显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:23151238 阅读:14 留言:0更新日期:2020-01-18 14:17
本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板,包括显示区、围绕所述显示区的边框区以及相对设置的彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板面向所述阵列基板的一侧设置有黑矩阵,所述阵列基板设置有接地部,所述接地部位于所述边框区,所述接地部与位于所述边框区的所述黑矩阵通过导电部电连接,位于所述边框区的所述黑矩阵设置有围绕所述显示区的第一挖槽和第二挖槽,所述第一挖槽和所述第二挖槽均沿着所述黑矩阵的厚度方向贯穿所述黑矩阵,所述第一挖槽至少部分位于所述导电部与所述显示区之间,所述第一挖槽和所述第二挖槽之间设置有至少一个断开区域。避免显示区靠近导电银浆一侧的容值增高导致的乱爆点和触控不良。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本专利技术一般涉及显示领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
随着“全面屏”时代的到来,高屏占比手机备受消费者青睐,为了适应这一潮流,手机厂商纷纷选用COF(chiponfilm,覆晶薄膜)模组工艺,减少手机的上下端空间。随着边框的变窄,面板周边容值被影响越来越严重。其中,外围区域变窄后银浆涂覆对显示区最靠近银浆侧容值的影响尤为严重。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种减少对显示区容值影响的显示面板及显示装置。第一方面,本专利技术的显示面板,包括显示区、围绕所述显示区的边框区以及相对设置的彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板面向所述阵列基板的一侧设置有黑矩阵,所述阵列基板设置有接地部,所述接地部位于所述边框区,所述接地部与位于所述边框区的所述黑矩阵通过导电部电连接,位于所述边框区的所述黑矩阵设置有围绕所述显示区的第一挖槽和第二挖槽,所述第一挖槽和所述第二挖槽均沿着所述黑矩阵的厚度方向贯穿所述黑矩阵,所述第一挖槽至少部分位于所述导电部与所述显示区之间,所述第一挖槽和所述第二挖槽之间设置有至少一个断开区域。第二方面,本专利技术的显示装置,包括显示面板。根据本申请实施例提供的技术方案,通过在导电部和显示区之间设置第一挖槽,并且第一挖槽沿着黑矩阵的厚度方向贯穿黑矩阵,将显示区与导电部分隔开,第一挖槽起到屏蔽导电部的作用,避免显示区靠近导电部一侧的容值增高导致的乱爆点和触控不良,能够解决现有技术中导电部对显示区最靠近导电部侧容值的影响严重的问题。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:图1为现有的显示面板的结构示意图;图2为现有的显示面板在远离导电银浆位置的容值示意图;图3为现有的显示面板在靠近导电银浆位置的容值示意图;图4为本专利技术的一个实施例的显示面板的结构示意图;图5为沿着图4中A-A线的局部剖视示意图;图6为沿着图4中B-B线的局部剖视示意图;图7为本专利技术的又一个实施例的显示面板的结构示意图。附图标记:1-黑矩阵,2-触控电极,3-导电银浆,4-挖槽,5-接地部,10-阵列基板,11-接地部,12-导电部,121-第一导电部,122-第二导电部,13-IC,14-第一衬底,15-边框胶,20-彩膜基板,21-显示区,22-第二衬底,23-彩膜层,24-边框区,30-黑矩阵,31-第一挖槽,32-第一隔离部,33-第一延伸部,331-第一子黑矩阵,3311-第一子黑矩阵的宽度,332-第二子黑矩阵,34-断开区域,35-第二挖槽,36-第二隔离部,37-第二延伸部,371-第三子黑矩阵,3711-第三子黑矩阵的宽度,372-第四子黑矩阵,38-第三挖槽,40-触控电极,50-偏光片,60-中间膜层。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术,而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与专利技术相关的部分。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。参考图1-3,图1为现有的COF黑矩阵挖空设计,挖槽4设置为“U”型,黑矩阵1上积累的静电可通过连接至接地部5的导电银浆3进行释放。图2为显示面板在远离导电银浆位置的容值示意图,在进行静电释放时,由于黑矩阵1的电阻值较高,黑矩阵1与触控电极2无法形成有效电容,因此在显示面板远离导电银浆3的位置,触控电极2的容值正常,可以正常触控。图3为显示面板靠近导电银浆3位置的容值示意图,在显示面板靠近导电银浆3的位置,由于导电银浆3电阻值较小,在COF产品中,导电银浆3距离首行触控电极2距离非常近,在进行静电释放时,靠近导电银浆3的触控电极2与导电银浆3形成电容,使得靠近导电银浆3一侧的触控电极2的容值增高,导致触控不良的发生。本专利技术的其中一个实施例为,请参考图4,一种显示面板,包括显示区21、围绕显示区21的边框区24以及相对设置的彩膜基板20和阵列基板10,彩膜基板20面向阵列基板10的一侧设置有黑矩阵30,阵列基板10设置有接地部11,接地部11位于边框区24,接地部11与位于边框区24的黑矩阵30通过导电部12电连接,位于边框区24的黑矩阵30设置有围绕显示区21的第一挖槽31和第二挖槽32,第一挖槽31和第二挖槽32均沿着黑矩阵30的厚度方向贯穿黑矩阵30,第一挖槽31至少部分位于导电部12与显示区21之间,第一挖槽31和第二挖槽32之间设置有至少一个断开区域34。在本专利技术的实施例中,阵列基板设置有接地部,接地部与位于边框区的黑矩阵通过导电部电连接,接地部能够便于显示区内的聚集的电荷释放,从而防止显示面板被击穿,导致显示面板产生损坏。导电部可以但不限于为导电银浆。接地部设置在阵列基板上设置有IC(IntegratedCircuit,集成电路)13的一侧,接地部的数量可以但不仅仅为两个,并且两个接地部对称分布在阵列基板上,IC设置在两个接地部之间,使得结构更加紧凑,能够尽量减小边框区的宽度。导电部连接两个接地部,便于电荷快速释放。第一挖槽至少部分位于导电部与显示区之间,并且第一挖槽沿着黑矩阵的厚度方向贯穿黑矩阵,从而实现第一挖槽分隔导电部和显示区,减小甚至避免导电部对显示区容值的影响,避免显示区靠近导电部一侧的容值增高导致的乱爆点和触控不良,其中乱爆点是指在不触摸显示面板的情况下,显示面板偶尔也会出现被触摸的现象。在黑矩阵设置围绕显示区的第一挖槽和第二挖槽,能够减少外部水汽侵入显示区。第一挖槽和第二挖槽之间设置至少一个断开区域,其中,断开区域是指第一挖槽和第二挖槽在此区域断开,或者是在断开区域内不设置挖槽,便于显示区的电荷沿着断开区域从导电部以及接地部释放,避免显示面板被击穿。参考图5,图5为沿着图4中A-A线的局部剖视示意图。显示面板包括相对设置的阵列基板10和彩膜基板20,阵列基板10包括第一衬底14,设置在第一衬底14上的触控电极40,以及位于触控电极40与第一衬底14之间的中间膜层60,中间膜层60可以是除触控电极40以外的其他膜层机构,中间膜层60可以但不限于为钝化层、平坦层等。彩膜基板20包括第二衬底22,依次叠置在彩膜基板20上的黑矩阵层30和彩膜层23。阵列基板10和彩膜基板20通过边框胶15贴合到一起。可选的,显示面板还可以包括偏光片50,偏光片50设置在彩膜基板20背向衬底基板10的一侧。参考图6,图6为沿着图4中B-B线的局部剖视示意图。显示面板包括相对设置的阵列基板10和彩膜基板20,阵列基板10包括第一衬底14。彩膜基板20包括第二衬底22,以及在彩膜基板20上的黑矩阵层30。显示面板还可以包括偏光片50,偏光片50设置在彩膜基板20背向衬底基板10的一侧。导电部12包括沿着图6所示横向延伸的第一导电部1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区、围绕所述显示区的边框区以及相对设置的彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板面向所述阵列基板的一侧设置有黑矩阵,所述阵列基板设置有接地部,所述接地部位于所述边框区,所述接地部与位于所述边框区的所述黑矩阵通过导电部电连接,位于所述边框区的所述黑矩阵设置有围绕所述显示区的第一挖槽和第二挖槽,所述第一挖槽和所述第二挖槽均沿着所述黑矩阵的厚度方向贯穿所述黑矩阵,所述第一挖槽至少部分位于所述导电部与所述显示区之间,所述第一挖槽和所述第二挖槽之间设置有至少一个断开区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区、围绕所述显示区的边框区以及相对设置的彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板面向所述阵列基板的一侧设置有黑矩阵,所述阵列基板设置有接地部,所述接地部位于所述边框区,所述接地部与位于所述边框区的所述黑矩阵通过导电部电连接,位于所述边框区的所述黑矩阵设置有围绕所述显示区的第一挖槽和第二挖槽,所述第一挖槽和所述第二挖槽均沿着所述黑矩阵的厚度方向贯穿所述黑矩阵,所述第一挖槽至少部分位于所述导电部与所述显示区之间,所述第一挖槽和所述第二挖槽之间设置有至少一个断开区域。


2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一挖槽完全分隔所述导电部与所述显示区。


3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述边框区包括相邻并垂直的第一侧边和第二侧边,所述接地部位于第一侧边,所述第一挖槽包括第一隔离部,所述第一隔离部位于所述导电部与所述显示区之间,所述第一隔离部沿着所述第一侧边的长度方向设置。


4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一隔离部的两端均沿着所述第二侧边的长度方向向所述第二挖槽延伸形成第一延伸部,所述断开区域位于所述第一延伸部与所述第二挖槽之间。


5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,在所述黑矩阵上设置有所述第一延伸部的位置,所述黑矩阵被所述第一延伸部隔断为第一子黑矩阵和第二子黑矩阵,所述第一延伸部位于所述第一子黑矩阵与所述显示区之间,所述第一子黑矩阵的宽度大于或等于100微米。


6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:于亚楠韩帅张文龙李鹏张慧杰徐敬义李岩锋
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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