一种锑化物晶体生长装置及生长方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种锑化物晶体生长装置及生长方法。本发明专利技术通过将高纯原料置于船形石英坩埚内，船形石英坩埚的一端的籽晶槽内装有籽晶，升温使高纯原料反应并熔化成锑化物熔体，熔体与籽晶接触后开始晶体生长，一次晶体生长之后，通过多次单晶区熔进行提纯，降温冷却后得到锑化物晶体。该生长方法工序简单、效率高，且得到的锑化物晶体结晶性能良好，无开裂，无气泡、夹杂等缺陷，单晶重复率较高，成晶率达到90％～100％。

A crystal growth device and method of antimony compounds

【技术实现步骤摘要】
一种锑化物晶体生长装置及生长方法
本专利技术涉及晶体生长
，具体涉及一种锑化物晶体生长装置及生长方法。
技术介绍
锑化物晶体，例如锑化镓、锑化铟等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，是优良的电子及光电子衬底材料。在红外领域，锑化物晶体也有广泛的应用，其中，锑化铟在3-5μm属于本征吸收，基于锑化铟的红外探测器在该波段具有极高的效率，是该波段红外探测器的首选材料。锑化镓的晶格常数与其他Ⅲ-Ⅴ半导体化合物以及其他二元、三元或四元锑化物相匹配，使它成为一种优良的外延衬底材料，在基于锑化镓的超晶格红外探测器领域有广泛的应用。锑化镓和锑化铟晶体具有相似的物理化学性质，锑化镓熔体密度6g/cm3，固体密度5.6g/cm3，锑化铟熔体密度7.2g/cm3，固体密度5.8g/cm3，锑化铟和锑化镓的熔体密度均比固体密度大。因此，锑化镓和锑化铟在晶体生长的过程中，体积会增加，这种性质也使锑化物难以用传统的VB或者VGF法进行晶体生长。目前，这两种晶体的生产多用提拉法进行，但在晶体提拉之前，为了提高锑化物晶体的纯度，锑化物多晶还需要进行多次区熔。因此，传统的锑化物晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锑化物晶体生长装置，其特征在于，包括炉体，炉体内放置有船形石英坩埚，船形石英坩埚的一端设有籽晶槽，且船形石英坩埚的深度大于籽晶槽的深度，所述船形石英坩埚的上方和下方均设有加热器。/n

【技术特征摘要】
1.一种锑化物晶体生长装置，其特征在于，包括炉体，炉体内放置有船形石英坩埚，船形石英坩埚的一端设有籽晶槽，且船形石英坩埚的深度大于籽晶槽的深度，所述船形石英坩埚的上方和下方均设有加热器。


2.根据权利要求1所述的锑化物晶体生长装置，其特征在于，所述船形石英坩埚的截面为D形。


3.一种锑化物晶体的生长方法，其特征在于，包括装料、熔料、晶体生长、单晶区熔和降温冷却阶段，将由镓单质或铟单质，以及锑单质组成的高纯原料装入权利要求1或2所述的船形石英坩埚内，将籽晶装入籽晶槽内，高纯原料加热熔化反应后为锑化物熔体，反应完全的锑化物熔体与籽晶接触后开始晶体生长，完成一次晶体生长后，通过多次单晶区熔进行提纯，降温冷却，得到所述锑化物晶体。


4.根据权利要求3所述的锑化物晶体的生长方法，其特征在于，籽晶方向为[211]。


5.根据权利要求3所述的锑化物晶体的生长方法，其特征在于，所述晶体生长阶段包括引晶、放肩、等径生长和收尾生长阶段，高纯原料熔化并开始反应，熔体液面逐渐上升，当高纯原料反应完全时，熔体液面与籽晶接触，恒温1-24h后，...

【专利技术属性】
技术研发人员：狄聚青，朱刘，刘运连，易明辉，黄幸慰，薛帅，崔博，方义林，
申请(专利权)人：广东先导稀材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44