激光SE结构图案制作方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种硅片表面的激光SE结构的制作方法，包括：预先设定在硅片表面制作激光SE结构图案的激光移动轨迹；其中，硅片为表面采用管式扩散技术，进行了磷源扩散掺杂的硅片；按照激光移动轨迹，控制照射在硅片表面的激光移动，制备细栅线图案，且控制激光的功率随着激光照射位置和硅片的中心之间的距离减小而增大，随着激光照射位置和硅片的中心之间的距离增大而减小。本申请中在硅片表面形成SE结构时，采用功率大小变化的激光照射，使得同一条细栅线对应的SE结构的方阻的均匀性增强，进而提高细栅线的导电性能，进而提高硅片的工作性能。本申请还提供了一种硅片表面的激光SE结构的制作装置、设备以及计算机可读存储介质。

Fabrication method, device, equipment and storage medium of laser se structure pattern

【技术实现步骤摘要】
激光SE结构图案制作方法、装置、设备及存储介质
本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种硅片表面的激光SE结构的制作方法、装置、设备以及计算机可读存储介质。
技术介绍
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。只要被光照到，瞬间就可输出电压及电流。在物理学上称为太阳能光伏(Photovoltaic，photo光线，voltaics电力，缩写为PV)，简称光伏。以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流，且已经得到广泛的应用。在太阳能电池片接收光照后，需要通过分布于电池片表面的细栅线导出电流，以输出电池片产生的电能。而电池片是通过硅片上掺杂一定的磷元素或者硼元素之后，再在硅片表面印刷细栅线获得的。现今主流P型晶硅太阳能电池在形成细栅线之前，需要采用激光SE工序在硅片表面形成激光SE结构。激光SE工序主要是通过激光照射硅片表面用于印刷细栅线的位置，以实现硅片表面产生的磷硅玻璃层中的磷作为掺杂源进行二次掺杂，在作为后续电池片正面的硅片表面形成激光SE结构，该激光SE结构相对于未被激光照射的硅片的表面而言，具有更低的方阻。相应地，在后续硅片表面具有激光SE结构的位置印刷细栅线，有利于提高细栅线的导电效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种硅片表面的激光SE结构的制作方法、装置、设备以及计算机可读存储介质，解决了硅片表面设置细栅线的位置的方阻不均匀的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种硅片表面的激光SE结构的制作方法，包括：预先设定在硅片表面制作激光SE结构图案的激光移动轨迹；其中，所述硅片为表面采用管式扩散技术，进行了磷源扩散掺杂的硅片；所述激光SE结构图案为所述硅片上需要设置细栅线的位置图案；按照所述激光移动轨迹，控制照射在所述硅片表面激光移动，在所述激光照射位置形成激光SE结构，且控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小。其中，所述控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小包括：预先将所述硅片表面划分为多个由所述硅片的中心向所述硅片的边缘逐个环绕排布的加工区域，且各个所述加工区域的中心均为所述硅片中心；控制所述激光照射距离所述硅片的中心近的加工区域的功率，大于距离所述硅片的中心远的加工区域的功率；且当所述激光照射位置位于同一个加工区域时，所述激光的功率不变。其中，各个所述加工区域为由所述硅片的中心指向所述硅片的边缘的径向方向的宽度逐渐增大的区域。其中，所述控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小包括：预先将所述硅片表面划分为第一加工区域、第二加工区域和第三加工区域，其中，所述第一加工区域为以所述硅片的中心为圆心的圆形区域，所述第二加工区域为环绕所述第一加工区域的圆环区域，所述第三加工区域为环绕所述第二加工区域的区域；控制所述激光照射所述第一加工区域的功率大于照射所述第二加工区域的功率；所述激光照射所述第二加工区域的功率大于所述第三加工区域的功率；且当所述激光照射位置位于同一个加工区域时所述激光的功率不变。其中，所述第一加工区域的半径、所述第二加工区域的宽度、所述第二加工区域外环接线和所述硅片边缘线之间的距离，两两相差不大于预设距离；所述控制所述激光照射所述第一加工区域的功率大于照射所述第二加工区域的功率；所述激光照射所述第二加工区域的功率大于所述第三加工区域的功率包括：控制所述激光照射所述第一加工区域的功率为37W～41W，所述激光照射所述第二加工区域的功率为34W～37W，控制所述激光照射所述第三加工区域的功率为31W～34W。本申请还提供了一种硅片表面的激光SE结构的制作装置，包括：轨迹设定模块，用于预先设定在硅片表面制作激光SE结构图案的激光移动轨迹；其中，所述硅片为表面采用管式扩散技术，进行了磷源扩散掺杂的硅片；所述激光SE结构图案为所述硅片上需要设置细栅线的位置图案；制备图案模块，用于按照所述激光移动轨迹，控制照射在所述硅片表面激光移动，在所述激光照射位置形成激光SE结构，且控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小。其中，所述制备图案模块包括：区域划分单元，用于预先将所述硅片表面划分为第一加工区域、第二加工区域和第三加工区域，其中，所述第一加工区域为以所述硅片的中心为圆心的圆形区域，所述第二加工区域为环绕所述第一加工区域的圆环区域，所述第三加工区域为环绕所述第二加工区域的区域；激光控制单元，用于控制所述激光照射所述第一加工区域的功率大于照射所述第二加工区域的功率；所述激光照射所述第二加工区域的功率大于所述第三加工区域的功率；且当所述激光照射位置位于同一个加工区域时所述激光的功率不变。其中，所述区域划分单元具体用于预先将所述硅片表面划分为第一加工区域、第二加工区域和第三加工区域，其中，所述第一加工区域为以所述硅片的中心为圆心的圆形区域，所述第二加工区域为环绕所述第一加工区域的圆环区域，所述第三加工区域为环绕所述第二加工区域的区域；所述激光控制单元具体用于控制所述激光照射所述第一加工区域的功率大于照射所述第二加工区域的功率；所述激光照射所述第二加工区域的功率大于所述第三加工区域的功率；且当所述激光照射位置位于同一个加工区域时所述激光的功率不变。本申请还提供了一种硅片表面的激光SE结构的制作设备，包括：存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上任一项所述硅片表面的激光SE结构的制作方法的步骤。本申请还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上任一项所述硅片表面的激光SE结构的制作方法的步骤。本专利技术所提供的硅片表面的激光SE结构的制作方法，包括：预先设定在硅片表面制作激光SE结构图案的激光移动轨迹；其中，硅片为表面采用管式扩散技术，进行了磷源扩散掺杂的硅片；所述激光SE结构图案为所述硅片上需要设置细栅线的位置图案；按照激光移动轨迹，控制照射在硅片表面激光移动，在所述激光照射位置形成激光SE结构，且控制激光的功率随着激光照射位置和硅片的中心之间的距离减小而增大，随着激光照射位置和硅片的中心之间的距离增大而减小。本申请中在对太阳能硅片表面形成SE结构时，考虑到对于硅片表面的P型掺杂层而言，因为掺杂程度存在不均匀的问题，会导致同一条细栅线对应的SE结构的掺杂层也是不均匀的，影响后续细栅线的导电性能，为此，在形成细栅线时，针对硅片上不同位置的SE结构，采用不同功率大小的激光照射，以实现同一条细栅线对应的SE结构的掺杂层的均匀性增强本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片表面的激光SE结构的制作方法，其特征在于，包括：/n预先设定在硅片表面制作激光SE结构图案的激光移动轨迹；其中，所述硅片为表面采用管式扩散技术，进行了磷源扩散掺杂的硅片，所述激光SE结构图案为所述硅片上需要设置细栅线的位置图案；/n按照所述激光移动轨迹，控制照射在所述硅片表面的激光移动，在所述激光照射位置形成激光SE结构，且控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片表面的激光SE结构的制作方法，其特征在于，包括：
预先设定在硅片表面制作激光SE结构图案的激光移动轨迹；其中，所述硅片为表面采用管式扩散技术，进行了磷源扩散掺杂的硅片，所述激光SE结构图案为所述硅片上需要设置细栅线的位置图案；
按照所述激光移动轨迹，控制照射在所述硅片表面的激光移动，在所述激光照射位置形成激光SE结构，且控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小。


2.如权利要求1所述的硅片表面的激光SE结构的制作方法，其特征在于，所述控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小包括：
预先将所述硅片表面划分为多个由所述硅片的中心向所述硅片的边缘逐个环绕排布的加工区域，且各个所述加工区域的中心均为所述硅片中心；
控制所述激光照射距离所述硅片的中心近的加工区域的功率，大于距离所述硅片的中心远的加工区域的功率；且当所述激光照射位置位于同一个加工区域时，所述激光的功率不变。


3.如权利要求2所述的硅片表面的激光SE结构的制作方法，其特征在于，各个所述加工区域为由所述硅片的中心指向所述硅片的边缘的径向方向的宽度逐渐增大的区域。


4.如权利要求2所述的硅片表面的激光SE结构的制作方法，其特征在于，所述控制所述激光的功率随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离减小而增大，随着所述激光照射位置和所述硅片的中心之间的距离增大而减小包括：
预先将所述硅片表面划分为第一加工区域、第二加工区域和第三加工区域，其中，所述第一加工区域为以所述硅片的中心为圆心的圆形区域，所述第二加工区域为环绕所述第一加工区域的圆环区域，所述第三加工区域为环绕所述第二加工区域的区域；
控制所述激光照射所述第一加工区域的功率大于照射所述第二加工区域的功率；所述激光照射所述第二加工区域的功率大于所述第三加工区域的功率；且当所述激光照射位置位于同一个加工区域时所述激光的功率不变。


5.如权利要求4所述的硅片表面的激光SE结构的制作方法，其特征在于，所述第一加工区域的半径、所述第二加工区域的宽度、所述第二加工区域外环接线和所述硅片边缘线之间的距离，两两相差不大于预设距离；
所述控制所述激光照射所述第一加工区域的功率大于照射所述第二加工区域的功率；所述激光照射所述第二加工区域的功率大于所述第三加工区域的功率包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：徐义胜，曾鑫林，单伟，何胜，徐伟智，黄海燕，陆川，
申请(专利权)人：浙江正泰太阳能科技有限公司，海宁正泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33