【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造微机电系统的方法相关申请的交叉引用本申请要求根据35USC119(e)在2017年4月4日提交的申请序列号62/481,635的权益，其以全文引用的方式并入本文。
本专利技术涉及MEMS，更具体地涉及MEMS的晶圆键合。
技术介绍
微机电系统(MEMS)(例如，运动传感器、内部传感器和可移动镜)被广泛使用。众所周知，MEMS运动传感器可以是例如用于检测线性运动的加速度计或用于检测转速和角速度的陀螺仪。先进的平面硅制造过程已经成为MEMS中的主要制造技术。双硅晶圆或三硅晶圆的直接键合已被认为是最有吸引力的封装技术。然而，在制造MEMS器件中涉及多个晶圆的集成且稳固的晶圆键合仍然是挑战。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施方式，一种制造半导体器件的方法部分地包括：在第一半导体衬底的表面上生长第一氧化物层，在该氧化物层上形成绝缘材料的层，图案化并蚀刻绝缘材料和第一氧化物层以形成多个氧化物-绝缘体结构，并进一步暴露半导体衬底的表面，在半导体衬底的暴露表面中生长第二氧化物层，并去...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n在第一半导体衬底的表面上生长第一氧化物层；/n在所述氧化物层上形成绝缘材料的层；/n对所述绝缘材料和所述第一氧化物层进行图案化和蚀刻，以形成多个氧化物-绝缘体结构，所述蚀刻使所述半导体衬底的表面暴露；/n在所述半导体衬底的暴露表面中生长第二氧化物层；和/n去除所述第二氧化物层，从而形成腔，所述半导体器件形成在所述腔中。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170404 US 62/481,635;20170824 US 15/685,9571.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在第一半导体衬底的表面上生长第一氧化物层；
在所述氧化物层上形成绝缘材料的层；
对所述绝缘材料和所述第一氧化物层进行图案化和蚀刻，以形成多个氧化物-绝缘体结构，所述蚀刻使所述半导体衬底的表面暴露；
在所述半导体衬底的暴露表面中生长第二氧化物层；和
去除所述第二氧化物层，从而形成腔，所述半导体器件形成在所述腔中。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述腔的暴露表面上生长第三氧化物层；和
去除所述第三氧化物层以增加腔深度。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
重复所述第三氧化物层的生长以及所述第三氧化物层的去除，直到所述腔深度达到预定值。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述腔中形成多个缓冲块。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述腔中形成氧化物层。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将第二半导体衬底的上表面放置到所述第一半导体衬底上；和
键合所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底，以密封在所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底之间的腔。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括：
减薄所述第一半导体衬底。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
在所述第一半导体衬底的外表面上和所述第二半导体衬底的外表面上形成第四氧化物层；
在所述腔上方的所述第一半导体衬底中形成凹槽；和
用第五氧化物层填充所述凹槽以形成隔离接缝。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
在所述腔上方的所述第四氧化物层中形成接触开口。
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
在所述接触开口上形成屏蔽氧化物层。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括：
通过所述屏蔽氧化物，将掺杂剂注入所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：马丁·赫勒，乔纳·德沃尔，安德鲁·霍金，克莉丝汀·林奇，桑蒂·帕克，
申请(专利权)人：凯奥尼克公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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