【技术实现步骤摘要】
一种通过重复利用无氮黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种通过重复利用无氮黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法。
技术介绍
随着化石能源储量的逐渐减少和环境问题的日益严峻，大力推动可再生能源的开发利用和改善能源结构已经成为了当前发展的重点。太阳能是目前应用最为广泛的清洁能源之一，光伏产业的进步和发展对于能源结构的调整和改善具有重要的意义。黑硅技术是目前光伏领域的研究热点，其主要通过在硅片表面形成特定的绒面结构来实现较宽波段范围内的良好的光吸收。黑硅技术主要可分为干法黑硅技术和湿法黑硅技术，其中，干法黑硅技术包括反应离子刻蚀法和飞秒激光法等，而湿法黑硅技术主要包括电化学腐蚀法和金属催化刻蚀法。在利用金属催化刻蚀法制绒的过程中，首先利用黑硅制绒液对硅片进行处理，会在硅片的表面沉积形成一定量的金属颗粒，然后采用黑硅清洗液溶解沉积在硅片表面上的金属颗粒以将其去除，从而得到相应的制绒片。目前，产业中常用的黑硅清洗液中均含有氮化物，例如可以采用硝酸溶液或氨水双氧水的混合溶液作为黑硅清洗液。对于由...
【技术保护点】
1.一种通过重复利用无氮黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法，所述方法包括以下步骤：/n(1)将硅片浸入含有铜盐、氢氟酸和双氧水的黑硅制绒液中进行制绒；/n(2)用去离子水清洗所述步骤(1)中制得的制绒后的硅片，吹干；/n(3)采用无氮黑硅清洗液清洗所述步骤(2)中得到的吹干后的硅片以去除沉积在硅片表面上的金属颗粒；其中，所述无氮黑硅清洗液包含选自氢氟酸、盐酸、硫酸和醋酸中的一种或多种酸和双氧水；/n(4)用去离子水清洗所述步骤(3)中得到的无氮黑硅清洗液清洗后的硅片，吹干，制得具有绒面结构的硅片；和/n(5)重复步骤(1)至(4)，直至无氮黑硅清洗液达到使用寿命，以达到使用寿命...
【技术特征摘要】
1.一种通过重复利用无氮黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将硅片浸入含有铜盐、氢氟酸和双氧水的黑硅制绒液中进行制绒；
(2)用去离子水清洗所述步骤(1)中制得的制绒后的硅片，吹干；
(3)采用无氮黑硅清洗液清洗所述步骤(2)中得到的吹干后的硅片以去除沉积在硅片表面上的金属颗粒；其中，所述无氮黑硅清洗液包含选自氢氟酸、盐酸、硫酸和醋酸中的一种或多种酸和双氧水；
(4)用去离子水清洗所述步骤(3)中得到的无氮黑硅清洗液清洗后的硅片，吹干，制得具有绒面结构的硅片；和
(5)重复步骤(1)至(4)，直至无氮黑硅清洗液达到使用寿命，以达到使用寿命的无氮黑硅清洗液为原料配制所述步骤(1)中所述的黑硅制绒液。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅片为P型金刚线切多晶硅片、P型金刚线切单晶硅片、N型金刚线切单晶硅片或P型砂浆切割多晶硅片，优选为P型金刚线切多晶硅片或P型金刚线切单晶硅片。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述铜盐为选自硝酸铜、氟化铜、氯化铜、醋酸铜和硫酸铜中的一种或多种，优选为硝酸铜和/或氟化铜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述步骤(1)中所述的黑硅制绒液包含0.01-30mmol/L的铜盐、0.5-10mol/L的氢氟酸和0.1-5mol/L的双氧水；
优选地，所述步骤(1)中所述的黑硅制绒液包含0.5-5mmol/L的铜盐、3-6mol/L的氢氟酸和0.6-2mol/L的双氧水。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述步骤(1)中制绒的温度为40-80℃，优选为40-60℃，更优选为40-50℃；时间为30秒至15分钟，优选为3-5分钟。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述步骤(3)中所述无氮黑硅清洗液中所述的一种或多种酸的浓度为0.1-10mol/L，以及所述双氧水浓度为0.1-10mol/L；
优选地，所述步骤(3)中所述无氮黑硅清洗液中所述的一种或多种酸的浓度为1-2mol/L，以及所述双氧水浓度为2-5mol/L。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述步骤(...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘尧平，赵燕，王燕，杜小龙，朱姚培，唐磊，蒋健，王磊，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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