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本发明公开了一种硅片表面的激光SE结构的制作方法，包括：预先设定在硅片表面制作激光SE结构图案的激光移动轨迹；其中，硅片为表面采用管式扩散技术，进行了磷源扩散掺杂的硅片；按照激光移动轨迹，控制照射在硅片表面的激光移动，制备细栅线图案，且控制...该专利属于浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司授权不得商用。