竖直型功率LED及水平型功率LED的热辐射结构制造技术

公开了一种竖直型功率ＬＥＤ以及一种水平型功率ＬＥＤ的热辐射结构，其可有效辐射从竖直型功率ＬＥＤ产生的热。该竖直型功率ＬＥＤ通过将功率芯片安装在灯型ＬＥＤ上并封装其上安装有所述功率芯片的所述灯型ＬＥＤ而获得。该竖直型功率ＬＥＤ包括：第一引线框架，具有其中装有ＬＥＤ元件的杯形凹槽，经由导线连接到所述ＬＥＤ元件，用于从外部为所述ＬＥＤ元件提供功率，并具有至少一个热辐射通孔，用于增加热辐射速度；第二引线框架，经由导线连接到所述ＬＥＤ元件，用于从外部为所述ＬＥＤ元件提供功率，并设置成与所述第一引线框架相对；及模制部，通过以透明材料模制所述第一和第二引线框架的上部以便包含所述ＬＥＤ元件而形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及竖直型功率LED及水平型功率LED的热辐射结构，其可通过有效地辐射从竖直型功率LED芯片所产生的热来延长其部件的寿命并使部件的特性变化最小，所述竖直型功率LED芯片通过在灯型LED上安装功率芯片并封装其上安装有功率芯片的灯型LED而获得。更具体而言，本专利技术涉及竖直型功率LED及水平型功率LED的热辐射结构，其可迅速辐射从具有高亮度和高功率的竖直型功率LED以及封装的水平型功率LED所产生的热，所述水平型功率LED是通过将引线框架弯曲并将其附着到热沉(heat sink)而获得的。
技术介绍
一般而言，光发射二极管(LED)是具有n-型半导体和p-型半导体的结结构的光电转换半导体元件。分类为红LED、蓝LED和黄LED的LED是封装的高功率光发射元件，用于280至650nm的波长带的前照明或侧照明。更具体而言，LED通过使用半导体的p-n结结构产生和复合注入的少数载流子(诸如电子和空穴)来发射光。半导体发光元件简要地分类为LED和激光二极管(LD)。由于LED或LD从开始即发射所需的窄波长带的光，因此，与使用黑体辐射产生宽谱光并使用所需滤色器对所产生的光进行滤色的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种竖直型功率ＬＥＤ，其通过将功率芯片安装在灯型ＬＥＤ上并封装其上安装有所述功率芯片的所述灯型ＬＥＤ而获得，该竖直型功率ＬＥＤ包括：第一引线框架，具有其中装有ＬＥＤ元件的杯形凹槽，经由导线连接到所述ＬＥＤ元件，用于从外部为所述ＬＥＤ 元件提供功率，并具有至少一个热辐射通孔，用于增加热辐射速度；第二引线框架，经由导线连接到所述ＬＥＤ元件，用于从外部为所述ＬＥＤ元件提供功率，并设置成与所述第一引线框架相对；及模制部，通过以透明材料模制所述第一和第二引线框架的 上部以便包含所述ＬＥＤ元件而形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黃仁赫，
申请(专利权)人：木山电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]