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一种制造半导体器件的方法部分地包括在第一半导体衬底的表面上生长第一氧化物层，在该氧化物层上形成绝缘材料层，图案化并蚀刻该绝缘材料和第一氧化物层，以形成多种氧化物‑绝缘体结构，并进一步暴露半导体衬底的表面，在半导体衬底的暴露表面上生长第二氧化...
该专利属于凯奥尼克公司所有，仅供学习研究参考，未经过凯奥尼克公司授权不得商用。

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