图像传感器制造技术

本公开提供了图像传感器，所述图像传感器的实施方式可以包括：硅层，所述硅层具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧；第一开口，所述第一开口从所述硅层的所述第一侧朝向所述第二侧延伸到所述硅层中；通孔，所述通孔从所述硅层的所述第二侧延伸到所述硅层中；和导电焊盘，所述导电焊盘在所述第一开口内。所述导电焊盘可以耦接到所述通孔。所述第一开口可以包括填充材料。所述填充材料的至少一部分可以形成与所述硅层的所述第一侧基本上平行的平面。所述导电焊盘可以通过第二开口暴露在所述填充材料中。

image sensor

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
本文件的各方面整体涉及图像传感器半导体封装(本文称为“图像传感器”)。更具体的实施方式涉及背照式照明(BSI)图像传感器的导电焊盘区。
技术介绍
图像传感器通过响应于入射电磁辐射传送信号来传达与图像有关的信息。图像传感器用于多种设备中，包括智能电话、数码相机、夜视设备、医疗成像器和许多其他设备。BSI图像传感器可以用于提高图像传感器的光接收效率，特别是针对特定光波长。
技术实现思路
图像传感器的实施方式可以包括：硅层，该硅层具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；第一开口，该第一开口从硅层的第一侧朝向第二侧延伸到硅层中；通孔，该通孔从硅层的第二侧延伸到硅层中；和导电焊盘，该导电焊盘在第一开口内。导电焊盘可以耦接到通孔。第一开口可以包括填充材料。填充材料的至少一部分可以形成与硅层的第一侧基本上平行的平面。导电焊盘可以通过第二开口暴露在填充材料中。图像传感器的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任何一者：在硅层与通孔之间可以包括介电层。在填充材料与硅层之间可以包括介电层。在填充材料与硅层之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：/n硅层，所述硅层包括第一侧和第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；/n第一开口，所述第一开口从所述硅层的所述第一侧朝向所述第二侧延伸到所述硅层中；/n通孔，所述通孔从所述硅层的所述第二侧延伸到所述硅层中；和/n导电焊盘，所述导电焊盘在所述第一开口内，所述导电焊盘耦接到所述通孔；/n其中所述第一开口包括填充材料；/n其中所述填充材料的至少一部分形成与由所述硅层的所述第一侧形成的平面平行的平面；并且/n其中所述导电焊盘通过第二开口暴露在所述填充材料中。/n

【技术特征摘要】
20180213 US 15/895,6681.一种图像传感器，其特征在于，包括：
硅层，所述硅层包括第一侧和第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；
第一开口，所述第一开口从所述硅层的所述第一侧朝向所述第二侧延伸到所述硅层中；
通孔，所述通孔从所述硅层的所述第二侧延伸到所述硅层中；和
导电焊盘，所述导电焊盘在所述第一开口内，所述导电焊盘耦接到所述通孔；
其中所述第一开口包括填充材料；
其中所述填充材料的至少一部分形成与由所述硅层的所述第一侧形成的平面平行的平面；并且
其中所述导电焊盘通过第二开口暴露在所述填充材料中。


2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括在所述硅层与所述通孔之间的介电层。


3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括在所述填充材料与所述硅层之间的介电层。


4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括在所述填充材料与所述硅层之间的高介电常数介电层，其中所述高介电常数介电层是具有高于SiO2的介电常数的介电常数的介电层。


5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括从所述硅层的所述第二侧延伸到所述硅层中的第二通孔，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·伯萨克，马克·艾伦·撒弗里奇，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US