一种有机电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极导电膜、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极。空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，所述掺杂剂为锑的卤化物或锑的氧化物，在空穴传输层的材质中，掺杂剂的质量分数为2~20％。另，本发明专利技术实施例还公开了该有机电致发光器件的制备方法。本发明专利技术提供的有机电致发光器件，通过在空穴传输层中使用掺杂剂，提高了空穴注入能力，提高了器件的发光效率。

Organic electroluminescent device and preparation method thereof

The embodiment of the invention discloses an organic electroluminescent device, including sequentially stacked glass substrate, an anode conductive film, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light-emitting layer, a hole blocking layer, electron transport layer and cathode. The hole transport layer is made of composite hole transporting material and dopant formation, the dopant of antimony oxide or antimony halide, the hole transport layer material, the mass fraction of dopant is 2~20%. In addition, the embodiment of the invention also discloses the preparation method of the organic electroluminescent device. The organic electroluminescent device of the invention improves the hole injection capability and improves the luminous efficiency of the device by using dopant in the hole transport layer.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件相关领域，尤其涉及。
技术介绍
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(0LED)。在该双层结构的器件中，IOV下亮度达到lOOOcd/m2，其发光效率为1.511m/W、寿命大于100小时。OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUM0)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，但是目前由于驱动发光器件的电流较大，发光效率低，器件寿命低，为了实现有机电致发光器件的实用化，人们急于寻找一种驱动电流小，发光效率高的发光器件结构。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供，通过采用金属锑的卤化物或者氧化物作为空穴传输掺杂剂，配合电子传输掺杂，从而有效调节空穴和电子的浓度，使二者更加平衡，并且有效改善有机功能层的稳定性，提高有机电致发光器件的寿命，制备出高效，长寿命，低启动电压的OLED器件。本专利技术实施例提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极导电膜、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，所述空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，所述掺杂剂为锑的齒化物或锑的氧化物，在空穴传输层的材质中，掺杂剂的质量分数为2?20%。优选地，阳极导电膜的材质为铟锡氧化物(ΙΤ0)、掺锌的氧化锡(ΙΖ0)或掺铝的氧化锌(AZO);更优选地，阳极导电膜的材质为铟锡氧化物(ΙΤ0)。优选地，阳极导电膜的厚度为7(Tl00nm。空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，掺杂剂为铺的齒化物或锑的氧化物，在空穴传输层的材质中，掺杂剂的质量分数为2?20%。空穴传输层采用掺杂结构，可以提闻空穴注入能力。优选地，锑的卤化物为三氟化锑(SbF3)、三氯化锑(SbCl3)、三溴化锑(SbBr3)或三碘化锑(Sb 13);更优选地，锑的卤化物为三氯化锑(SbCl 3)。[0011 ] 优选地，锑的氧化物为三氧化二锑(Sb2O3X优选地，空穴传输层的厚度为3(Tl00nm ;更优选地，空穴传输层的厚度为50nm。优选地，空穴传输材料为ZnPc (酞菁锌)、CuPc (酞菁铜)、I，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1-萘基)4，^ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB);更优选地，空穴传输层的空穴传输材料为N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)。优选地，电子阻挡层的材料为ZnPc(酞菁锌)、CuPc (酞菁铜)、1，1-二 [4_[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4 -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB);更优选地，电子阻挡层的材料为1，1_ 二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)。优选地，电子阻挡层的厚度为5~20nm ;更优选地，电子阻挡层的厚度为10nm。电子阻挡层的材料与空穴传输材料属于同一类材料,但一般来说，在同一发光器件中，电子阻挡层的材料与空穴传输材料选用不同材料。优选地，发光层的材料为8-羟基喹啉铝(Alq3)掺杂4_ (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)形成的混合材料(Alq3:DCJTB)。优选地，4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I，1，7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)_4H_吡喃(DCJTB)的掺杂质量分数为5~20% ;更优选地，掺杂质量分数为10%。优选地，发光层的厚度为l(T30nm ;更优选地，发光层的厚度为20nm。 优选地，空穴阻挡层的材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、2，9_ 二甲基-4，7-联苯-1，10-邻 二氮杂菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ), N-芳基苯并咪唑(TPBI)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, I’-联苯-4-羟基)铝(BAlq);更优选地，空穴阻挡层的材料为双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1, O8)-(I, I’ -联苯-4-羟基)铝(BAlq)。优选地，空穴阻挡层的厚度为5~20nm ;更优选地，空穴阻挡层的厚度为10nm。为了平衡载流子注入，在电子传输层中也采用掺杂结构，这样，配合空穴传输层的掺杂结构，可以提高载流子浓度，使阳极和阴极分别与有机传输材料之间形成欧姆接触，有效调节，改善载流子浓度与平衡，从而有效改善有机功能层的稳定性，提高有机电致发光器件的寿命，制备出高效，长寿命，低启动电压的OLED器件。优选地，电子传输层的材质为电子传输材料掺杂碱金属化合物形成的混合材料，碱金属化合物为Li2CO3 (碳酸锂)、LiN3 (叠氮化锂)、CsN3 (叠氮化铯)Xs2CO3 (碳酸铯)或CsF(氟化铯)，在电子传输层的材质中，碱金属化合物的质量分数为5~20%。更优选地，碱金属化合物为CsN3 (叠氮化铯)。更优选地，在电子传输层的材质中，碱金属化合物的质量分数为15%。优选地，电子传输材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、2，9_ 二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ), N-芳基苯并咪唑(TPBI)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1, O8)-(1，I’-联苯-4-羟基)铝(BAlq);更优选地，电子传输材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。优选地，电子传输层的厚度为2(Tl00nm ;更优选地，电子传输层的厚度为50nm。优选地，阴极为银(Ag)、招(Al)、钼(Pt)或金(Au);更优选地，阴极为银(Ag)。优选地，阴极的厚度为8(Tl20nm ;更优选地，阴极的厚度为lOOnm。相应地，本专利技术实施例还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:提供清洁的玻璃基底，在经处理过的玻璃基底上采用电子束蒸镀或磁控溅射的方法制备阳极导电膜；在所述阳极导电膜上蒸镀制备空穴传输层,所述空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，所述掺杂剂为锑的卤化物或锑的氧化物，在所述空穴传输层的材质中，所述掺杂剂的质量分数为2~20% ；所述蒸镀过程中的真空度为IX KT4Pa~5X l(T4Pa,蒸发速度为0.01nm~lnm/s ；在所述空穴传输层上依次蒸镀制备电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，得到有机电致发光器件。优选地，玻璃基底为市售普通玻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极导电膜、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，所述空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，所述掺杂剂为锑的卤化物或锑的氧化物，在所述空穴传输层的材质中，所述掺杂剂的质量分数为2~20%。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极导电膜、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，所述空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，所述掺杂剂为锑的卤化物或锑的氧化物，在所述空穴传输层的材质中，所述掺杂剂的质量分数为2~20%。2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述锑的卤化物为三氟化锑、三氯化锑、三溴化锑或三碘化锑。3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述锑的氧化物为三氧化二铺。4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料为酞菁锌、酞菁铜、1，1_ 二 [4_[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺，所述空穴传输层的厚度为30~100nm。5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质为电子传输材料掺杂碱金属化合物形成的混合材料，所述碱金属化合物为碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯、碳酸铯或氟化铯，在所述电子传输层的材质中，所述碱金属化合物的质量分数为5~20%。6.如权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、2，9- 二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1, O8)-(1，I’-联苯-4-羟基)铝；所述电子传输层的厚度为2(Tl00nm。7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为酞菁锌、酞菁铜、1，1-二 [4-[ ...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，冯小明，梁禄生，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：