一种包含光控晶闸管的半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种包含光控晶闸管的半导体器件，包括LED激光发射器和光敏晶闸管，且所述LED激光发射器和光敏晶闸管封装在所述半导体器件内；所述LED激光发射器通过外部信号激励发射激光信号，所述光敏晶闸管为没有栅极但对光信号敏感的大功率晶闸管，通过所述LED激光发射器直接驱动所述大功率光敏晶闸管，从而使得所述半导体器件的功耗大大降低，而且工作速度进一步提升，版图设计更加简化。

A semiconductor device including an optically controlled thyristor

【技术实现步骤摘要】
一种包含光控晶闸管的半导体器件
本技术涉及半导体领域，具体涉及一种包含光控晶闸管的半导体器件。
技术介绍
目前，现有技术中的光控晶闸管均采用LED激光发射器驱动一个小功率光敏晶闸管，然后再驱动一个大功率晶闸管，而这样传递式的驱动结构，由于采用一个小功率晶闸管驱动另外一个大功率晶闸管，则会使得整个驱动装置的结构复杂、效率低下、容错率低。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提出一种器件功耗低、工作速度快的包含光控晶闸管的半导体器件。本技术的一种包含光控晶闸管的半导体器件，包括LED激光发射器和光敏晶闸管，且所述LED激光发射器和光敏晶闸管封装在所述半导体器件内；所述LED激光发射器通过外部信号激励发射激光信号，所述光敏晶闸管为没有栅极但对光信号敏感的大功率晶闸管，所述LED激光发射器发射激光信号直接触发所述光敏晶闸管的J2结。通过所述LED激光发射器直接驱动所述大功率光敏晶闸管，从而使得所述半导体器件的功耗大大降低，而且工作速度进一步提升，版图设计更加简化。进一步，本技术的包含光控晶闸管的半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包含光控晶闸管的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包括LED激光发射器和光敏晶闸管，且所述LED激光发射器和光敏晶闸管封装在所述半导体器件内；所述LED激光发射器通过外部信号激励发射激光信号，所述光敏晶闸管为没有栅极但对光信号敏感的大功率晶闸管，所述LED激光发射器发射激光信号直接触发所述光敏晶闸管的J2结。/n

【技术特征摘要】
1.一种包含光控晶闸管的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包括LED激光发射器和光敏晶闸管，且所述LED激光发射器和光敏晶闸管封装在所述半导体器件内；所述LED激光发射器通过外部信号激励发射激光信号，所述光敏晶闸管为没有栅极但对光信号敏感的大功率晶闸管，所述LED激光发射器发射激光信号直接触发所述光敏晶闸管的J2结。


2.根据权利要求1所述的包含光控晶闸管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建红，师楷，尹晋超，郭小星，王红侠，陈豪翔，许炎，周明，
申请(专利权)人：兰州大学，江苏明芯微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：甘肃;62