【技术实现步骤摘要】
用于在超临界流体中生长材料的装置
本技术涉及用于在超临界流体中生长材料的技术，尤其涉及用于在超临界流体中生长材料的装置，且特别涉及使用氨热法制备氮化镓单晶的装置。
技术介绍
第三代半导体材料是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌为代表的宽禁带半导体材料，其带隙能可达3.3～5.5eV,与传统的第一代半导体材料硅(Si)和锗(Ge)、第二代半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等相比，第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，使其在光电子器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器等方面展现出巨大的应用潜力，是世界各国半导体领域研究的热点。我国开展氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)材料及器件方面的研究工作比较晚，在科技部等预研项目的支持下，取得了一定的成果，逐步缩小了与国外先进技术的差距，在一些领域已取得了应用，但是研究的成果主要还停留在实验室阶段，器件性能距离国外的报道还有很大差距。氮化镓单晶的生长方法有氢化物气相外延法、高压氮气溶液法、...
【技术保护点】
1.一种用于在超临界流体中生长材料的装置，其特征在于，包括第一容器(10)、第二容器(20)和加热部件(H)，/n所述第一容器(10)的内腔容纳有一个或多个所述第二容器(20)，/n所述加热部件(H)设置于所述第一容器(10)的内腔并用于给所述第二容器(20)加热，待生长的材料能够被设置在所述第二容器(20)内生长，/n所述第一容器(10)和所述第二容器(20)均能够填充用于传递压力的介质，在所述材料的生长过程中，使所述第一容器(10)内的压强与所述第二容器(20)内的压强的差值小于所述第二容器(20)内的压强与标准大气压的差值。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于在超临界流体中生长材料的装置，其特征在于，包括第一容器(10)、第二容器(20)和加热部件(H)，
所述第一容器(10)的内腔容纳有一个或多个所述第二容器(20)，
所述加热部件(H)设置于所述第一容器(10)的内腔并用于给所述第二容器(20)加热，待生长的材料能够被设置在所述第二容器(20)内生长，
所述第一容器(10)和所述第二容器(20)均能够填充用于传递压力的介质，在所述材料的生长过程中，使所述第一容器(10)内的压强与所述第二容器(20)内的压强的差值小于所述第二容器(20)内的压强与标准大气压的差值。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一容器(10)包括内筒(11)、预应力钢丝缠绕层(12)和端盖(13)，所述预应力钢丝缠绕层(12)环绕在所述内筒(11)的外周，所述第一容器(10)内使用的工作介质为气体。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述内筒(11)始终处于压应力和压应变状态，所述端盖(13)为浮动式结构，所述端盖(13)所受的轴向力传递给机架(31)来承受。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔焜，郑革，高明哲，吴小平，
申请(专利权)人：上海玺唐半导体科技有限公司，四川航空工业川西机器有限责任公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。