅中预热备用；/n3)将步骤1)所得的硅片放入步骤2)所得的制绒液中，80℃下水浴加热35min，并用去离子水冲洗二到三次，再用去离子水超声5min以除去溶液残留。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用四甲基胍有机碱在单晶硅片制绒的方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)清洗硅片；
2)以去离子水位溶剂，配制四甲基胍和异丙醇混合溶液，其中四甲基胍的体积比为10％，异丙醇的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仕华，张嘉华，
申请(专利权)人：浙江师范大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33