一种晶圆级封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶圆级封装结构，包括：晶圆，所述晶圆上设置有若干个芯片单元，所述芯片单元上包括至少一个焊盘；再钝化层，所述再钝化层覆盖在所述芯片单元和所述焊盘，并暴露焊盘开口；第一金属种子层，所述第一金属种子层覆盖所述再钝化层和所述焊盘开口；光阻层，所述光阻层覆盖所述第一金属种子层；导电凸块，所述导电凸块设置在所述焊盘开口上；第二金属种子层，所述第二金属种子层覆盖所述芯片单元所在焊盘的另一侧；重布线层，所述重布线层覆盖所述第二金属种子层，本实用新型专利技术通过在芯片的背面布局电镀工艺，可以提高芯片的整体散热能力，从而提高产品的性能。

A wafer level packaging structure

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级封装结构
本技术涉及半导体
，特别涉及一种晶圆级封装结构。
技术介绍
使电子产品小、轻和具有高性能的愿望已经发展为使电子部件小、轻以及具有高性能。这样的愿望使得各种封装技术的制程的发展、以及半导体设计和制造相关的技术的发展。封装技术的代表性实施例包括球栅阵列(BallGridArray，BGA)、倒装芯片(flipchip)、基于区域阵列和表面贴装(surface-mount)封装的芯片级封装(ChipScalePackage，CSP)。在上述的封装技术中，芯片级封装为可使封装小到与研发的真实芯片一样的大小的封装技术。特别地，晶圆级芯片级封装(Wafer-LevelChipScalePackage，WLCSP)中，在晶圆级执行封装以便每个芯片的成本可显著降低。WLCSP对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的封装技术，封装后的芯片尺寸与裸片一致。晶圆级封装顺应了市场对微电子产品日益轻、薄、短、小和低价化要求，因此一经问世便快速的发展，引领了先进封装的发展潮流。近年来，随着电子产品多样化以及集成化。对芯片的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：/n晶圆，所述晶圆上设置有若干个芯片单元，所述芯片单元上包括至少一个焊盘；/n再钝化层，所述再钝化层覆盖在所述芯片单元和所述焊盘，其中所述再钝化层暴露焊盘开口；/n第一金属种子层，所述第一金属种子层覆盖所述再钝化层和所述焊盘开口；/n光阻层，所述光阻层覆盖所述第一金属种子层，用于将光刻版上的图形转移到所述芯片单元上；/n导电凸块，所述导电凸块设置在所述焊盘开口上；/n第二金属种子层，所述第二金属种子层覆盖所述芯片单元所在焊盘的另一侧；/n重布线层，所述重布线层覆盖所述第二金属种子层。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：
晶圆，所述晶圆上设置有若干个芯片单元，所述芯片单元上包括至少一个焊盘；
再钝化层，所述再钝化层覆盖在所述芯片单元和所述焊盘，其中所述再钝化层暴露焊盘开口；
第一金属种子层，所述第一金属种子层覆盖所述再钝化层和所述焊盘开口；
光阻层，所述光阻层覆盖所述第一金属种子层，用于将光刻版上的图形转移到所述芯片单元上；
导电凸块，所述导电凸块设置在所述焊盘开口上；
第二金属种子层，所述第二金属种子层覆盖所述芯片单元所在焊盘的另一侧；
重布线层，所述重布线层覆盖所述第二金属种子层。


2.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述焊盘开口为所述再钝化层通过曝光、显影形成。


3.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一金属种子层和第二金属种子层均为铜钛种子层。


4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春阳，方梁洪，刘明明，任超，彭祎，刘凤，
申请(专利权)人：宁波芯健半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33