光刻机晶圆载台制造技术

本发明专利技术涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及光刻机晶圆载台，包括基板载板，所述基板载板置于能抽真空的腔室中；若干个支柱，若干个所述支柱依次设于所述基板载板上，任意相邻的两个所述支柱形成有一个吸附间隙；若干个所述支柱的上表面位于同一平面上；所述吸附间隙在所述腔室抽真空过程中能将所述晶圆吸附并定位于所述支柱的上表面；所述支柱的上表面在中心位置设有颗粒容纳槽；所述颗粒容纳槽的槽深小于所述支柱的高度。其能有效解决在光刻曝光过程中在晶圆表面或者支柱上产生颗粒杂质对晶圆表面光刻曝光的影响。

Wafer stage of lithography machine

【技术实现步骤摘要】
光刻机晶圆载台
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种光刻机晶圆载台。
技术介绍
光刻(photoetchingorlithography)是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。其基本原理是：利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)曝光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工的晶片(wafer)表面上。在曝光过程中，由于曝光系统一次曝光的面积大小是有限的，因此在曝光时需要将一个晶圆划分为多个曝光单元(shot)分别进行曝光成像。由于光的直线传播原理，一旦晶圆表面出现颗粒，颗粒会导致图案散焦或者叠对错误。为了避免因晶圆表面颗粒导致曝光过程导致的图案散焦或叠对错误，现有技术如中国专利CN203967038U公开的一种晶圆背面清洗装置，通过对吸附装置的结构设计，在进行晶圆背面清洗时，可将晶圆背面的污染颗粒牢固的吸附于吸附管上，并可多次反复进行确保晶圆背面不同尺寸的污染颗粒被吸附。又如中国专利CN1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻机晶圆载台，其特征在于，包括：基板载板，所述基板载板置于能抽真空的腔室中，用以在光刻过程中承载晶圆；/n所述基板载板的上表面凸设有若干个支柱，任意相邻的两个所述支柱之间形成有一个吸附间隙；所述支柱的顶面位于同一平面上；所述吸附间隙在所述腔室抽真空过程中能将晶圆吸附并定位于所述支柱的顶面；所述支柱的顶面在中心位置设有颗粒容纳槽；所述颗粒容纳槽的槽深小于等于所述支柱相对于所述吸附间隙的底部的凸起高度。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻机晶圆载台，其特征在于，包括：基板载板，所述基板载板置于能抽真空的腔室中，用以在光刻过程中承载晶圆；
所述基板载板的上表面凸设有若干个支柱，任意相邻的两个所述支柱之间形成有一个吸附间隙；所述支柱的顶面位于同一平面上；所述吸附间隙在所述腔室抽真空过程中能将晶圆吸附并定位于所述支柱的顶面；所述支柱的顶面在中心位置设有颗粒容纳槽；所述颗粒容纳槽的槽深小于等于所述支柱相对于所述吸附间隙的底部的凸起高度。


2.根据权利要求1所述的光刻机晶圆载台，其特征在于，所述颗粒容纳槽的底部尺寸小于所述吸附间隙的尺寸。


3.根据权利要求1或2所述的光刻机晶圆载台，其特征在于，所述颗粒容纳槽的底部尺寸介于所述颗粒容纳槽的槽口尺寸的1/2-2/3。


4.根据权利要求1所述的光刻机晶圆载台，其特征在于，所述颗粒容纳槽呈倒圆锥形凹穴结构，所述颗粒容纳槽的槽壁与所述颗粒容纳槽的底部的空隙夹角介于100度-130度。


5.根据权利要求4所述的光刻机晶圆载台...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34