【技术实现步骤摘要】
一种预充电电路及方法
本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种预充电电路及方法。
技术介绍
Nandflash是一种非易失存储器，它通过对存储单元进行读写擦操作来存储数据，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中，随着存储器的大量使用，对其性能的要求也在不断提高。存储器包含多条位线(BitLine，BL)，位线上连接多个存储单元(Block)，存储单元中设置有存储串(String)。在对位线上的存储串进行电流检测时，采用图1中检测电路。在检测前PCH信号会为电容C1进行预充电，设置SO点的电位。在检测时，SENS信号控制晶体管M2开启，根据存储串的电流大小重新设置SO点的电位。检测后，将SO点的电位保存至LatchA中得到最终检测结果。由于在对电容C1进行充电时，不同的数据模式下，低电源电压VSS的实际值(bounce)不同，因此SO点的电位值会有差异。在检测String的电流时，差异仍然存在，最后将SO点的电位保存至LatchA中时，这个差异就会影响最终的检测结果，也就是说，不同的数据模式(dat...
【技术保护点】
1.一种预充电电路，其特征在于，应用于存储器，所述存储器包括检测电路和存储串，所述预充电电路连接所述检测电路；/n所述预充电电路，用于当所述检测电路具有过滤大电流功能时，则向所述检测电路输入无噪声预充电电压。/n
【技术特征摘要】
1.一种预充电电路，其特征在于，应用于存储器，所述存储器包括检测电路和存储串，所述预充电电路连接所述检测电路；
所述预充电电路，用于当所述检测电路具有过滤大电流功能时，则向所述检测电路输入无噪声预充电电压。
2.根据权利要求1所述的预充电电路，其特征在于，所述预充电电路，还用于当所述检测电路不具有过滤大电流功能时，则向所述检测电路输入有噪声预充电电压。
3.根据权利要求2所述的预充电电路，其特征在于，所述预充电电路包括依次连接的电流产生模块、镜像模块和电压输出模块；
所述电流产生模块连接无噪声低电压电源端，用于产生无噪声电流；
所述镜像模块，用于将所述无噪声电流镜像至所述电压输出模块；
所述电压输出模块，用于在连接所述无噪声低电压电源端时，根据所述无噪声电流向所述检测电路输入所述无噪声预充电电压；在连接有噪声低电压电源端时，根据所述无噪声电流向所述检测电路输入有噪声预充电电压。
4.根据权利要求3所述的预充电电路，其特征在于，所述电流产生模块包括第一放大器、第一晶体管和第一电阻；
所述第一放大器的正相输入端连接参考电压端，所述第一放大器的反相输入端连接第一节点，所述第一放大器的输出端连接所述第一晶体管的控制极；
所述第一晶体管的第一极连接所述第一节点，所述第一晶体管的第二极连接第二节点；
所述第一电阻的两端分别连接所述第一节点和所述无噪声低电压电源端。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓鹏，王美锋，舒清明，
申请(专利权)人：西安格易安创集成电路有限公司，北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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