发光装置和投影仪制造方法及图纸

提供发光装置，能够提高发光效率。发光装置包含：基体；光源；以及多个柱状部，它们设置于所述基体，具有利用从所述光源射出的光而发光的第1荧光体，所述光源对所述柱状部倾斜地照射光。

Light emitting devices and projectors

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置和投影仪
本专利技术涉及发光装置和投影仪。
技术介绍
以往，在投影仪中，通常使用超高压水银灯等放电灯作为光源。但是，这种放电灯存在寿命比较短、难以瞬时点亮、从灯放射的紫外线使液晶光阀劣化等课题。因此，提出使用了代替放电灯的方式的光源的投影仪。例如，在专利文献1中记载了一种投影仪的光源装置(发光装置)，其具有：发光板，其形成有接受激励光而发出规定波段的光的荧光体层；以及光源，其从荧光体层的上表面的法线方向对荧光体层照射激励光。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-100163号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在上述那样的发光装置中，由于对荧光体层照射光，所以有时荧光体层的温度上升而使发光光率降低。为了解决这样的问题，可考虑将荧光体层分割成多个而使表面积变大，从而提高散热性。但是，在包含多个分割而得的荧光体的发光装置中，有时激励光的一部分未入射到荧光体，而是穿过相邻的荧光体的间隙而入射到基体，因此发光光率降低。本专利技术的几个方式的目的之一在于，提供能够提高发光效率的发光装置。另外，本专利技术的几个方式的目的之一在于，提供能够具有高亮度的投影仪。用于解决课题的手段本专利技术的发光装置包含：基体；光源；以及多个柱状部，它们设置于所述基体，具有利用从所述光源射出的光而发光的第1荧光体，所述光源对所述柱状部倾斜地照射光。在这样的发光装置中，能够减少从光源射出的光不入射到柱状部而入射到基体的情况。因此，在这样的发光装置中，能够提高发光光率。在本专利技术的发光装置中，也可以是，从所述光源向多个所述柱状部照射的光的光轴与所述柱状部的柱方向交叉。在这样的发光装置中，能够减少从光源射出的光不入射到柱状部而入射到基体的情况。在本专利技术的发光装置中，也可以是，所述柱状部具有夹着所述第1荧光体而设置的第1半导体层和第2半导体层，所述第1半导体层和所述第2半导体层具有比所述第1荧光体发出的光的能量大的带隙，所述第1荧光体、所述第1半导体层以及所述第2半导体层沿着所述柱方向排列。在这样的发光装置中，能够通过第1荧光体、第1半导体层以及第2半导体层来形成量子阱构造，从而能够将电子封闭在第1荧光体中。由此，在这样的发光装置中，能够提高发光光率。在本专利技术的发光装置中，也可以是，所述柱状部具有：第2荧光体，其利用从所述光源照射的光而发光；以及第3半导体层，其具有比所述第2荧光体发出的光的能量大的带隙，所述第2半导体层和所述第3半导体层夹着所述第2荧光体而设置，所述第2半导体层具有比所述第2荧光体发出的光的能量大的带隙，所述第1荧光体、所述第2荧光体、所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第3半导体层沿着所述柱方向排列。在这样的发光装置中，从光源射出的光例如能够在相邻的柱状部中入射到一方的柱状部的第2荧光体并透过了一方的柱状部之后，向另一方的柱状部的第1荧光体入射。因此，在这样的发光装置中，能够提高发光光率。在本专利技术的发光装置中，也可以是，所述基体的第1面具有凹凸形状，多个所述柱状部中的第1柱状部设置于构成所述第1面的凹凸形状的第1凸部，多个所述柱状部中的第2柱状部设置于构成所述第1面的凹凸形状的第1凹部。在这样的发光装置中，从光源射出的光能够在入射到第1柱状部的第1荧光体并透过了第1柱状部之后，向第2柱状部的第1荧光体入射。因此，在这样的发光装置中，能够提高发光光率。在本专利技术的发光装置中，也可以是，多个所述柱状部中的第3柱状部设置于构成所述第1面的凹凸形状的第2凸部，多个所述柱状部中的第4柱状部设置于构成所述第1面的凹凸形状的第2凹部，从所述柱方向观察时，所述第2柱状部设置在所述第1柱状部的第1方向上，所述第4柱状部设置在所述第1柱状部的与所述第1方向交叉的第2方向上，所述第3柱状部设置在所述第2柱状部的所述第2方向、且所述第4柱状部的所述第1方向上，所述第1柱状部的中心与所述第2柱状部的中心之间的距离、所述第1柱状部的中心与所述第4柱状部的中心之间的距离、所述第2柱状部的中心与所述第3柱状部的中心之间的距离、以及所述第3柱状部的中心与所述第4柱状部的中心之间的距离彼此相等。在这样的发光装置中，通过使光从第1方向或第2方向入射到柱状部，能够使入射到设置于凸部的柱状部的第1荧光体并透过了该柱状部的光向设置于凹部的柱状部的第1荧光体入射。在本专利技术的发光装置中，也可以是，该发光装置包含驱动部，该驱动部使所述基体以沿所述柱方向延伸的轴为旋转轴进行旋转。在这样的发光装置中，能够抑制因从光源射出的光照射柱状部的相同区域而使该区域熔解的情况。在本专利技术的发光装置中，也可以是，从所述柱方向观察的俯视时的所述柱状部的形状是六边形。在本专利技术的发光装置中，也可以是，所述光源具有：发光元件，其射出光；以及光学元件，其使从所述发光元件射出的光的光轴转向。在这样的发光装置中，能够使从发光元件射出的光经由光学元件入射到柱状部。因此，在这样的发光装置中，能够提高发光元件的配置自由度。本专利技术的投影仪包含：基体；光源；以及多个柱状部，它们设置于所述基体，具有利用从所述光源射出的光而发光的荧光体，所述光源对所述柱状部倾斜地照射光。在这样的投影仪中，能够具有高亮度。附图说明图1是示意性地示出第1实施方式的发光装置的剖视图。图2是示意性地示出第1实施方式的发光装置的俯视图。图3是示意性地示出第1实施方式的发光装置的俯视图。图4是示意性地示出参考例的发光装置的剖视图。图5是示意性地示出第1实施方式的发光装置的俯视图。图6是示意性地示出第1实施方式的发光装置的剖视图。图7是示意性地示出第1实施方式的发光装置的剖视图。图8是示意性地示出第2实施方式的发光装置的剖视图。图9是示意性地示出第2实施方式的第1变形例的发光装置的剖视图。图10是示意性地示出第2实施方式的第2变形例的发光装置的剖视图。图11是示意性地示出第2实施方式的第2变形例的发光装置的俯视图。图12是示意性地示出第2实施方式的第2变形例的发光装置的俯视图。图13是示意性地示出第2实施方式的第2变形例的发光装置的俯视图。图14是示意性地示出第2实施方式的第2变形例的发光装置的俯视图。图15是示意性地示出第2实施方式的第3变形例的发光装置的剖视图。图16是示意性地示出第3实施方式的发光装置的剖视图。图17是示意性地示出第4实施方式的发光装置的剖视图。图18是示意性地示出第4实施方式的第1变形例的发光装置的剖视图。图19是示意性地示出第4实施方式的第2变形例的发光装置的剖视图。图20是示意性地示出第5实施方式的投影仪的图。图21是示意性地示出第5实施方式的第1变形例的投影仪的图。图22是示意性地示出第5实施方式的第2变形例的投影仪的图。图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其中，该发光装置包含：/n基体；/n光源；以及/n多个柱状部，它们设置于所述基体，具有利用从所述光源射出的光而发光的第1荧光体，/n所述光源对所述柱状部倾斜地照射光。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170531 JP 2017-1083881.一种发光装置，其中，该发光装置包含：
基体；
光源；以及
多个柱状部，它们设置于所述基体，具有利用从所述光源射出的光而发光的第1荧光体，
所述光源对所述柱状部倾斜地照射光。


2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
从所述光源向多个所述柱状部照射的光的光轴与所述柱状部的柱方向交叉。


3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
所述柱状部具有夹着所述第1荧光体而设置的第1半导体层和第2半导体层，
所述第1半导体层和所述第2半导体层具有比所述第1荧光体发出的光的能量大的带隙，
所述第1荧光体、所述第1半导体层以及所述第2半导体层沿着所述柱方向排列。


4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，
所述柱状部具有：
第2荧光体，其利用从所述光源照射的光而发光；以及
第3半导体层，其具有比所述第2荧光体发出的光的能量大的带隙，
所述第2半导体层和所述第3半导体层夹着所述第2荧光体而设置，
所述第2半导体层具有比所述第2荧光体发出的光的能量大的带隙，
所述第1荧光体、所述第2荧光体、所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第3半导体层沿着所述柱方向排列。


5.根据权利要求3或4所述的发光装置，其中，
所述基体的第1面具有凹凸形状，
多个所述柱状部中的第1柱状部设置于构成所述第1面的凹凸形状的第1凸部，
多个所述柱状部中的第2柱状部设置于构成所述第1面的凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井保贵，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP